十章常用半導(dǎo)體器件

第一節(jié)

二極管第二節(jié)

三極管第三節(jié)

晶閘管※知識(shí)拓展單結(jié)晶體管第十章

常用半導(dǎo)體器件第十章

常用半導(dǎo)體器件※知識(shí)拓展

場(chǎng)效晶體管及其應(yīng)用本章小結(jié)一、半導(dǎo)體簡(jiǎn)介二、二極管三、二極管單向?qū)щ娦运?、二極管的伏安特性五、二極管的簡(jiǎn)單檢測(cè)六、二極管的主要參數(shù)第一節(jié)

二極管第一節(jié)

二極管一、半導(dǎo)體簡(jiǎn)介（一）自然界中不同導(dǎo)電性能的三種物質(zhì)（二）導(dǎo)電能力差異的原因第一節(jié)?二極管

（一）自然界中不同導(dǎo)電性能的三種物質(zhì)

1．導(dǎo)體：導(dǎo)電性能良好的物質(zhì)，如銀、銅、鐵等。

2．絕緣體：幾乎不能導(dǎo)電的物質(zhì)，如塑料、橡膠、陶瓷等。

3．半導(dǎo)體：導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，如鍺、硅、砷化鎵等。第一節(jié)?二極管（二）導(dǎo)電能力差異的原因根據(jù)半導(dǎo)體的特點(diǎn)，制成多種電子元器件，如二極管、三極管、晶閘管等。物質(zhì)內(nèi)部結(jié)構(gòu)的不同。

1．導(dǎo)體內(nèi)有大量自由電子，自由電子定向運(yùn)動(dòng)形成電流。

2．絕緣體內(nèi)含極少自由電子，表現(xiàn)為絕緣性。

3．半導(dǎo)體導(dǎo)電能力介于二者之間且伴隨摻入雜質(zhì)、輸入電壓（或電流）、溫度和光照等條件發(fā)生很大變化。第一節(jié)?二極管二、二極管（一）二極管的構(gòu)成、電路符號(hào)（二）二極管的分類（三）二極管的命名方法第一節(jié)?二極管

1．構(gòu)成：

（一）二極管的構(gòu)成、電路符號(hào)

2．符號(hào)：VD

P區(qū)引出端為正極（陽(yáng)極），N區(qū)引出端為負(fù)極（陰極），箭頭指示電流方向。二極管結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示。第一節(jié)

二極管第一節(jié)

二極管3．按管芯結(jié)構(gòu)分類：外形如圖所示（二）二極管的分類常見二極管的分類（1）以材料分類：硅二極管和鍺二極管。（2）以PN結(jié)面積大小分類：點(diǎn)接觸型、面接觸型。（3）以用途分類：整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管、光敏二極管、熱敏二極管、發(fā)光二極管等。第一節(jié)

二極管

由五部分組成，各部分意義如圖所示。（三）二極管的命名方法第一節(jié)

二極管

其中，2、3位字母含義如下表所示例如，2BS21的含義：

P型鍺材料隧道二極管。第2位第3位字母意義字母意義字母意義AN型鍺材料P普通管S隧道管BP型鍺材料W穩(wěn)壓管U光電管CN型硅材料Z整流管N阻尼管DP型硅材料K開關(guān)管L整流管第一節(jié)

二極管

實(shí)驗(yàn)1?PN

結(jié)單向?qū)щ娦詫?shí)驗(yàn)三、二極管單向?qū)щ娦远O管正極加高電平（＋），負(fù)極加低電平（－）時(shí)：指示燈發(fā)光，說(shuō)明PN結(jié)導(dǎo)通。二極管正極加低電平（－），負(fù)極加高電平（＋）時(shí)：指示燈滅，PN結(jié)截止。

二極管加正向電壓導(dǎo)通，反向電壓截止，這一導(dǎo)電特性，稱為二極管的單向?qū)щ娦?。第一?jié)

