非晶硅薄膜電池-激光工藝介紹udae

非晶硅薄膜電池

激光工藝介紹目錄設(shè)計(jì)基本介紹激光機(jī)簡(jiǎn)介激光器介紹工藝標(biāo)準(zhǔn)具體介紹附件芯片段工藝流程圖磨邊清洗一PECVD二維碼/P1清洗二預(yù)熱清洗那邊三P4P3PVDP6退火反壓P2芯片電性能測(cè)試芯片段P5激光絕緣刻線磨邊＆清洗P7異形激光掃邊P8激光打孔芯片切割組件最終電性能測(cè)試＆灌膠中空工藝修邊高壓釜層壓/輥壓自動(dòng)/手動(dòng)組裝組件段工藝流程圖裝接線盒清潔＆包裝BIPV工藝流程與相關(guān)工段玻璃接線盒a-SiAZO+AlEVA背板玻璃FTO玻璃接線盒a-SiAZO+AlPVB背板玻璃FTOP1P2P3激光在工藝過(guò)程中作用：分割標(biāo)準(zhǔn)件成子電池；讓子電池形成串聯(lián)；絕緣和可靠性處理；形狀切割需求激光&電池設(shè)計(jì)為什么標(biāo)準(zhǔn)件分割標(biāo)成39個(gè)子電池串聯(lián)？電極引線搭配內(nèi)阻消耗輸電浪費(fèi)原材料消耗(死區(qū))問(wèn)題思考問(wèn)題思考——Laser切割的必要性原理：激光經(jīng)過(guò)聚焦后照射到材料上，使材料溫度急劇升高至熔化或氣化，隨著激光與被切割材料的相對(duì)運(yùn)動(dòng)，在切割材料上形成切縫從而達(dá)到切割的目的與傳統(tǒng)切割優(yōu)勢(shì)：切割精度高、切縫窄、質(zhì)量好、熱影響區(qū)較小，且切割端面平整光滑切割速度快，加工效率高是一種非接觸式切割，沒(méi)有機(jī)械加工力，不會(huì)產(chǎn)生形變，也不存在加工屑、油污、噪聲等污染問(wèn)題，是一種綠色環(huán)保加工切割能力強(qiáng)，幾乎可以切割任何材料與傳統(tǒng)切割劣勢(shì)：激光在切割時(shí)，對(duì)電池片的晶相有一定的損傷，會(huì)造成電池片一定程度上的破損、隱裂電池片的晶相受損后，制作成的太陽(yáng)能組件在工作時(shí)存在漏電隱患問(wèn)題思考——使用脈沖激光的必要性加工材料時(shí)間短峰值能量高熱影響區(qū)域小易于控制劃刻深度被噴出材料可以帶走多余能量我司激光機(jī)設(shè)備分廠設(shè)備廠商激光器備注一分廠大族ROFIN無(wú)UPS,P1無(wú)CCD二分廠MITROFIN配UPS,P1有CCD激光刻劃?rùn)C(jī)機(jī)臺(tái)組件羅芬激光系統(tǒng)真空集塵系統(tǒng)CCD跟蹤系統(tǒng)進(jìn)出料劃線運(yùn)動(dòng)輔助機(jī)構(gòu)傳感器電力供給PLC單元運(yùn)動(dòng)控制電機(jī)驅(qū)動(dòng)CDA供給Y1、Y2軸芯片定位芯片支撐芯片運(yùn)動(dòng)冷水機(jī)激光器激光控制器真空泵集塵箱CCD相機(jī)CCD控制模塊激光機(jī)構(gòu)成介紹有進(jìn)片臺(tái)和出片臺(tái)組成，配備帶滾輪旋轉(zhuǎn)軸，步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)傳送軸，帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)軸和滾輪同步轉(zhuǎn)動(dòng)，基片在滾輪上水平傳輸若采用膜面向下的刻蝕方式，則在送料系統(tǒng)設(shè)有基片反轉(zhuǎn)裝置激光機(jī)構(gòu)成介紹送料系統(tǒng)

