202X-202X學(xué)年高中化學(xué)第三章第四節(jié)離子晶體課件新人教版選修3

第四節(jié)離子晶體第三章晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)1.宏觀辨識(shí)與微觀探析：能辨識(shí)常見(jiàn)的晶體，能從微觀角度理解晶格能對(duì)離子晶體性質(zhì)的影響，能從宏觀角度解釋離子晶體性質(zhì)的差異。2.證據(jù)推理與模型認(rèn)知：通過(guò)對(duì)常見(jiàn)離子晶體模型的認(rèn)識(shí)，理解離子晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，預(yù)測(cè)其性質(zhì)。核心素養(yǎng)發(fā)展目標(biāo)達(dá)標(biāo)檢測(cè)檢測(cè)評(píng)價(jià)達(dá)標(biāo)過(guò)關(guān)新知導(dǎo)學(xué)啟迪思維探究規(guī)律內(nèi)容索引NEIRONGSUOYIN新知導(dǎo)學(xué)XINZHIDAOXUE01一、離子晶體答案1.概念由

和

通過(guò)

結(jié)合而成的晶體。2.離子晶體中離子的配位數(shù)(1)配位數(shù)：一個(gè)離子周圍最鄰近的

的數(shù)目。(2)影響配位數(shù)的因素幾何因素晶體中正負(fù)離子的_______電荷因素晶體中正負(fù)離子的_______鍵性因素

的純粹程度陰離子陽(yáng)離子離子鍵異電性離子半徑比電荷比離子鍵3.典型離子晶體的結(jié)構(gòu)模型化學(xué)式NaClCsClCaF2晶胞

晶胞中離子數(shù)目Na＋：__Cl－：__Cs＋：__Cl－：__Ca2＋：__F－：__陽(yáng)離子的配位數(shù)688陰離子的配位數(shù)684441148答案相關(guān)視頻答案4.離子晶體的性質(zhì)(1)熔、沸點(diǎn)較

，硬度較

。(2)離子晶體不導(dǎo)電，但

或

后能導(dǎo)電。(3)大多數(shù)離子晶體能溶于水，難溶于有機(jī)溶劑。高大熔化溶于水歸納總結(jié)(1)離子晶體中無(wú)分子，物質(zhì)的化學(xué)式只表示物質(zhì)的陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比，不是分子式。(2)離子晶體中一定含有離子鍵，也可能含有共價(jià)鍵。(3)離子晶體中離子鍵沒(méi)有方向性和飽和性，但每個(gè)陰(陽(yáng))離子周圍排列的帶相反電荷的離子數(shù)目都是固定的。(4)常見(jiàn)的離子晶體包括強(qiáng)堿、活潑金屬的氧化物、大部分鹽。相關(guān)視頻例1自然界中的CaF2又稱螢石，是一種難溶于水的固體，屬于典型的離子晶體。下列一定能說(shuō)明CaF2是離子晶體的實(shí)驗(yàn)是A.CaF2難溶于水，其水溶液的導(dǎo)電性極弱B.CaF2的熔、沸點(diǎn)較高，硬度較大C.CaF2固體不導(dǎo)電，但在熔融狀態(tài)下可以導(dǎo)電D.CaF2在有機(jī)溶劑(如苯)中的溶解度極小√解析離子晶體中含有離子鍵，離子鍵在熔融狀態(tài)下被破壞，電離出自由移動(dòng)的陰、陽(yáng)離子，所以離子晶體在熔融狀態(tài)下能夠?qū)щ姡@是判斷某晶體是否為離子晶體的依據(jù)。答案解析A.NaCl和CsCl都屬于AB型的離子晶體B.NaCl和CsCl晶體中陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比相同C.NaCl和CsCl晶體中陽(yáng)離子的配位數(shù)分別為6和8D.NaCl和CsCl都屬于AB型的離子晶體，所以陽(yáng)離子與陰離子的半徑比相同√例2

