納米晶應(yīng)變硬化

納米晶金屬的應(yīng)變硬化機(jī)制

匯報(bào)人：虢婷目前很多實(shí)驗(yàn)結(jié)果都證明NC中有低的應(yīng)變硬化，有些材料中更是觀察到了大的應(yīng)變硬化現(xiàn)象，這與我們之前的理論認(rèn)識是矛盾的。

那么，這種現(xiàn)象是怎么形成的呢？一.L-Clock

MD模擬表明NC位錯(cuò)也許會(huì)在晶界發(fā)射和消失而塞積，從而為小應(yīng)變硬化提供了依據(jù)。

NC中有位錯(cuò)塞積的證據(jù)：1.20nm的晶粒中已經(jīng)觀察到位錯(cuò)；2.NC金屬在拉伸應(yīng)力作用下展現(xiàn)出早期頸縮。

是不是傳統(tǒng)的拉伸試驗(yàn)使得NC金屬難以展現(xiàn)應(yīng)變硬化？

它會(huì)不會(huì)發(fā)展成更大的應(yīng)變？

如果存在，在大應(yīng)變下的應(yīng)變硬化是不是位錯(cuò)塞積導(dǎo)致的？

在低溫下以一種承壓方式滾軋電沉積法獲得~20nmNCNi。圖一圖3圖一假定位錯(cuò)塞積是應(yīng)變硬化的主要原因，那是什么引起位錯(cuò)塞積呢?

而Lee等人也通過原位TEM觀察發(fā)現(xiàn)了納米晶Ni中L-C位錯(cuò)鎖的形成及其與孿生界面相互作用圖4L-C位錯(cuò)的形成：

兩個(gè)領(lǐng)先不全位錯(cuò)的反應(yīng)

層錯(cuò)的參與再假定L-C位錯(cuò)鎖在NCNi的應(yīng)變硬化中起著關(guān)鍵作用。試驗(yàn)和MD也驗(yàn)證了這一假設(shè)。孿生位錯(cuò)的互作用不均勻的晶粒尺寸分布（電沉積法)織構(gòu)演變（X射線大于0.1的滾軋應(yīng)變）圖5二.晶粒長大大塑性變形經(jīng)常是在熔點(diǎn)50%以上出現(xiàn)的緩慢應(yīng)變速率。因此，低溫特別是室溫下的大塑性變形就比較有吸引力。電沉積法制備厚度~200微米的NCNi（20nm）圖二圖3方法因素？室溫和高應(yīng)力水平擴(kuò)散蠕變？小晶粒的晶界活動(dòng)？三.形變孿生電子束蒸發(fā)沉積NCPd單片拉伸試驗(yàn)~25nm，包含連的孿晶界。孿生界面作為共格界面，一方面可以阻礙位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)，另一方面又能容納位錯(cuò)的能力。四.其他影響機(jī)制堆積層錯(cuò)能晶粒純凈度臨界晶粒尺度位錯(cuò)平均自由程謝謝！人有了知識，就會(huì)具備各種分析能力，明辨是非的能力。所以我們要勤懇讀書，廣泛閱讀，古人說“書中自有黃金屋。”通過閱讀科技書籍，我們能豐富知識，培養(yǎng)邏輯思維能力；通過閱讀文學(xué)作品，我們能提高文學(xué)鑒賞水平，培養(yǎng)文學(xué)情趣；通過閱讀報(bào)刊，我們