直線電機(jī)和直線導(dǎo)軌控制激光頭做X方向運(yùn)動(dòng)，基片做Y方向運(yùn)動(dòng);氣浮支撐基片

采用檢測(cè)級(jí)大理石作為主體基座，確保整機(jī)剛性和消除工作臺(tái)對(duì)激光頭的震動(dòng)干涉；基片運(yùn)動(dòng)直線電機(jī)激光頭運(yùn)動(dòng)直線電機(jī)加工系統(tǒng)CCD(ChargeCoupledDevice)圖像智智能定定位系系統(tǒng)P2、P3刻蝕時(shí)，以以P1第一條條線為為定位位基準(zhǔn)準(zhǔn)；CCD定位位系統(tǒng)統(tǒng)保證證三層層膜相相鄰三三條線線的平平行度度激光機(jī)機(jī)構(gòu)成成介紹紹定位系系統(tǒng)TCO、a-Si和背電電極分分別對(duì)應(yīng)1064nm紅外激激光和和532nm綠激光光。1064nm紅外激激光器器可調(diào)功功率9-11W，532nm紅外外激激光光器器可調(diào)調(diào)功率率0.6-0.9W激光光系統(tǒng)統(tǒng)刻蝕蝕區(qū)區(qū)一一側(cè)側(cè)采采用用吹吹氣氣設(shè)設(shè)備備把把刻刻蝕蝕產(chǎn)產(chǎn)生生的的塵塵埃埃吹吹離離刻刻蝕蝕區(qū)區(qū)域域，，在相相反反的的一一側(cè)側(cè)采采用用吸吸氣氣設(shè)設(shè)備備吸吸收收氣氣體體及及塵塵埃埃激光光機(jī)機(jī)構(gòu)構(gòu)成成介介紹紹除塵塵系系統(tǒng)統(tǒng)PC主控控制制系系統(tǒng)統(tǒng)，，人人機(jī)機(jī)界界面面友友好好配備備警示示燈燈、、蜂蜂鳴鳴器器、、急急停停、、激激光光安安全全鎖鎖等等安安全全警警示示、、開(kāi)開(kāi)關(guān)關(guān)；電源源：：三三相相380+/-38VAC，，12kW，，50/60Hz；壓縮縮空空氣氣壓壓力力5kg/cm2以上上控制制系統(tǒng)統(tǒng)主畫(huà)面電機(jī)控制激光控制時(shí)間設(shè)置報(bào)警畫(huà)面自動(dòng)運(yùn)行速度確定進(jìn)料速度進(jìn)料減速進(jìn)料進(jìn)給速度進(jìn)給減速出料進(jìn)給速度出料速度調(diào)整電機(jī)1速度調(diào)整電機(jī)2速度8080808050802，02，0°/s/°/s°/s°/s°/s°/smm/smm/sX軸速度Y軸速度X軸加工位Y軸取片位Y軸定位位置Y軸等候位調(diào)整電機(jī)1取片位調(diào)整電機(jī)2取片位100100-20-2010100-5-5mm/smm/smmmmmmmmmmmm激光光刻刻劃劃示示意意進(jìn)料料P2/P3刻劃劃出料料定位捕捉P1刻劃P2P3