(2018·長(zhǎng)沙高二期中)如圖為NaCl和CsCl的晶體結(jié)構(gòu)，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是答案解析解析NaCl和CsCl都是由陰、陽(yáng)離子通過(guò)離子鍵構(gòu)成的晶體，陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)之比都為1∶1，則都屬于AB型的離子晶體，故A、B正確；結(jié)合題圖可知，NaCl為面心立方結(jié)構(gòu)，鈉離子的配位數(shù)為6，CsCl為體心立方結(jié)構(gòu)，銫離子的配位數(shù)為8，故C正確；NaCl和CsCl都屬于AB型的離子晶體，但鈉離子半徑小于銫離子半徑，則NaCl的陽(yáng)離子與陰離子的半徑比

小于CsCl的，故D錯(cuò)誤。二、晶格能1.概念氣態(tài)離子形成1mol

釋放的能量。晶格能通常取

，單位為

。2.影響因素離子晶體正值kJ·mol－1越多越小3.晶格能與晶體的熔點(diǎn)、硬度的關(guān)系晶格能越大，形成的離子晶體越

，晶體的熔點(diǎn)越

，硬度越

。穩(wěn)定高大答案例3下列關(guān)于晶格能的敘述中正確的是A.晶格能僅與形成晶體的離子所帶電荷數(shù)有關(guān)B.晶格能僅與形成晶體的離子半徑有關(guān)C.晶格能是指相鄰的離子間的靜電作用D.晶格能越大的離子晶體，其熔點(diǎn)越高解析晶格能與離子所帶電荷數(shù)的乘積成正比，與陰、陽(yáng)離子半徑的大小成反比，A、B項(xiàng)錯(cuò)誤；晶格能越大，晶體的熔、沸點(diǎn)越高，硬度也越大，D項(xiàng)正確?！檀鸢附馕隼?

(2018·南京高二期中)MgO、Rb2O、CaO、BaO四種離子晶體熔點(diǎn)的高低順序是A.MgO＞Rb2O＞BaO＞CaO B.MgO＞CaO＞BaO＞Rb2OC.CaO＞BaO＞MgO＞Rb2O D.CaO＞BaO＞Rb2O＞MgO解析四種離子晶體所含陰離子相同，所含陽(yáng)離子不同。對(duì)Mg2＋、Rb＋、Ca2＋、Ba2＋進(jìn)行比較，Rb＋所帶電荷數(shù)少，離子半徑最大，其與O2－形成的離子鍵最弱，故Rb2O的熔點(diǎn)最低。對(duì)Mg2＋、Ca2＋、Ba2＋進(jìn)行比較，它們所帶電荷數(shù)一樣多，離子半徑Mg2＋＜Ca2＋＜Ba2＋，與O2－形成的離子鍵由強(qiáng)到弱的順序是MgO＞CaO＞BaO，相應(yīng)離子晶體的熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)镸gO＞CaO＞BaO。綜上所述，四種離子晶體熔點(diǎn)的高低順序是MgO＞CaO＞BaO＞Rb2O。√答案解析返回學(xué)習(xí)小結(jié)達(dá)標(biāo)檢測(cè)DABIAOJIANCE021.正誤判斷(1)離子晶體一定是離子化合物(

)(2)離子晶體中一定含有金屬元素(

)(3)離子晶體的熔點(diǎn)一定低于原子晶體的熔點(diǎn)(

)(4)金屬晶體與離子晶體的導(dǎo)電原理相同(

)(5)含有陰離子的晶體一定是離子晶體(

)(6)晶格能是指破壞1mol離子鍵所吸收的能量(

)答案123456√×××√×2.下列說(shuō)法中正確的是A.固態(tài)時(shí)能導(dǎo)電的物質(zhì)一定是金屬晶體B.熔融狀態(tài)能導(dǎo)電的晶體一定是離子晶體C.水溶液能導(dǎo)電的晶體一定是離子晶體D.固態(tài)不導(dǎo)電而熔融態(tài)導(dǎo)電的晶體一定是離子晶體解析四種晶體在不同狀態(tài)下的導(dǎo)電性區(qū)別如下：√123456