二極管歸納：二極管是用半導(dǎo)體材料制成的單向?qū)щ娦云骷?，電路中的符?hào)如圖所示。它在電子電路中具有廣泛應(yīng)用。二極管的核心就是一個(gè)PN結(jié)。第一節(jié)?二極管四、二極管的伏安特性

實(shí)驗(yàn)

2?二極管正、反向特性實(shí)驗(yàn)

1．正向特性（1）在實(shí)驗(yàn)線路板上安裝如圖所示電路。第一節(jié)?二極管

（2）調(diào)節(jié)電位器RP，可改變二極管VD的正向電壓

UVD

和正向電流

IVD

，得到如圖第一象限所示曲線。第一節(jié)?二極管

2．反向特性

（1）在實(shí)驗(yàn)線路板上安裝如圖所示電路。第一節(jié)?二極管（2）調(diào)節(jié)電位器RP，可改變二極管VD的反向電壓UVD和反向電流IVD

，得到如上圖第三象限所示曲線。圖示曲線即為二極管的伏安特性曲線，它描述了二極管兩端的電壓和流過二極管的電流的關(guān)系。第一節(jié)?二極管（1）正向特性結(jié)論：

①起始階段，正向電壓較小，正向電流極小，稱為死區(qū)，二極管電阻很大，處于截止?fàn)顟B(tài)。

②正向電壓超過門坎電壓或死區(qū)電壓（硅管0.5V，鍺管0.2V），電流隨電壓的上升急劇增大，二極管電阻變得很小，進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，二極管導(dǎo)通后，正向電流與正向電壓呈非線性關(guān)系，正向電流變化較大時(shí)，二極管兩端正向壓降近于定值，硅管正向電壓降約為0.7V，鍺管約為0.3V。第一節(jié)?二極管（2）反向特性

反向擊穿的兩種情況

①起始階段，反向電流很小，不隨反向電壓變化，稱為反向飽和電流（鍺管大于硅管的反向電流）。

②當(dāng)反向電壓增加到某一數(shù)值（反向擊穿電壓）時(shí)，反向電流急劇增大，稱為反向擊穿。第一節(jié)?二極管五、二極管的簡(jiǎn)單檢測(cè)可利用萬(wàn)用表電阻擋判別二極管極性。測(cè)量方法：

1．萬(wàn)用表?yè)艿絉100或Rk

擋。

2．紅、黑表筆分別接二極管兩端。若阻值在幾百到幾千歐時(shí)，再將二極管兩個(gè)電極對(duì)調(diào)位置，如圖所示。若測(cè)得阻值在幾十千歐或幾百千歐以上，則表明二極管是正常的。第一節(jié)?二極管

注意事項(xiàng)：若測(cè)得正、反電阻均較小，說(shuō)明二極管內(nèi)部短路；若正、反阻值均很大，說(shuō)明二極管內(nèi)部開路或接觸不良；若正、反向電阻差別不大，說(shuō)明二極管性能不好。

1．不用R1擋測(cè)二極管，因?yàn)镽1擋內(nèi)部電流較大，容易燒壞二極管。

2．不用R10k擋測(cè)二極管，因?yàn)镽10k擋內(nèi)部電壓較高，可能擊穿管子內(nèi)部的PN結(jié)。第一節(jié)?二極管六、二極管的主要參數(shù)二極管的參數(shù)是反映其性能、質(zhì)量的數(shù)據(jù)。使用時(shí)根據(jù)需要通過在晶體管手冊(cè)選取。

主要參數(shù)：

1．最大整流電流IVM

2．最高反向工作電壓URM指二極管允許承受的反向工作電壓峰值。通常采用二極管反向擊穿電壓的1/2或1/3。

3．反向漏電流

IR

(最大反向電流)在規(guī)定的反向電壓和環(huán)境溫度下測(cè)得的二極管反向電流值。這個(gè)電流值越小，二極管的單向?qū)щ娦阅茉胶?。第一?jié)?二極管一、晶體管的結(jié)構(gòu)二、晶體管的放大作用三、晶體管的三種工作狀態(tài)四、晶體管的主要參數(shù)五、晶體管的管型和管腳判斷第二節(jié)?晶體三極管一、晶體管的結(jié)構(gòu)

