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文檔簡介

PNPN–勢壘電容–擴散電容半導(dǎo)體器件物

電子勢壘電而變化。這相當PN結(jié)中的電荷量也隨之變化，pn 半導(dǎo)體器件物

電子擴散電在交流狀態(tài)下，pn結(jié)在直流偏置VA上迭加交流信號。既然pn半導(dǎo)體器件物

電子。。pn耗盡層電容，求雜質(zhì)分布和變?nèi)荻雽?dǎo)體器件物

電子2qK002qK00VRQqANdWC

（2-（2- qk 1 CA

（2- VR C稱為過渡電容或耗盡層電容有時亦稱為勢壘電容PN結(jié)空間電荷區(qū)空間電荷隨外加偏壓變化所引起的電容R常用1C 關(guān)系R

22 qK0Nd22

0

（2-半導(dǎo)體器件物

電子1C1CNWx圖2-17P

性

圖218

N結(jié)的 側(cè)的任意雜質(zhì)分1、根據(jù)該圖中的直線斜率可以計算出施主濃2、使直線外推至電壓軸可求出自建電壓。在截距處0半導(dǎo)體器件物

電子求雜質(zhì)分P-N質(zhì)分布dQqAN （2-由泊松方程，電場增量是與電荷增量之間具有如下關(guān)系d

k0

（2-電場增量表示為偏壓增量的函數(shù)Wd （2-W半導(dǎo)體器件物

電子由（2-79）和（2-80）dQAk0C

（2-把（2-79）式至（2-81）式代入（2-78）式并將結(jié)果重新整理得qk0d1qk0d1 C2

（2-對于在輕摻雜一邊有任意雜質(zhì)濃度的任何pn結(jié)，可以在不反偏壓下測量電容，并畫出1/C2相對V的曲線。從此(1/C2)/V并將其結(jié)果帶入式(2-82)以求N(W)可用式（2－）求出W半導(dǎo)體器件物

電子 和沃納用計算機算出的結(jié)果示于圖2-19中255

2xj2

2

222

x

2

0

N

105

N

2

圖2-19 半導(dǎo)體器件物

電子 和沃納用計算機算出的結(jié)果示于圖2-19中25

252

5

25

22

2

2xj2 5

1

25

10 N

10

xj22

N

102

圖2

P

x（d半導(dǎo)體器件物

系電子 21015 表面濃度為1018cm35m

反

21015 0

1018以及

N02 所以NBC

0

2.91015N

21015此外，利用圖2-18b半導(dǎo)體器件物

C4103pF電子變?nèi)荻O根

qk 1 C

（2-2VR 可見反向偏置的PN結(jié)可以作為電容使用在LC調(diào)諧電路中。專門為此目的制的二極管稱為變?nèi)荻Y(jié)型二極管的電容電壓方程可寫成CC0VR0 （2-對于單邊突變結(jié)，n1，如式（2-76）中所表示2半導(dǎo)體器件物

電子包括一個P-N結(jié)電容的LCnVR

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