工作物質(zhì)激勵(lì)源反射鏡出射鏡激光出射激光器具具體介紹紹基本組成成泵浦源工作物質(zhì)質(zhì)諧振腔激光產(chǎn)生生的過(guò)程程1、泵浦源源發(fā)出強(qiáng)強(qiáng)光照射射工作物物質(zhì)，工工作物質(zhì)質(zhì)吸收光光子，電電子經(jīng)過(guò)過(guò)能級(jí)躍躍遷，發(fā)發(fā)出另一一種波長(zhǎng)長(zhǎng)的光。。2、新產(chǎn)生生的光在在諧振腔腔內(nèi)往復(fù)復(fù)震蕩，，得到高高能量密密度和高高指向性性的光。。3、通過(guò)Q開(kāi)關(guān)，倍倍頻晶體體，光路路等過(guò)程程，對(duì)光光進(jìn)行調(diào)調(diào)整得到到我們需需要的激激光。我們現(xiàn)場(chǎng)場(chǎng)所用激激光泵浦浦源發(fā)出出808nm的光，工工作物質(zhì)質(zhì)發(fā)出1064nm的光激光器具具體介紹紹特點(diǎn)單色性、、相干性性、方向向性、高高亮度分類氣體激光光器:長(zhǎng)長(zhǎng)范圍紫紫外到遠(yuǎn)遠(yuǎn)紅外階段液體激光光器:在醫(yī)療療或物質(zhì)質(zhì)分析方方面有廣廣泛作用用，波長(zhǎng)長(zhǎng)覆蓋范范圍321nm-1.168um固體激光光器:以紅寶寶石和石石榴石兩兩類激光光為代表表，通常常有較大大的功率率輸出。。波長(zhǎng)范范圍可見(jiàn)見(jiàn)光、近近紅外波波段.例例摻釹釔釔鋁石榴榴石（簡(jiǎn)簡(jiǎn)稱Nd:YAG，波長(zhǎng)1.064um）半導(dǎo)體激激光器:一般為為0.6～1.55微米，主主要在近近紅外波波段。激光器關(guān)關(guān)鍵參數(shù)數(shù)對(duì)工藝藝影響工作物質(zhì)質(zhì)P1，P2，P3激光光器所需需波長(zhǎng)不不同，但但可用同一物質(zhì)通過(guò)倍頻頻器實(shí)現(xiàn)現(xiàn)頻率變化調(diào)Q與鎖鎖模作用用普通脈沖沖激光器器輸出波波形由一一系列不不規(guī)則的的尖峰脈脈沖組成成,通過(guò)過(guò)調(diào)Q壓壓縮脈沖沖寬度，，提高峰峰值功率波長(zhǎng)與能能量匹配配于切割割材料的的選擇切割材料料與不需需切割材材料的晶晶體性質(zhì)質(zhì)決定激激光波長(zhǎng)長(zhǎng)與能量量選擇綠光對(duì)硅硅的破壞壞閾值遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于對(duì)對(duì)TCO的破壞閾閾值工序工作物質(zhì)泵浦源Q開(kāi)關(guān)發(fā)射波長(zhǎng)P1Nd:YVO4(摻釹釩酸釔)二極管激發(fā)0-400kHz1064nmP2/P3Nd:YVO4(摻釹釩酸釔)二極管激發(fā)15-400kHz532nm2022/12/29關(guān)注要點(diǎn)線寬、線貌、重疊率、光斑，絕緣性性可調(diào)參數(shù)加工臺(tái)移動(dòng)速速度、焦距、電流、頻率激光工藝關(guān)鍵鍵參數(shù)對(duì)工藝藝影響監(jiān)控工具顯微鏡、卡尺尺、萬(wàn)用表等等綠光紅光P5P6激光刻劃效果果圖激光一未刻斷斷光斑變形線距編大總線寬過(guò)寬刻線相交掃邊膜層未完完全去除激光常見(jiàn)不良良激光工序波長(zhǎng)型號(hào)/功率線徑膜層P11064nmSL2045±5umTCOP2532nmSL355±5um鍺硅P3532nmSL375±5um鍺硅、AZOP41064nmDQX80

無(wú)TCO/鍺硅AZOP6532nmL100SHG2*0.67mm鍺硅、AZOP51064/532SL20/SL345/75umTCO/鍺硅AZOP71064nmL400SHG無(wú)TCO/鍺硅AZO不同激光工序序參數(shù)以及刻刻劃膜層激光工藝具體體介紹不同激光工序序刻劃作用激光工藝具體體介紹激光工序作用P1刻劃TCO層分成多節(jié)子電池分割子電池并完成串聯(lián)P2刻劃鍺硅層,建立單元與單元之間連接的通道P3背電極的分割,在單元之間建立了串聯(lián)連接P4使用高能量的激光進(jìn)行清邊處理形成絕緣P5按照需要的尺寸，刻劃需要的絕緣線保證非標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的電性能參數(shù)P7不規(guī)則圖形絕緣掃邊（可看作P4升級(jí)版）P6得到不同線寬不同透光率的芯片。透光P8玻璃芯片激光打孔激光工序作用P1刻劃TCO層分成多節(jié)子電池分割子電池并完成串聯(lián)P2刻劃鍺硅層,建立單元與單元之間連接的通道P3背電極的分割,在單元之間建立了串聯(lián)連接P4使用高能量的激光進(jìn)行清邊處理電氣絕緣和滿足可靠性要求P5按照需要的尺寸，刻劃需要的絕緣線保證非標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的電性能參數(shù)P7不規(guī)則圖形絕緣掃邊（可看作P4升級(jí)版）P6得到不同線寬不同透光率的芯片透光率P8玻璃芯片激光打孔點(diǎn)支式組件目的加工方式工藝選擇檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)異常處理激光——P1目的加工方式工藝選擇檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)異常處理激光——P2目的加工方式工藝選擇檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)異常處理激光——P3目的加工方式工藝選擇檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)異常處理激光——P4目的加工方式工藝選擇檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)異常處理激光——P5/異形異形絕緣線目的加工方式工藝選擇檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)異常處理激光——P6附件——制程程管控與檢驗(yàn)驗(yàn)