分子晶體原子晶體金屬晶體離子晶體固態(tài)不導(dǎo)電不導(dǎo)電(晶體硅導(dǎo)電)導(dǎo)電不導(dǎo)電熔融狀態(tài)不導(dǎo)電不導(dǎo)電導(dǎo)電可導(dǎo)電水溶液有的可導(dǎo)電－－可導(dǎo)電答案解析解析形成離子鍵的陰、陽(yáng)離子之間不但存在陰、陽(yáng)離子之間的相互吸引，也存在著電子之間的相互排斥和原子核之間的相互排斥，A項(xiàng)錯(cuò)誤；氫是ⅠA族元素，與ⅦA族元素形成的化合物HX都是共價(jià)化合物，B項(xiàng)錯(cuò)誤；NaCl是離子化合物，SiO2是共價(jià)化合物，但前者的熔點(diǎn)較低，C項(xiàng)錯(cuò)誤；NH4Cl、(NH4)2SO4等都是只含有非金屬元素的離子化合物，D項(xiàng)正確。3.(2018·西安月考)下列說(shuō)法中正確的是A.形成離子鍵的陰、陽(yáng)離子間只存在靜電吸引力B.第ⅠA族元素與第ⅦA族元素形成的化合物一定是離子化合物C.離子化合物的熔點(diǎn)一定比共價(jià)化合物的熔點(diǎn)高D.離子化合物中可能只含有非金屬元素√答案解析123456答案解析1234564.一種離子晶體的晶胞如圖所示。其中陽(yáng)離子A以

表示，陰離子B以

表示。關(guān)于該離子晶體的說(shuō)法正確的是A.陽(yáng)離子的配位數(shù)為8，化學(xué)式為ABB.陰離子的配位數(shù)為4，化學(xué)式為A2BC.每個(gè)晶胞中含4個(gè)AD.每個(gè)A周圍有4個(gè)與它等距且最近的A√解析用均攤法可知，晶胞中含有陽(yáng)離子數(shù)為8×＋6×＝4，陰離子顯然是8個(gè)，故化學(xué)式為AB2，A、B項(xiàng)錯(cuò)誤；每個(gè)A周圍最近且等距離的A有12個(gè)(類似于干冰晶體)，D項(xiàng)錯(cuò)誤。5.堿金屬鹵化物是典型的離子晶體，它的晶格能與

成正比(d0是晶體中最鄰近的異電性離子的核間距)。下面說(shuō)法錯(cuò)誤的是123456

晶格能/kJ·mol－1離子半徑/pm①LiF

LiCl

LiBr

LiI1031845

807

752Li＋

Na＋

K＋60

95

133②NaF

NaCl

NaBr

NaI915

777

740

693F－

Cl－

Br－

I－136

181

195

216③KF

KCl

KBr

KI812

708

676

641A.晶格能的大小與離子半徑成反比B.陽(yáng)離子相同、陰離子不同的離子晶體，陰離子半徑越大，晶格能越小C.陽(yáng)離子不同、陰離子相同的離子晶體，陽(yáng)離子半徑越小，晶格能越大D.金屬鹵化物晶體中，晶格能越小，氧化性越強(qiáng)解析由表中數(shù)據(jù)可知晶格能的大小與離子半徑成反比，A項(xiàng)正確；由NaF、NaCl、NaBr、NaI晶格能的大小即可確定B項(xiàng)正確；由LiF、NaF、KF晶格能的大小即可確定C項(xiàng)正確；表中晶格能最小的是碘化物，因還原性：F－<Cl－<Br－<I－，可知D項(xiàng)錯(cuò)誤?！檀鸢附馕?234566.銅單質(zhì)及其化合物在很多領(lǐng)域有重要用途，如金屬銅用來(lái)制造電線電纜，五水硫酸銅可用作殺菌劑。(1)Cu位于元素周期表第ⅠB族。Cu2＋的核外電子排布式為_________________________。解析Cu為29號(hào)元素，位于元素周期表的ds區(qū)，其價(jià)電子排布式為3d104s1，則Cu2＋的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d9或[Ar]3d9。1234