x射線衍射實(shí)驗(yàn)技術(shù)資料

四.X射線衍射基本實(shí)驗(yàn)技術(shù)1/18/202314.1粉末照相法用單色X射線照射多晶試樣，用照相膠片記錄衍射花樣，曾是應(yīng)用最廣并富有成果的衍射技術(shù)?！镅苌浠拥男纬啥嗑w晶粒取向?yàn)槿我獾模蚨骶Я５耐唬℉KL）面所對(duì)應(yīng)的倒易點(diǎn)必定分布在以倒易原點(diǎn)為心，半徑為1/dHKL的倒易球面上。

按前述作反射球，則必與不同半徑的倒易球面相交。交線為圓，此圓上隨意一點(diǎn)，必滿足布拉格方程。1/18/20232如A、B點(diǎn)，其衍射線方向即OA、OB。如此，圓周上的全部點(diǎn)與O的連線均為衍射線方向。

不同的HKL面，半頂角2θ不等，但共頂點(diǎn)共軸線。

從試樣中射出的衍射線分布為以試樣為頂點(diǎn)，入射束為軸，2θ為半頂角的圓錐。1/18/20233★

衍射花樣記錄Debye法：長(zhǎng)條膠片，以試樣柱軸線為軸，圍成圓柱狀。記錄的是衍射線與膠片相交成的弧線對(duì)。1/18/20234如膠片圓筒半徑為R，弧線對(duì)間距為2l，則如2R=57.3mm，θ以度為單位，2l以mm度量，則1/18/20235針孔法:

平板膠片垂直入射線放置，A為透射針孔法，B為背射針孔法，記錄的花樣是以O(shè)′為圓心的同心圓。

A透射→低θ角衍射B背射→高θ角衍射

如令RA、RB各為透射和背射花樣圓的半徑，DA、DB為相應(yīng)膠片至試樣的距離，則有：透射背射1/18/202364.2衍射儀法衍射儀是精密的機(jī)電一體化X射線衍射試驗(yàn)裝置，用各種輻射探測(cè)器替代照相膠片，探測(cè)和記錄X射線衍射花樣。組成：X射線發(fā)生裝置、測(cè)角儀、輻射探測(cè)器、自動(dòng)限制和記錄單元等。

記錄的是衍射圖1/18/20237Ni-P合金（非晶態(tài)結(jié)構(gòu)）的X射線衍射圖1/18/20238▲測(cè)角儀一種衍射測(cè)量裝置，是衍射儀的核心部件。用來(lái)實(shí)現(xiàn)衍射、測(cè)量和記錄各衍射線的布拉格角、強(qiáng)度、線形等。

1/18/20239結(jié)構(gòu)和工作原理F：X射線管的焦點(diǎn)，多數(shù)為固定不動(dòng)。D：輻射探測(cè)器。S1、S2：索拉狹縫，限制X射線垂直方向的發(fā)散。RS：接收狹縫，SS：防散射狹縫，屏擋其他散射線。DS：發(fā)散狹縫，限制X射線水平方向的發(fā)散。C：運(yùn)載器O：衍射儀軸心，與平板試樣表面貼合。SS、S2、RS和D同位于運(yùn)載器（C）上，與試樣同方向轉(zhuǎn)動(dòng)，轉(zhuǎn)速比為2∶11/18/202310其二，焦點(diǎn)F、試樣O（測(cè)角儀軸心）、探測(cè)器D三點(diǎn)需成一聚焦圓，且試樣表面應(yīng)在O點(diǎn)與此圓相切。當(dāng)D轉(zhuǎn)過(guò)2θ角，探測(cè)布拉格角為θ的衍射線時(shí)，試樣必需轉(zhuǎn)過(guò)θ角。這種2∶1的關(guān)系保證了整個(gè)衍射花樣的聚焦。為使測(cè)量的衍射線明銳，測(cè)量和記錄每一衍射線時(shí)必需滿足聚焦條件。其一，X射線焦點(diǎn)F與探測(cè)器D需聚焦在測(cè)角儀圓周上。1/18/202311▲輻射探測(cè)器廣為運(yùn)用的有正比計(jì)數(shù)器、閃爍計(jì)數(shù)器、硅滲鋰Si（Li）探測(cè)器三種。☆正比計(jì)數(shù)器（PC）利用X射線對(duì)氣體的電離效應(yīng)和氣體放大原理。兩極間加900-1400V高壓，當(dāng)入射X射線光子與氣體分子撞擊時(shí)，產(chǎn)生電離，電子飛向陽(yáng)極途中會(huì)進(jìn)一步電離，形成“雪崩”，在陽(yáng)極絲上出現(xiàn)約10-9—10-7A的電流脈沖，幾mV的電壓脈沖，脈沖幅值正比于X射線光子的能量。辨別時(shí)間很短，約為1μs，記數(shù)率不超過(guò)105S-1，不需作記數(shù)損失校正。1/18/202312記數(shù)效率約為90%-100%，辨別時(shí)間約為10-1μs，在105S-1記數(shù)范圍內(nèi)不需作記數(shù)損失修正?！铋W爍計(jì)數(shù)器（SC）利用X射線的熒光效應(yīng)。計(jì)數(shù)器加800—1400V電壓，X射線光子打在閃爍晶體NaI（Tl）時(shí)，產(chǎn)生紫藍(lán)色可見光，激發(fā)光敏陰極K，產(chǎn)生光電子，經(jīng)光電倍增管放大，形成脈沖電流。其值與X射線光子的能量成正比。1/18/202313