1．結(jié)構(gòu)和符號(hào)

（1）結(jié)構(gòu)：

三個(gè)區(qū)對(duì)應(yīng)引出三個(gè)極：

如圖所示第二節(jié)?晶體三極管

（2）符號(hào)發(fā)射極的箭頭表示電流的方向，文字符號(hào)用“V”表示。

NPN型三極管和PNP型三極管的電路符號(hào)如下圖所示。第二節(jié)?晶體三極管

2．晶體管類型按結(jié)構(gòu)分按材料分按功率分按工作頻率分

3．型號(hào)及命名可通過晶體管手冊(cè)查閱。第二節(jié)?晶體三極管二、晶體管的放大作用

1．晶體管的工作電壓晶體管工作在放大狀態(tài)的條件：

如圖所示為NPN型和PNP型晶體管工作在放大狀態(tài)采用的雙電源接線圖。NPN型PNP型第二節(jié)?晶體三極管

（2）注意：

①電源極性：兩種晶體管外接電源的正、負(fù)極相反。

③集射極間反向電壓為幾伏至十幾伏。

②

基、射極之間的正向電壓（偏壓）：

第二節(jié)?晶體三極管

2．晶體管的放大作用實(shí)驗(yàn)電路。第二節(jié)?晶體三極管

操作：調(diào)節(jié)(或改變E1)以改變基極電流IB的大小,記錄每一次測(cè)得的數(shù)據(jù)。次數(shù)電流12345IB/mA00.010.020.030.04IC/mA0.010.561.141.742.33IE/mA0.010.571.161.772.37

（1）直流電流分配關(guān)系：

由于IB<<IC，則IEIC。第二節(jié)?晶體三極管（2）電流放大作用

可見，基極電流的微小變化可引起集電極電流的較大變化，即為晶體管的放大作用，用表示，即

①交流放大系數(shù)，根據(jù)實(shí)驗(yàn)的數(shù)據(jù)有第二節(jié)?晶體三極管

不同的晶體管，值不同，即電流的放大能力不同，一般為20～

200。

②直流電流放大系數(shù)

通常

晶體管的放大作用的意義：基極電流的微小變化引起集電極電流的較大變化，當(dāng)基極電路中輸入一個(gè)小的信號(hào)電流ib，就可以在集電極電路中得到一個(gè)與輸入信號(hào)規(guī)律相同的放大的電流信號(hào)ic。可見，晶體管是一個(gè)電流控制元件。第二節(jié)?晶體三極管三、晶體管的三種工作狀態(tài)

1．除了放大狀態(tài)（工作在模擬電路中）以外，還有兩種工作狀態(tài)即截止?fàn)顟B(tài)和飽和狀態(tài)（工作在脈沖數(shù)字電路中）。第二節(jié)?晶體三極管

（1）截止?fàn)顟B(tài)故晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)的條件：發(fā)射結(jié)反偏（或零偏），集電結(jié)反偏。

低于發(fā)射結(jié)的死區(qū)電壓時(shí)，IB=0，此時(shí)IC

0，稱為穿透電流，但很小，可以認(rèn)為IC=ICEO

0。晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，c、e間呈現(xiàn)很大電阻，相當(dāng)于斷開，此時(shí)UCE

E2。

判斷方法：用萬(wàn)用表的直流電壓擋測(cè)三極管各管腳的電位，有VC>VB，VB≤VE（NPN管，PNP管正好相反）。第二節(jié)?晶體三極管

（2）放大狀態(tài)

UBE

大于死區(qū)電壓，IB>0，集電極電流IC

受IB

控制，即

或

晶體管處于放大狀態(tài)的條件是：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，即VC>VB>VE（NPN管，PNP管正好相反）

