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文檔簡(jiǎn)介
preparation(硅片準(zhǔn)備)
(硅片制造)
(硅片測(cè)試和揀選)
(裝配和封裝)
test(終測(cè))
不同晶向的硅片，它的化學(xué)、電學(xué)、和機(jī)械性質(zhì)都不同，這會(huì)影響最終的器
雙極集成電路通常用（111）晶面或<111>晶向。
氧化方式及其化學(xué)反應(yīng)式：①干氧氧化：Si＋O2
硅的氧化溫度：750
Na＋、K＋離子，來(lái)源于工藝中的化學(xué)試劑、器皿和各
As）。
④硅片晶向：<111>硅單晶的氧化速率比<100>稍快
通常的退火溫度：＞950℃，時(shí)間：30
RTP，在較短的時(shí)間（10
注入；⑨超淺結(jié)注入；⑩絕緣體上的硅（SOI）中的氧注入。
④輕摻雜漏區(qū)（LDD）注入：減小最大電場(chǎng)，增強(qiáng)抗擊穿和熱載流子能力。
數(shù)值孔徑（NA）
sin
透鏡半徑m 透鏡焦長(zhǎng)
分辨率（R）
0.6～0.8；λ為光源的波長(zhǎng)；NA
焦深（DOF）
0.1%，因而需要較多的氣體以產(chǎn)生足
系統(tǒng)（APCVD）體）。
系統(tǒng)（LPCVD）
Poly－Si
Poly－Si
Poly－Si
Poly－Si
多晶電阻及橋聯(lián)；③PIP
Al）更高的可靠性；⑤在陡峭的結(jié)構(gòu)上沉
缺點(diǎn)：濺射速率低,
在純鋁和硅的界面加熱合金化過(guò)程中（450～500℃）
TiSi2、CoSi2
Polish）是通過(guò)化學(xué)反應(yīng)和機(jī)械研磨相結(jié)合的方法對(duì)表面起伏的硅
3.0μm
阱區(qū)→N
隔離工藝:墊氧氧化→氮化硅沉積→光刻有源區(qū)→光刻
管源漏區(qū)→NMOS
管源漏區(qū)→PMOS
⑤金屬互連的形成：BPSG
沉積→回流/增密→光刻接觸孔→濺射
0.18μm
工藝；⑤側(cè)墻形成工藝；⑥源/漏（S/D）注入工藝；⑦接觸形成工藝
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