P1與定位邊的距離卡尺激光線與定位邊距離14mm±0.3mm2pcs/2hours抽檢線徑顯微鏡30～50μm光斑顯微鏡應(yīng)均勻，切斷，光斑圓滑沒(méi)有毛刺，光斑不能異形或橢圓形開(kāi)路電阻萬(wàn)用表用萬(wàn)用表檢20KΩ檔測(cè)每條激光線相鄰的兩導(dǎo)電膜塊，電阻值＞20KΩ1次/4hours制程稽核平行度、重合度校正標(biāo)準(zhǔn)片與標(biāo)準(zhǔn)片激光線平行度偏離±0.03mm、重合度偏離±0.05mm以內(nèi),每班校正一次1次/4hours制程稽核圖紙檢查目視電池芯片圖紙與設(shè)計(jì)要求一致1次/4hours制程稽核激光機(jī)參數(shù)設(shè)定儀表讀數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)指導(dǎo)書(shū)工藝設(shè)定要求一致1次/4hours制程稽核打碼位置尺寸卡尺與標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)指導(dǎo)書(shū)要求相同每次開(kāi)箱

抽檢外觀目測(cè)清洗可見(jiàn)、無(wú)任何臟污或其他不良2pcs/2hours圖紙檢查目視圖紙與設(shè)計(jì)要求一致5pcs/2hours激光機(jī)參數(shù)設(shè)定儀表讀數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)指導(dǎo)書(shū)工藝設(shè)定要求一致1次/4hours制程稽核附件——制程程管控與檢驗(yàn)驗(yàn)P2與第一條激光線線距顯微鏡小于100μm（不包括腐蝕片）;腐蝕再生片的激光二要刻在原激光三的外邊2pcs/2hour抽檢與第一條激光線不平行度顯微鏡小于50μm線徑顯微鏡70μm-90μm光斑顯微鏡應(yīng)均勻，切開(kāi)，光斑均勻、圓滑沒(méi)有毛刺，光斑不能異形或橢圓形傷TCO顯微鏡傷TCO直徑≤10μm硅應(yīng)完全刻掉放大鏡/手電筒透光，刻線上不能殘留硅激光機(jī)參數(shù)設(shè)定儀表讀數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)指導(dǎo)書(shū)工藝設(shè)定要求一致1次/4hours制程稽核PVD膜厚萬(wàn)用表用萬(wàn)用表測(cè)量電池芯片背電極電阻，取背電極兩端中間長(zhǎng)點(diǎn)電阻值，測(cè)試點(diǎn)距離＞1200mm,要求電阻≤6Ω。4PCS/2hours抽檢附著力高溫膠帶用30*60mm冷表膜附與背膜上，貼緊，垂直芯片方向迅速拉起冷表膜，如果背電極黏在冷表膜上，則表示存在脫模，反之則無(wú)脫模。2PCS/2hours外觀目測(cè)無(wú)異色點(diǎn)、劃傷、脫模臟污等外觀問(wèn)題。4PCS/2hours附件——制程程管控與檢驗(yàn)驗(yàn)P4掃邊區(qū)域卡尺四周邊掃邊區(qū)域9.5~10mm2pcs/2hours抽檢正負(fù)級(jí)寬度卡尺正極6±1mm,負(fù)極4±0.5mm電阻萬(wàn)用表用萬(wàn)用表檢200MΩ檔測(cè)掃邊區(qū)域，電阻值＞200MΩ/cm外觀目視目視無(wú)明顯殘留物質(zhì)附著于表面，參照限度樣品掃邊機(jī)參數(shù)設(shè)定儀表讀數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)指導(dǎo)書(shū)工藝設(shè)定要求一致1次/4hours制程稽核P3與第二條激光線線距顯微鏡小于100μm（不包括腐蝕再生片），腐蝕再生片的激光三要刻在原激光三、現(xiàn)激光二的外邊。2pcs/2hours抽檢與第二條激光線不平行度小于50μm線徑70μm～90μm光斑應(yīng)均勻，切開(kāi)，光斑圓滑沒(méi)有毛刺，光斑不能異形或橢圓形傷TCO傷TCO直徑≤10μm背電極應(yīng)完全刻斷透光，刻線上不能殘留物三線總寬三條激光線線距≤400μm激光機(jī)參數(shù)設(shè)定儀表讀數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)指導(dǎo)書(shū)工藝設(shè)定要求一致1次/4hours制程稽核附件——制程程管控與檢驗(yàn)驗(yàn)反壓外觀目視無(wú)破損、崩邊、手印、條紋等外觀不良1次/4hours制程稽核透空目視沿激光線透空寬度小于1mm，長(zhǎng)度小于10mm不超過(guò)2處1次/4hours制程稽核