。第二節(jié)?晶體三極管

（3）飽和狀態(tài)基極電流IB

不斷增大，當(dāng)IB增大到一定數(shù)值時(shí)，IC不再隨IB增加而增大，晶體管輸出回路有

當(dāng)IC隨IB增大而增大時(shí)，UCE逐漸下降，由于UCE的下降有一定的限度，所以IC的增加也是有一定限度的。假設(shè)UCE=0，那么IC達(dá)到最大，即，IC不再隨IB

增大了。這就是飽和狀態(tài)，此時(shí)IB失去了對(duì)IC的控制作用。集電極和發(fā)射極之間相當(dāng)于短路或認(rèn)為是一個(gè)導(dǎo)通開關(guān)。

晶體管處于飽和狀態(tài)的條件：集電結(jié)、發(fā)射結(jié)處于正偏狀態(tài)，VB>VE，VB>VC（NPN管，PNP管正好相反）

。

第二節(jié)?晶體三極管四、晶體管的主要參數(shù)通常取值在60

～

100之間。

2．穿透電流

ICEO

1．電流放大系數(shù)或。

共發(fā)射極交流和直流放大系數(shù)

（1）定義：基極開路IB=0時(shí)，集電極和發(fā)射極之間的反向電流ICEO稱為穿透電流。

（2）特點(diǎn)：①

ICEO隨溫度升高而增大。②

ICEO越小，管子的性能越好。

（3）應(yīng)用：ICEO越小，管子的性能越好。第二節(jié)?晶體三極管

3．集電極最大允許電流ICM。

（1）定義：晶體管正常工作時(shí)集電極所允許的最大電流稱為集電極最大允許電流ICM

。

（2）特點(diǎn)：IC增大，

開始下降，直到IC超過了ICM

，就下降到不允許的程度了。

（3）應(yīng)用：IC<ICM第二節(jié)?晶體三極管

4．反向擊穿電壓UCEO

（1）定義：基極開路時(shí)，加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓。（2）應(yīng)用：UCE<UCEO

，否則三極管擊穿。

5．集電極最大耗散功率PCM（1）定義：晶體管正常工作時(shí)，集電結(jié)允許的最大耗散功率為集電極最大耗散功率。小功率管：PCM

≤

1W；大功率管：PCM

1W。（2）特點(diǎn)：當(dāng)實(shí)際功率超過PCM，晶體管會(huì)因工作溫度過高而損壞。大功率管的PCM值是在常溫下并帶有散熱器的數(shù)值。第二節(jié)?晶體三極管五、晶體管的管型和管腳的判斷利用萬(wàn)用表來(lái)測(cè)試晶體管的各個(gè)管腳。

1．判定晶體管的基極和管型（1）測(cè)試原則：依據(jù)PN結(jié)正向電阻小，反向電阻大的特點(diǎn)。利用萬(wàn)用表的電阻擋來(lái)判斷基極和管型。第二節(jié)?晶體三極管

①萬(wàn)用表?yè)苤翚W姆擋R100或R1k擋。

②黑表筆（內(nèi)接電池正極）接晶體管假想的基極，用紅表筆（內(nèi)接電池負(fù)極）接其余兩只管腳，若兩次測(cè)量阻值都很小，則黑表筆接的是基極，且管型為NPN型；若紅表筆接假想的基極重復(fù)上述步驟，有相同結(jié)果，則紅表筆接的是基極，且管型為PNP型。（2）測(cè)試方法如圖所示：第二節(jié)?晶體三極管

2．判定集電極和發(fā)射極

（1）測(cè)試方法如圖所示

①判定基極后，假設(shè)其余兩只管腳中的一只為集電極c，在b、c之間接入一個(gè)電阻Rb（10～100k），或用手捏兩極以代替。

②用手指捏住基極b和假定的集電極c（兩極不能接觸），用黑表筆接觸c極，紅表筆接觸e極，測(cè)出一個(gè)數(shù)值。

以NPN型管為例第二節(jié)?晶體三極管

③將假定兩極對(duì)調(diào)，以同樣方法再次測(cè)出一個(gè)數(shù)值。

④比較兩次讀數(shù)大小，讀數(shù)較小的即電流較大的一次假設(shè)為正確。第二節(jié)?晶體三極管第三節(jié)

