擴(kuò)散前的表面處理課件

硅片擴(kuò)散前的表面準(zhǔn)備

SUNTECHPOWERCO.,LTD.）

2003年7月目錄化學(xué)清洗用主要設(shè)備的操作規(guī)程（清洗機(jī)，甩干機(jī)）

概述化學(xué)腐蝕液的配制工藝過程和工藝條件（操作示范）各化學(xué)清洗液的濃度檢測，調(diào)整注意事項概述形成起伏不平的絨面，增加硅片對太陽光的吸收去除硅片表面的機(jī)械損傷層清除表面油污和金屬雜質(zhì)硅片表面處理的目的：概述：硅片表面的機(jī)械損傷層（二）多線切割概述：硅片表面的機(jī)械損傷層

（三）機(jī)械損傷層硅片機(jī)械損傷層（10微米）概述：金屬雜質(zhì)對電池性能的影響化學(xué)腐蝕液的配制多晶硅片的清洗腐蝕九槽清洗機(jī)123456789溶液組成300克/升NaOH80℃純水純水純水40克/升HF純水65克/升HCl純水純水噴淋作用清除表面油污,去除機(jī)械損傷層清洗硅片表面殘留NaOH清除硅片表面殘留Na2SiO3和SiO2層清洗硅片表面殘留HF清除硅片表面金屬雜質(zhì)清洗硅片表面殘留HCl充分潔凈硅片表面注：純水是電阻率為18MΩ·cm的去離子水化學(xué)腐蝕液的配制單晶硅片的清洗和制絨九槽清洗機(jī)超聲波清洗單晶硅片的表面油污比較嚴(yán)重，需要在60℃清洗劑的水溶液中，利用超聲波震蕩清洗15分鐘。123456789溶液組成100克/升NaOH80℃純水20克/升NaOH&酒精80℃純水40克/升HF純水65克/升HCl純水純水噴淋作用清除表面油污,去除機(jī)械損傷層清洗硅片表面殘留NaOH在硅片表面形成類“金字塔“狀絨面清洗硅片表面殘留制絨液清除硅片表面殘留Na2SiO3和SiO2層清洗硅片表面殘留HF清除硅片表面金屬雜質(zhì)清洗硅片表面殘留HCl充分潔凈硅片表面化學(xué)腐蝕的原理

熱的NaOH溶液去除硅片表面機(jī)械損傷層：

HF去除硅片表面氧化層：

HCl去除硅片表面金屬雜質(zhì)：

鹽酸具有酸和絡(luò)合劑的雙重作用，氯離子能與Pt2+、Au3+、Ag+、Cu+、Cd

2+、Hg2+等金屬離子形成可溶于水的絡(luò)合物。

清洗液濃度的檢測與調(diào)整滴定管的使用以及滴定技術(shù)滴定管是滴定時準(zhǔn)確測量溶液體積的容器，分酸式和堿式兩種。酸式滴定管的下部帶有磨口玻璃活塞，用于裝酸性、氧化性、稀鹽類溶液；堿式滴定管的下端用橡皮管連接一個帶尖嘴的小玻璃管，橡皮管內(nèi)有一玻璃球，以控制溶液的流出速度。清洗液濃度的檢測與調(diào)整（一）氫氧化鈉（NaOH）濃度的檢測NaOH+HCl=NaCl+H2O40：36.5MNaOH×VNaOH

：MHCl×VHCl其中MHCl已知，VNaOH=10毫升，VHCl通過測量可知，則未知的氫氧化鈉溶液濃度MNaOH可以由計算得到。MNaOH=0.11×MHCl×VHCl（克/升）清洗液濃度的檢測與調(diào)整（二）鹽酸（HCl）濃度的檢測NaOH+HCl=NaCl+H2O40：36.5MNaOH×VNaOH

：MHCl×VHCl其中MNaOH已知為80克/升，VHCl=10毫升，VNaOH通過測量可知，則未知的鹽酸溶液濃度MHCl可以由計算得到。M

HCl

=

7.3×V

NaOH清洗液的組成和更換

1號槽氫氧化鈉（NaOH）5號槽氫氟酸（HF）7號槽鹽酸（HCl）去除磷硅玻璃氫氟酸（HF）標(biāo)準(zhǔn)濃度300克/升40克/升65克/升21克/升允許范圍280~330克/升30~45克/升55~70克/升15~25克/升檢測周期8小時8小時8小時8小時更換頻率每清洗15000片硅片，更換3/4；整體更換：每周一次。每30000片硅片，溶液整體更換每清洗30000片硅片，溶液整體更換每清洗30000片硅片，溶液整體更換清洗液的組成和更換（續(xù)）

1號槽

氫氧化鈉（NaOH）5號槽

氫氟酸（HF）7號槽

鹽酸（HCl）去除磷硅玻璃

氫氟酸（HF）更換溶液時

加入試劑量整體更換：82瓶

更換3/4：62瓶25瓶40瓶13瓶槽的尺寸底面積：39dm2

槽深：4.7dm

溶液深：3.5dm底面積：39dm2

溶液深：3.5dm底面積：39dm2

溶液深：3.5dm底面積：39dm2

溶液深：3.5dm備注125硅片每300片加入1瓶；103硅片每500片加入1瓶

注意事項安全NaOH、