☆Si（Li）半導(dǎo)體固體探測(cè)器X射線進(jìn)入鋰漂移硅晶體中，激發(fā)半導(dǎo)體產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，數(shù)目與X射線光子能量成正比。電子移向n區(qū)，空穴移向p區(qū)，聚焦在兩端的電荷由前置放大器積分成脈沖電壓信號(hào)并經(jīng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大。工作條件要求苛刻，需置于1.33×10-4Pa真空室內(nèi)，在液氮溫度下運(yùn)用和保存。1/18/2023144.3多晶衍射花樣的度量和指數(shù)化

度量是指從衍射花樣中提取相應(yīng)的信息，供材料探討或檢驗(yàn)運(yùn)用。照相法記錄的多晶衍射花樣是分布在較淺背底上的較黑且明銳線環(huán)或線段，衍射儀則是強(qiáng)度變更平緩的背底上的一組強(qiáng)衍射峰。峰位2θ的確定：峰位是重要的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)。精度要求不高時(shí)，取峰頂對(duì)應(yīng)的2θ。(P0=50.145°)精細(xì)工作時(shí)，可用重心法、半高寬法(P1/2=50.134°)、拋物線法(P=50.142°)等。1/18/202315在很多探討中須要考慮衍射強(qiáng)度，通常對(duì)一個(gè)試樣而言只計(jì)算相對(duì)累積強(qiáng)度，可用下式結(jié)構(gòu)因數(shù)角因數(shù)為多重性因數(shù)，與HKL面結(jié)構(gòu)相同的面組數(shù)目。由于它們結(jié)構(gòu)相同，d相等，多晶衍射時(shí)反射錐重合在一起，故反射線強(qiáng)度增加到m倍。1/18/202316

H000K000LHHHHH0HK00KLH0LHHLHKL立方6

8

12

24

24

48六方三方

62

612

12

24正方4

2

4

8

8

8

16正交

2

2

2

4

44

8單斜22

2

4

4

2

4三斜

2

2

2

2

2

2

2各晶系的mHKL值1/18/202317為溫度因數(shù)在溫度T下衍射強(qiáng)度與確定零度下衍射強(qiáng)度之比。溫度上升，原子熱振動(dòng)幅度加大，晶體點(diǎn)陣周期性受到破壞，使原嚴(yán)格滿足布拉格條件的衍射產(chǎn)生附加相位差，強(qiáng)度減弱。溫度確定時(shí)，θ愈大，強(qiáng)度降低愈多。為吸取因數(shù)入射線和衍射線均要在試樣中穿行，會(huì)被試樣吸取一部分，使衍射強(qiáng)度下降。其大小與試樣半徑、線吸取系數(shù)、掠射角有關(guān)。掠射角θ愈小，A（θ）愈大。1/18/202318指數(shù)化是定出各衍射線的HKL，對(duì)多數(shù)試驗(yàn)是必要的。方法→嘗試法立方系：令將全部衍射的掠射角正弦平方連比，則則1/18/202319H2+K2+L2HKL簡(jiǎn)單立方體心立方面心立方金剛石結(jié)構(gòu)11001

211022

31113

334200444

52105

621166

7

8220888893002219

103101010

1131111

11111222212

1212

1332013

143211414

立方系各點(diǎn)陣的干涉指數(shù)1/18/202320

六方系：常用圖解法取對(duì)數(shù)隨意二個(gè)面間距的對(duì)數(shù)差1/18/202321△mn只由干涉指數(shù)和軸比c／a確定，與a值本身無(wú)關(guān)。令a為任一值如為100nm，lgdHKL為橫坐標(biāo)，c/a為縱坐標(biāo)。作出各HKL的lgdHKL-c/a曲線，匯合成圖。叫赫耳-戴維圖1/18/2023221.測(cè)θ→求d