晶閘管一、單向晶閘管二、雙向晶閘管

晶閘管又稱硅可控整流元件，俗稱可控硅。為控制強(qiáng)電的半導(dǎo)體器件，即為控制開關(guān)元件；廣泛應(yīng)用于無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)電路及可控整流設(shè)備中。晶閘管有單向晶閘管和雙向晶閘管兩種類型。第三節(jié)?晶閘管一、單向晶閘管（一）單向晶閘管的外形、結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)（二）單向晶閘管的特點(diǎn)及工作原理（三）單向晶閘管的主要參數(shù)第三節(jié)?晶閘管晶閘管由P1、N1、P2、N2四層半導(dǎo)體組成，從P1引出的是陽(yáng)極A，從N2引出的是陰極K，控制極G從P2引出，顯然有三個(gè)PN結(jié)，分別用J1、J2、J3表示。（一）單向晶閘管的外形、結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)第三節(jié)?晶閘管

1．步驟：?jiǎn)蜗蚓чl管很像一只二極管，但比二極管多了一個(gè)控制極G，它的導(dǎo)通可以控制。（二）單向晶閘管的特點(diǎn)及工作原理實(shí)驗(yàn)10－1?晶閘管導(dǎo)電實(shí)驗(yàn)（1）按圖所示，在電路板上接好電路圖。第三節(jié)?晶閘管（2）合上S1，斷開S2，此時(shí)，燈亮/不亮。（3）將S1合上，S2也合上，此時(shí)，燈亮/不亮。（4）將S2斷開，燈熄滅/不熄滅。（5）斷開S1，此時(shí)，燈熄滅。（6）將晶閘管反接，無(wú)論S1、S2斷開還是閉合，燈總是不亮/亮。（不亮）（亮）（不熄滅）（不亮）第三節(jié)?晶閘管（2）晶閘管導(dǎo)通后，降低或去掉控制極電壓時(shí)，晶閘管仍然導(dǎo)通（UGK失效）。2．實(shí)驗(yàn)結(jié)論：（1）導(dǎo)通條件：①晶閘管A、K之間正向偏壓。②晶閘管G、K之間也必須正向偏壓。（3）導(dǎo)通后的晶閘管要關(guān)斷時(shí)，必須減小其陽(yáng)極電流，使其小于晶閘管的某一個(gè)電流值。第三節(jié)?晶閘管3．工作原理（1）晶閘管具有弱電觸發(fā)信號(hào)控制強(qiáng)電（IAK）的作用。①可視為由NPN晶體管和PNP晶體管組成。（2）單向晶閘管的特點(diǎn)是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)決定，從等效電路中可知，②A和K之間加正向電壓，V1、V2不導(dǎo)通，晶閘管關(guān)斷。第三節(jié)?晶閘管③G和K之間加正向電壓，V1的基極上加上正向電壓，產(chǎn)生基極電流Ig，電流經(jīng)V1在V1的集電極上就產(chǎn)生Ig