P6透光率標(biāo)尺總刻線透光面積/總鍍膜面積，根據(jù)客戶要求2pcs/2hours抽檢線徑顯微鏡刻線寬度：0.35mm/0.67mm/1.3mm；光斑顯微鏡應(yīng)均勻，切斷，光斑沒(méi)有毛刺，光斑不能異形平行度，整齊度萬(wàn)用表透光刻線與短邊的平行度＜1.5mm；未刻穿芯片長(zhǎng)邊兩側(cè)透光刻線的整齊度＜0.3mm；1次/4hours制程稽核位錯(cuò)度顯微鏡芯片刻劃時(shí)中間位置圖形拼接處刻線對(duì)接錯(cuò)開(kāi)度＜60um；1次/4hours制程稽核圖紙檢查目視圖紙與標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)指導(dǎo)書(shū)設(shè)計(jì)要求一致1次/4hours制程稽核激光機(jī)參數(shù)設(shè)定儀表讀數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)工藝設(shè)定要求一致1次/4hours制程稽核清洗三外觀目測(cè)清洗后無(wú)斑點(diǎn)、水珠、油漬、水跡指紋以及顆粒附著物等1次/4hours制程稽核附件——制程程管控與檢驗(yàn)驗(yàn)退火外觀目測(cè)電池芯片是否有破損、崩邊手印等外觀不良2pcs/每爐

芯片測(cè)試測(cè)試參數(shù)測(cè)試機(jī)工藝初始Pm、Voc、Isc2pcs/2hours抽檢測(cè)試機(jī)每連續(xù)兩次測(cè)試數(shù)據(jù)偏差小于0.5W2pcs/2hours外觀目測(cè)無(wú)破損、崩邊、手印等外觀不良現(xiàn)象2pcs/2hours制程稽核

P5位置顯微鏡且紅外光刻線位于綠光刻線內(nèi)部正中央，不允許超出綠光刻線區(qū)域；2pcs/2hours抽檢線徑顯微鏡紅光斑直徑：45±5um，刻線組合寬度：50±5um；綠光斑直徑：95±5um，刻線組合寬度：240±10um；光斑顯微鏡綠光40±5%，綠光刻線間隔50um；紅外光：50±5%，紅外光刻線間隔10um；絕緣電阻萬(wàn)用表任意位置，絕緣線兩側(cè)電阻值＞20MΩ1次/4hours制程稽核平行度、重合度校正標(biāo)準(zhǔn)片與標(biāo)準(zhǔn)片激光線平行度偏離±0.03mm、重合度偏離±0.05mm以內(nèi),每班校正一次1次/4hours制程稽核圖紙檢查目視電池芯片圖紙與標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)要求一致1次/4hours制程稽核激光機(jī)參數(shù)設(shè)定儀表讀數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)指導(dǎo)書(shū)工藝設(shè)定要求一致1次/4hours制程稽核附件——制程程管控與檢驗(yàn)驗(yàn)