2.以大數(shù)N通乘，Nd數(shù)列值在（d標(biāo)尺）橫坐標(biāo)數(shù)限內(nèi)3.將Nd值（按d標(biāo)尺）刻劃在紙條上，刻痕間距是反射面面間距的對(duì)數(shù)差。4.紙條平行橫坐標(biāo)上下左右移動(dòng)，至紙條上全部刻痕均落在圖的曲線上。5.也可求sinθ，乘大數(shù)N，用Nsinθ在紙條上刻劃，紙條首尾掉轉(zhuǎn)后平行移動(dòng)。1/18/2023234.4單晶衍射術(shù)—?jiǎng)诎７?/p>

材料學(xué)中目前仍應(yīng)用的單晶衍射術(shù)，主要用于單晶定向。輻射：連續(xù)X射線，經(jīng)準(zhǔn)直管C成一細(xì)束。樣品：?jiǎn)尉Ч潭ú粍?dòng)。記錄：平板膠片垂直入射線。A為透射，試樣須很薄，線吸取系數(shù)較小，保證足夠的強(qiáng)度。B為背射。A透射B背射衍射花樣：有規(guī)律分布的衍射斑點(diǎn)。透射法斑點(diǎn)：過(guò)入射斑的橢圓、拋物線或雙曲線。背射法斑點(diǎn)：凸向中心的雙曲線，或過(guò)中心的直線。斑點(diǎn)黑度不等，形態(tài)與試樣的物理狀態(tài)有關(guān)。試樣如有殘余應(yīng)力，則斑點(diǎn)將呈放射狀拉長(zhǎng)，甚至模糊、碎化。1/18/202324單晶衍射花樣的形成由于是連續(xù)X射線，單晶中全部晶面均將按布拉格方程反射相應(yīng)波長(zhǎng)的輻射，反射線在膠片上形成各自的勞埃斑點(diǎn)。

設(shè)OZ為任一晶帶軸LUVW，（HKL）為OZ晶帶中的一個(gè)晶面，法線為NHKL，其倒易矢量為gHKL，即gHKL∥NHKL，因而有g(shù)HKL·LUVW＝0

令S0為入射線的單位矢量，與LUVW的夾角為α，S為衍射線的單位矢量，將布拉格矢量式S-S0=λgHKL

兩側(cè)均點(diǎn)乘LUVW，得因而有由于而所以cosα=cosα′即α＝α′1/18/202325透射法背射法

同一晶帶各晶面的衍射線與晶帶軸的夾角α′等于入射線與晶帶軸的夾角α。即同一晶帶各晶面的衍射線分布在以試樣為頂點(diǎn)，晶帶軸為軸，半頂角為α的圓錐面上，入射線的延長(zhǎng)線也在此圓錐上。此圓錐與膠片相交形成的曲線稱晶帶曲線。透射法:過(guò)入射斑的橢圓、拋物線或雙曲線。背射法：凸向中心的雙曲線，或過(guò)中心的直線。晶帶曲線的形態(tài)與晶帶軸和入射線的夾角有關(guān)。1/18/202326α＜45°α＞45°α＝45°α＝90°透射法背射法橢圓拋物線直線雙曲線直線雙曲線接收不到接收不到

同一晶帶中符合衍射條件的晶面是有限的，因而衍射花樣不是連續(xù)的曲線，而是一系列的斑點(diǎn)，過(guò)這些斑點(diǎn)可連成各種曲線。1/18/202327衍射花樣詮釋含義：1、確定花樣中各晶帶軸和晶面在試樣中的取向；2、對(duì)各晶帶軸和晶面指數(shù)化；3、定出試樣外觀的某一選定方向在晶體學(xué)空間的取向。為從膠片定出試樣中各晶帶軸和晶面的取向，必需以試樣外觀某些特定方向?yàn)閰⒄兆鴺?biāo)，定好膠片與試樣的關(guān)系后，再?gòu)哪z片的衍射花樣確定各晶帶軸和晶面的取向。板狀試樣，以板面法線和一個(gè)棱邊為參照系。板面與膠片平行，參照邊豎直放置，與膠片上印痕長(zhǎng)邊一樣。繪制投影圖時(shí)與膠片平行，豎直方向與印痕平行。在入射線方向閱讀膠片。此時(shí)，試樣板面法線的極點(diǎn)位于投影圖中心，參照邊跡點(diǎn)與投影圖N極重合。1/18/202328晶面的取向