的電流，Ig

是V2的基極電流，在V2的集電極的電流達(dá)12

Ig

，再反饋到V1作基極電流。如此反復(fù)，劇烈正反饋過程使晶閘管陽(yáng)極和陰極間完全導(dǎo)通。去掉UGK后，V1和V2仍然保持導(dǎo)通狀態(tài)。晶閘管導(dǎo)通時(shí)，總壓降約為1V左右。第三節(jié)?晶閘管（1）額定正向平均電流（2）維持電流（三）單向晶閘管的主要參數(shù)定義：在規(guī)定的環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陽(yáng)極和陰極之間的電流平均值。定義：在規(guī)定的環(huán)境溫度、控制極斷開的條件下，保證晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)所需要的最小正向電流，一般為幾毫安至幾十毫安。第三節(jié)?晶閘管定義：在環(huán)境溫度及一定的正向電壓條件下，使晶閘管從關(guān)斷到導(dǎo)通，控制極所需的最小正向電壓和電流。一般情況下，小功率晶閘管觸發(fā)電壓約為1V左右，觸發(fā)電流零點(diǎn)幾毫安至幾毫安，中功率以上晶閘管觸發(fā)電壓約為幾伏至幾十伏，電流為幾毫安至幾百毫安。（3）控制極觸發(fā)電壓和電流第三節(jié)?晶閘管（4）正向轉(zhuǎn)折電壓這是安全工作的最大電壓，一般晶閘管的額定電壓就是指峰值電壓?？刂茦O關(guān)斷，使晶閘管擊穿的陽(yáng)極和陰極所加的電壓。（5）反向阻斷峰值電壓第三節(jié)?晶閘管二、雙向晶閘管（一）雙向晶閘管的外形、結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)（二）雙向晶閘管的導(dǎo)電特性及特點(diǎn)（三）雙向晶閘管的檢測(cè)第三節(jié)?晶閘管（一）雙向晶閘管的外形、結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)(a)雙向晶閘管實(shí)物

(b)電路圖形符號(hào)(a)雙向晶閘管實(shí)物(b)電路圖形符號(hào)雙向晶閘管是一種新型的半導(dǎo)體三端器件，它具有相當(dāng)于兩個(gè)單向晶閘管反向并聯(lián)工作的作用。如圖所示為雙向晶閘管的實(shí)物和電路圖形符號(hào)。符號(hào)中的T1、T2稱為兩個(gè)主電極，無(wú)所謂陽(yáng)極和陰極之分，其中T1稱為第一主電極，T2稱為第二主電極，G仍為控制極。第三節(jié)?晶閘管

1．導(dǎo)電特性在雙向晶閘管第一主電極和第二主電極之間加上合適的工作電壓后，若控制極加正極性觸發(fā)信號(hào)，雙向晶閘管導(dǎo)通，電流方向是從T2流向T1；若控制極加負(fù)極性觸發(fā)信號(hào)，雙向晶閘管也導(dǎo)通，電流方向從T1流向T2。由此可見，雙向晶閘管控制極G上的觸發(fā)脈沖極性改變時(shí)，就可以控制其導(dǎo)通電流的方向。加在控制極G上的觸發(fā)脈沖的大小或時(shí)間改變時(shí)，就能改變其導(dǎo)通電流的大小。與單向晶閘管的區(qū)別是，雙向晶閘管G極上觸發(fā)脈沖的極性改變時(shí)，其導(dǎo)通方向就隨著極性的變化而改變，從而能夠控制交流電負(fù)載。而單向晶閘管經(jīng)觸發(fā)后只能從陽(yáng)極向陰極單方向?qū)ǎ跃чl管有單雙向之分。（二）雙向晶閘管的導(dǎo)電特性及特點(diǎn)第三節(jié)?晶閘管

2．雙向晶閘管的特點(diǎn)可控的雙向?qū)щ婇_關(guān)。阻斷→導(dǎo)通的條件：第二主電極（T2）和控制極（G）相對(duì)于第一主電極（T1）的電壓同為正或同為負(fù)（即和同為正偏或反偏）。導(dǎo)通→阻斷的條件：或。導(dǎo)通后控制極失去控制作用。

第三節(jié)?晶閘管（三）雙向晶閘管的檢測(cè)

