標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 11094-1989 水平法砷化鎵單晶及切割片》是一項中國國家標(biāo)準(zhǔn)，發(fā)布于1989年，旨在規(guī)定水平生長法制備的砷化鎵（GaAs）單晶及其切割片的質(zhì)量要求、測試方法和檢驗規(guī)則。以下是該標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容概述：

  1. 范圍：本標(biāo)準(zhǔn)適用于采用水平法生長技術(shù)制備的砷化鎵單晶及其切割片，明確了這些材料的適用范圍和基本要求。

  2. 術(shù)語和定義：標(biāo)準(zhǔn)首先界定了相關(guān)專業(yè)術(shù)語，確保讀者對砷化鎵單晶及切割片的基本概念有清晰理解。

  3. 分類和標(biāo)記：規(guī)定了砷化鎵單晶及切割片的分類方法，包括按純度、尺寸、用途等進(jìn)行區(qū)分，并要求產(chǎn)品應(yīng)有明確的標(biāo)識信息，以便于追溯和使用。

  4. 技術(shù)要求：

    • 化學(xué)成分：詳細(xì)說明了砷化鎵單晶中主元素及雜質(zhì)元素的最大允許含量，確保材料的電學(xué)和光學(xué)性能。
    • 物理性質(zhì)：包括晶體結(jié)構(gòu)、電阻率、載流子濃度、晶向、直徑、厚度等參數(shù)的規(guī)范要求。
    • 表面質(zhì)量與缺陷：規(guī)定了單晶表面應(yīng)達(dá)到的光潔度標(biāo)準(zhǔn)，以及內(nèi)部缺陷如位錯、夾雜物的允許程度。

  5. 試驗方法：詳細(xì)描述了如何通過各種檢測手段（如X射線衍射、掃描電子顯微鏡、霍爾效應(yīng)測量等）來測定砷化鎵單晶及切割片的上述各項技術(shù)指標(biāo)，確保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。

  6. 檢驗規(guī)則：制定了產(chǎn)品出廠前的檢驗流程、抽樣方案及合格判定準(zhǔn)則，確保每批產(chǎn)品的質(zhì)量符合標(biāo)準(zhǔn)要求。

  7. 標(biāo)志、包裝、運輸和儲存：規(guī)定了砷化鎵單晶及切割片的包裝方式、標(biāo)志內(nèi)容、運輸注意事項及適宜的儲存條件，以防止在流轉(zhuǎn)過程中受到損害。


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  • 1989-03-31 頒布
  • 1990-03-01 實施
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DS.661.868.146-415H81中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB11094—89水平法砷化單晶及切割片Boat-growngalliumarsenidesingleCrystalsandAs-cutslices1989-03-31發(fā)布1990-03-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)水平法神化家單晶及切割片GB11094-89Boat-growngaliumarsenidesinglecrystalandAs-cutslicea1主題內(nèi)客與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了水平法神化家單品及切割片的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗方法和檢驗規(guī)則等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于水平法制備的砷化鏢單晶及其切割片。產(chǎn)品供制作光電器件、徽波器件和傳感元件等元器件用。2引用標(biāo)準(zhǔn)GB4326非本征半導(dǎo)體單品蛋爾遷移率和蛋爾系數(shù)測量方法GB8759化合物半導(dǎo)體單晶晶向×射線衍射測量方法GB8760神化驚單品位錯密度測量方法3產(chǎn)品分類3.1導(dǎo)電類型產(chǎn)品按導(dǎo)電類型分為N型和P型，按電阻率分為低阻導(dǎo)電型和高阻半絕緣型。以摻雜劑、載流子濃度和遷移率分類，按位錯密度分級。3.2牌號單品及切割片的牌號分別表示為：HBMORAS--口阿拉伯?dāng)?shù)字與羅馬數(shù)字組合表示產(chǎn)品等級與等次化學(xué)元素符號表示摻雜劑。有兩種摻雜劑時，元素符號之間用“十”連接水平法神化緣單品中國有色會具

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