P7寬度卡尺15mm±0.5mm；2pcs/2hours抽檢外觀顯微鏡已掃邊區(qū)域透明清亮，無(wú)黃色膜層殘留；膜層邊緣無(wú)毛刺、無(wú)臺(tái)階；絕緣電阻萬(wàn)用表使用萬(wàn)用表測(cè)量電阻＞200MΩ；1次/4hours制程稽核圖紙檢查目視電池芯片圖紙與標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)要求一致1次/4hours制程稽核激光機(jī)參數(shù)設(shè)定儀表讀數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)指導(dǎo)書(shū)工藝設(shè)定要求一致1次/4hours制程稽核

P8切割精度卡尺誤差≤±0.2mm/m；2pcs/2hours抽檢玻璃切割效果標(biāo)尺崩邊≤0.2mm；切割油漫延距離卡尺距離≤4mm；1次/4hours制程稽核圖紙檢查目視電池芯片圖紙與標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)要求一致1次/4hours制程稽核激光機(jī)參數(shù)設(shè)定儀表讀數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)指導(dǎo)書(shū)工藝設(shè)定要求一致1次/4hours制程稽核附件——制程程管控與檢驗(yàn)驗(yàn)Thankyou！9、靜靜夜夜四四無(wú)無(wú)鄰鄰，，荒荒居居舊舊業(yè)業(yè)貧貧。。。。12月月-2212月月-22Thursday,December29,202210、雨中黃葉葉樹(shù)，燈下下白頭人。。。22:07:4622:07:4622:0712/29/202210:07:46PM11、以以我我獨(dú)獨(dú)沈沈久久，，愧愧君君相相見(jiàn)見(jiàn)頻頻。。。。12月月-2222:07:4622:07Dec-2229-Dec-2212、故人江海海別，幾度度隔山川。。。22:07:4622:07:4622:07Thursday,December29,202213、乍見(jiàn)翻翻疑夢(mèng)，，相悲各各問(wèn)年。。。12月-2212月-2222:07:4622:07:46December29,202214、他鄉(xiāng)生白白發(fā)，舊國(guó)國(guó)見(jiàn)青山。。。29十二二月202210:07:46下下午22:07:4612月-2215、比不不了得得就不不比，，得不不到的的就不不要。。。。十二月月2210:07下下午12月-2222:07December29,202216、行動(dòng)出出成果，，工作出出財(cái)富。。。2022/12/2922:07:4622:07:4629December202217、做前，能能夠環(huán)視四四周；做時(shí)時(shí)，你只能能或者最好好沿著以腳腳為起點(diǎn)的的射線向前前。。10:07:46下下午10:07下午22:07:4612月-229、沒(méi)有失失敗，只只有暫時(shí)時(shí)停止成成功！。。12月-2212月-22Thursday,December29,202210、很多事情情努力了未未必有結(jié)果果，但是不不努力卻什什么改變也也沒(méi)有。。。22:07:4622:07:4622:0712/29/202210:07:46PM11、成功就就是日復(fù)復(fù)一日那那一點(diǎn)點(diǎn)點(diǎn)小小努努力的積積累。。。12月-2222:07:4622:07Dec-2229-Dec-2212、世世間間成成事事，，不不求求其其絕絕對(duì)對(duì)圓圓滿滿，，留留一一份份不不足足，，可可得得無(wú)無(wú)限限完完美美。。。。22:07:4722:07:4722:07Thursday,December29,202213、不知香香積寺，，數(shù)里入入云峰。。。12月-2212月-2222:07:4722:07:47December29,202214、意意志志堅(jiān)堅(jiān)強(qiáng)強(qiáng)的的人人能能把把世世界界放放在在手手中中像像泥泥塊塊一一樣樣任任意意揉揉捏捏。。29十十二二月月202210:07:47下下午午22:07:4712月月-2215、楚塞塞三湘湘接，，荊門門九派派通。。。。十二月月2210:07下下午12月月-2222:07December29,202216、少年十十五二十十時(shí)，步步行奪得得胡馬騎騎。。2022/12/2922:07:4722:07:4729December202217、空空山山新新雨雨后后，，天天氣氣晚晚來(lái)來(lái)秋秋。。。。10:07:47下下