項(xiàng)目1：直觀識(shí)別雙向晶閘管的管腳雙向晶閘管的管腳多數(shù)是按第一主電極（T1）、第二主電極（T2）、控制極（G）的順序從左至右排列（電極管腳向下，面對(duì)有字符的一面時(shí)）。如右圖所示。項(xiàng)目2：萬(wàn)用表判斷雙向晶閘管的管腳將萬(wàn)用表?yè)苤岭娮钃鮎×1Ω擋，調(diào)零。分別測(cè)量任意兩只管腳的電阻，出現(xiàn)小電阻時(shí)，沒有與表筆相連的管腳是第二主電極T2。假設(shè)余下的兩只管腳中的一只為控制極G，另一只為T1，黑表筆接T2，紅表筆接假設(shè)的T1，短接T2和G，如果表針偏轉(zhuǎn)，說(shuō)明假設(shè)正確；如果表針不動(dòng)，說(shuō)明假設(shè)錯(cuò)誤，重新假設(shè)后重復(fù)上述操作。第三節(jié)?晶閘管項(xiàng)目3：雙向晶閘管的性能檢測(cè)

1.萬(wàn)用表?yè)苤岭娮钃鮎×1擋，調(diào)零。兩表筆分別接第一主電極與第二主電極，表針不動(dòng)或微動(dòng)為正常，調(diào)換兩表筆再測(cè)，表針不動(dòng)或微動(dòng)為正常。

2.黑表筆接第一主電極，紅表筆接第二主電極，將控制極與第二主電極短路一下后離開，萬(wàn)用表應(yīng)保持幾十歐以下的讀數(shù)；調(diào)換兩表筆，再次將控制極與第二主電極短路一下后離開，萬(wàn)用表也應(yīng)保持在幾十歐以下的讀數(shù)。對(duì)于小功率雙向晶閘管，按以上方法測(cè)量，若雙向晶閘管一直保持高阻值，則表明此管無(wú)法觸發(fā)導(dǎo)通，管子已損壞。對(duì)于中、大功率雙向晶閘管，按以上方法測(cè)量，若雙向晶閘管一直保持高阻值，則有可能是萬(wàn)用表提供的電流小于晶閘管的維持電流，所以晶閘管不能觸發(fā)導(dǎo)通。

第三節(jié)?晶閘管

1．結(jié)構(gòu)及符號(hào)晶閘管的導(dǎo)通還必須在控制極加正向觸發(fā)電壓，提供正向觸發(fā)電壓的電路稱為觸發(fā)電路。在這里常用脈沖電壓作為觸發(fā)電壓。※知識(shí)拓展?單結(jié)晶體管

2．組成：（2）一個(gè)結(jié)：PN結(jié)故稱單結(jié)晶體管或雙基極二極管。（1）

3．型號(hào)：有BT31、BT32、BT33、BT35等?！R(shí)拓展

單結(jié)晶體管

4．等效電路分析：

（1）等效電路

Rb1——e與b1之間的電阻，它隨發(fā)射極電流而變，即ieRb1。

Rb2——e與b2之間的電阻，它與ie

無(wú)關(guān)。

Rbb——兩基極間的電阻，且Rbb=Rb1+Rb2。

——Rb1與Rb2的比值稱為分壓比，=Rb1/Rb2（一般取值0.3～0.8之間）。

E1——是加在b2上的正向電壓。

E2——是加在e上的正向電壓。

VD——e與b1之間的PN結(jié)?！R(shí)拓展

單結(jié)晶體管（2）若E2

很低，VD反偏截止；當(dāng)E2

上升至某數(shù)值，VD導(dǎo)通，Rb1突然下降，與此同時(shí)，e與b1之間趨向?qū)ǎ▎谓Y(jié)晶體管導(dǎo)通）。

(VD

為PN結(jié)的正向壓降，可取0.7V)

（4）應(yīng)用：可通過改變E2

的大小，來(lái)控制單結(jié)晶體管的導(dǎo)通與截止，從而在b1

輸?shù)玫矫}沖電壓。（3）導(dǎo)通條件：※知識(shí)拓展

單結(jié)晶體管一、場(chǎng)效晶體管的外形、符號(hào)、分類※知識(shí)拓展

場(chǎng)效晶體管及其應(yīng)用二、場(chǎng)效晶體管的放大作用三、場(chǎng)效晶體管的主要參數(shù)四、場(chǎng)效晶體管的特點(diǎn)五、場(chǎng)效晶體管的應(yīng)用