設(shè)膠片上斑點(diǎn)P由晶面C反射而成，則入射線O′C，反射線CP和反射面法線CNC共面，O′P為此面與膠片的交線，與豎直方向O′N′的夾角為μ。法線CNC將∠O′CP平分成σ角。σ和μ為法線相對(duì)與膠片的極角和輻角。μ可由膠片中量出，σ可由求出。O′P：衍射斑P至中心的距離，可從膠片上量出。O′C：試樣至膠片的距離。1/18/202329

利用吳氏網(wǎng)可在投影圖上標(biāo)出取向?yàn)椋é遥蹋┚鍯的極點(diǎn)P′。

將投影圖豎直方向N′與吳氏網(wǎng)赤道重合，投影圖逆時(shí)針轉(zhuǎn)過(guò)μ角度，從中心沿赤道外數(shù)σ角度，即為晶面C取向的極點(diǎn)P′。

按此各斑點(diǎn)均可表示在極射赤面投影圖上。1/18/202330晶帶軸的取向

背射法中晶帶軸曲線為雙曲線，或過(guò)中心的直線。F：雙曲線頂點(diǎn)(無(wú)論有無(wú)斑點(diǎn))；Z′FO′：頂點(diǎn)和膠片中心的連線，將雙曲線對(duì)稱中分，與O′N′的夾角為μ，可量出；該帶軸Z在膠片的投影(Z′O′Z″)。α：入射線與帶軸CZ的夾角；CZ和CF夾角；φ：晶帶軸與膠片的夾角，φ＝π/2-α；∠O′CF＝π-2α＝2φ；則O′C：試樣至膠片的距離；O′F：可測(cè)出；故φ可求。1/18/202331

求得φ和μ后，利用吳氏網(wǎng)可在投影圖上標(biāo)出該晶帶曲線對(duì)應(yīng)的晶帶軸的跡點(diǎn)Z。

將投影圖豎直方向N′與吳氏網(wǎng)赤道重合，投影圖逆時(shí)針轉(zhuǎn)過(guò)μ角度，從邊緣沿赤道內(nèi)數(shù)φ角度，即為晶帶軸Z的跡點(diǎn)。

按此其他晶帶曲線對(duì)應(yīng)的晶帶軸跡點(diǎn)均可表示在極射赤面投影圖上。1/18/202332格式網(wǎng)及應(yīng)用為便捷定出背射法上晶帶曲線對(duì)應(yīng)的晶帶軸的φ和μ，固定樣品至膠片距離(D=30mm)，計(jì)算出不同φ值形態(tài)的雙曲線，按頂點(diǎn)至膠片中心的距離繪在同一張圖上。下半部分附一量角器，測(cè)量輻角μ，名為格式網(wǎng)。★確定晶帶軸的φ和μ：

膠片與格式網(wǎng)對(duì)心重合，轉(zhuǎn)動(dòng)膠片，使被測(cè)曲線落在格式網(wǎng)某一曲線上，曲線所對(duì)應(yīng)的值即為φ，網(wǎng)中心線與膠片豎直線間夾角即為μ。投影圖如圖示。1/18/202333★確定原子面的取向σ和μ

膠片與格式網(wǎng)對(duì)心重合，轉(zhuǎn)動(dòng)膠片，使被測(cè)斑點(diǎn)轉(zhuǎn)到格式網(wǎng)中心線上(δ=0)，過(guò)該斑點(diǎn)的雙曲線所對(duì)應(yīng)的值φ即為相應(yīng)晶面的σ，網(wǎng)中心線與膠片豎直線間夾角即為μ。投影圖如圖示1/18/202334指數(shù)化和晶體取向確定晶體取向表示：（1）以晶體外觀的選定方向?yàn)閰⒄兆鴺?biāo)系，標(biāo)出三晶軸的取向；（2）以三晶軸為參照坐標(biāo)系，標(biāo)出晶體外觀選定方向的取向。取向確定并不需全部晶面的極點(diǎn)和晶帶曲線的跡點(diǎn)，一般大于6個(gè)即可。指數(shù)化：用嘗試法，先假定一低指數(shù)晶面或晶帶軸，依據(jù)其與其他晶面或晶帶軸的夾角定出它們的指數(shù)，檢驗(yàn)正確