全球及中國刻蝕設(shè)備行業(yè)現(xiàn)狀分析

全球及中國刻蝕設(shè)備行業(yè)現(xiàn)狀分析一、刻蝕設(shè)備行業(yè)發(fā)展概況薄膜沉積、光刻和刻蝕是芯片制造三大核心工藝?？涛g作為芯片生產(chǎn)的關(guān)鍵工藝，約占晶圓設(shè)備投入的1/4。刻蝕設(shè)備行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈方面，刻蝕設(shè)備的設(shè)計及制造是中游環(huán)節(jié)，上游由機械材料、電器材料、傳感器等組成，下游主要是半導(dǎo)體的制造及分裝?？涛g可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕，濕法刻蝕各向異性較差，側(cè)壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝尺寸較大的應(yīng)用，或用于干法刻蝕后清洗殘留物等。因此，干法刻蝕是目前主流的刻蝕技術(shù)，其中以等離子體干法刻蝕為主導(dǎo)。二、全球刻蝕設(shè)備行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)顯示，2013年全球刻蝕設(shè)備市場規(guī)模僅有40億美元，到2019年市場規(guī)模達到115億美元左右，預(yù)計隨著存儲制造對刻蝕設(shè)備的需求激增，刻蝕設(shè)備市場規(guī)模在2025年將達155億美元，年復(fù)合增速約為12%。三、中國刻蝕設(shè)備行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀2013-2019年中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模呈快速增長態(tài)勢，2019年行業(yè)市場規(guī)模達134.5億美元，同比增長2.59%，增速較2018年大幅回落。2020年一季度市場規(guī)模為35億美元，較2019年同期增長48%。由于浸沒式光刻機受到波長限制，14納米及以下的邏輯器件微觀結(jié)構(gòu)的加工將通過等離子體刻蝕和薄膜沉積的工藝組合來實現(xiàn)，使得相關(guān)設(shè)備的加工步驟增多，根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，7nm制程芯片所需使用的刻蝕次數(shù)高達140次，較14nm提升118%?？涛g設(shè)備重要性日益凸顯。四、全球刻蝕設(shè)備行業(yè)競爭格局刻蝕設(shè)備的行業(yè)集中度較高。目前，全球半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備的主要供應(yīng)商為泛林半導(dǎo)體（LamResearch）、東京電子（TEL）、應(yīng)用材料（AMAT）三家，而泛林半導(dǎo)體占據(jù)刻蝕設(shè)備市場的半壁江山。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，2019年全球刻蝕設(shè)備市場約為115億美元，其中泛林半導(dǎo)體的市場份額超過一半，為52%，東京電子和應(yīng)用材料分別占據(jù)20%和19%的市場份額。五、中國刻蝕設(shè)備行業(yè)重點企業(yè)分析中微公司主要從事高端半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，包括半導(dǎo)體集成電路制造、先進封裝、LED生產(chǎn)、MEMS制造以及其他微觀工藝的高端設(shè)備等。公司的等離子體刻蝕設(shè)備已在國際一線客戶從65nm到14nm、7nm和5nm的集成電路加工制造及先進封裝中有具體應(yīng)用，其中7nm/5nm刻蝕技術(shù)為國內(nèi)唯一。公司的MOCVD設(shè)備在行業(yè)領(lǐng)先客戶的生產(chǎn)線上已大規(guī)模投入生產(chǎn)。公司已成為世界排名前列、國內(nèi)占領(lǐng)先地位的LED氮化鎵基MOCVD設(shè)備制造商。從2017年起，MOCVD設(shè)備和刻蝕設(shè)備一起成為中微公司的主要收入來源，且MOCVD設(shè)備超越刻蝕設(shè)備達到營業(yè)收入的60%左右。數(shù)據(jù)顯示，中微公司營收2019年達到19.47億元，同比增長18.49%。2020年前三季度公司實現(xiàn)營收14.76億元，較2019年同期增長21.18%。由于公司采取降價銷售搶占市場，導(dǎo)致公司毛利率降低。2019年公司的歸母凈利潤為1.89億元，較2018年增加0.98億元，2020年前三季度歸母凈利潤達到2.77億元，較2019年同期增長105.19%。中微公司刻蝕設(shè)備在65納米到7納米的加工上均已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，MOCVD產(chǎn)品已在全球氮化鎵基LEDMOCVD市場中占據(jù)領(lǐng)先地位，產(chǎn)業(yè)融合情