1．外形和電路符號(hào)一、場(chǎng)效晶體管的外形、符號(hào)、分類文字符號(hào)用V表示?！R(shí)拓展

場(chǎng)效應(yīng)管及其應(yīng)用

2．結(jié)構(gòu):

3．分類※知識(shí)拓展

場(chǎng)效應(yīng)管及其應(yīng)用

1．場(chǎng)效晶體管是電壓控制的器件（晶體管是電流控制的器件）。

2．場(chǎng)效晶體管可以使輸出端工作于導(dǎo)通、截止和放大三種狀態(tài)。

3．如圖所示為場(chǎng)效晶體管共源極（相當(dāng)于晶體管的共射極）放大電路。二、場(chǎng)效晶體管的放大作用※知識(shí)拓展

場(chǎng)效應(yīng)管及其應(yīng)用

R1

和RS——場(chǎng)效晶體管的直流偏置電阻，產(chǎn)生靜態(tài)輸出電流ID。

ID——靜態(tài)輸出電流，IS=ID。

UGS——靜態(tài)柵偏壓UGS

=UG-US=0-ISRS=-IDRS。調(diào)整RS

可改變UGS，使場(chǎng)效晶體管工作于放大區(qū)。所以上圖稱為自偏壓放大電路。

CS——交流旁路電容，相當(dāng)于共射放大電路中的Ce。

C1、C2——分別為輸入端、輸出端耦合電容。

RD——漏極電阻，將交流輸出電流轉(zhuǎn)換成交流輸出信號(hào)電壓。※知識(shí)拓展

場(chǎng)效應(yīng)管及其應(yīng)用在輸入信號(hào)ui

的作用下，電路進(jìn)入動(dòng)態(tài)。改變ui

使管子的柵源偏壓ugs

發(fā)生較大變化，變化的電流通過負(fù)載，從而得到輸出。負(fù)號(hào)表示輸出與輸入反相?！R(shí)拓展

場(chǎng)效應(yīng)管及其應(yīng)用（1）跨導(dǎo)gm

gm

越大，場(chǎng)效晶體管的放大能力越強(qiáng)。

（2）夾斷電壓UP或開啟電壓UT當(dāng)UGS

為定值，ID=0，UGS

的值為夾斷電壓UP，場(chǎng)效晶體管開始導(dǎo)通時(shí)的UGS

值稱為開啟電壓UT。三、場(chǎng)效晶體管的主要參數(shù)※知識(shí)拓展

場(chǎng)效應(yīng)管及其應(yīng)用（3）飽和電流IDSS管子用作放大時(shí)的最大輸出電流。該值越大，表明信號(hào)動(dòng)態(tài)范圍越大。（4）漏源極間穿透電壓U(BR)DS指漏極和源極開始雪崩擊穿，ID

恒流值急劇增加時(shí)的UDS值。（5）最大耗散功率PDM這是ID與UDS的最大積的允許值，否則將燒壞管子?！R(shí)拓展

場(chǎng)效應(yīng)管及其應(yīng)用與晶體管比較有以下特點(diǎn)：（1）控制方式是電壓控制，即UGS

控制ID。（2）其放大參數(shù)是跨導(dǎo)gm，且gm一般在1～5mS。（3）輸入電阻很大，一般在105

～107

。（4）工作噪聲小，穩(wěn)定性好，抗輻射能力強(qiáng)。（5）制作工藝簡(jiǎn)單。四、場(chǎng)效晶體管的特點(diǎn)※知識(shí)拓展

場(chǎng)效應(yīng)管及其應(yīng)用

1．應(yīng)用范圍集成電路中用得很多，CMOS系列均表示場(chǎng)效晶體管。

2．場(chǎng)效晶體管作為恒流二極管，應(yīng)用于穩(wěn)壓電路和集成電路。五、場(chǎng)效晶體管的應(yīng)用※知識(shí)拓展

場(chǎng)效應(yīng)管及其應(yīng)用

3．VMOS管（