標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 17473.4-2008 微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法 附著力測(cè)定》與《GB/T 17473.4-1998 厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法 附著力測(cè)定》相比,主要存在以下幾點(diǎn)差異和更新:

  1. 適用范圍調(diào)整:2008版標(biāo)準(zhǔn)不僅涵蓋了厚膜微電子技術(shù)領(lǐng)域,還擴(kuò)展到了更廣泛的微電子技術(shù)應(yīng)用中,意味著其適用范圍更加廣泛,包括了新興的微電子技術(shù)對(duì)貴金屬漿料附著力測(cè)試的需求。

  2. 技術(shù)內(nèi)容更新:新版標(biāo)準(zhǔn)可能根據(jù)過(guò)去十年間微電子技術(shù)的發(fā)展,引入了新的測(cè)試技術(shù)和方法,以更準(zhǔn)確地評(píng)估貴金屬漿料的附著力性能。這可能涉及到測(cè)試儀器的精度提升、測(cè)試程序的優(yōu)化或新增檢測(cè)指標(biāo)等。

  3. 測(cè)試條件和步驟細(xì)化:2008版標(biāo)準(zhǔn)可能對(duì)測(cè)試環(huán)境(如溫度、濕度)、試樣制備、加載方式及速率等具體操作步驟進(jìn)行了更為詳細(xì)的規(guī)定,以提高測(cè)試結(jié)果的可重復(fù)性和準(zhǔn)確性。

  4. 計(jì)量單位和術(shù)語(yǔ)標(biāo)準(zhǔn)化:隨著國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的更新,新標(biāo)準(zhǔn)可能采用了最新的計(jì)量單位和術(shù)語(yǔ)定義,確保與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的一致性,便于國(guó)際交流與合作。

  5. 安全和環(huán)保要求:考慮到環(huán)境保護(hù)和操作人員安全的重要性日益增長(zhǎng),2008版標(biāo)準(zhǔn)可能增加了關(guān)于測(cè)試過(guò)程中安全操作規(guī)程和環(huán)境保護(hù)措施的相關(guān)內(nèi)容。

  6. 數(shù)據(jù)處理和結(jié)果判定:在數(shù)據(jù)分析和結(jié)果判定方面,新標(biāo)準(zhǔn)可能引入了更科學(xué)的數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)方法和更明確的合格判定準(zhǔn)則,幫助用戶更高效、準(zhǔn)確地理解和應(yīng)用測(cè)試結(jié)果。

這些變化體現(xiàn)了標(biāo)準(zhǔn)隨技術(shù)進(jìn)步和行業(yè)需求變化而進(jìn)行的適時(shí)更新,旨在為微電子技術(shù)領(lǐng)域的貴金屬漿料附著力測(cè)試提供更精確、全面的指導(dǎo)。


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  • 正在執(zhí)行有效
  • 2008-03-31 頒布
  • 2008-09-01 實(shí)施
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GB/T 17473.4-2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法附著力測(cè)定_第1頁(yè)
GB/T 17473.4-2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法附著力測(cè)定_第2頁(yè)
GB/T 17473.4-2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法附著力測(cè)定_第3頁(yè)
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犐犆犛77.120.99

犎68

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅/犜17473.4—2008

代替GB/T17473.4—1998

微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法

附著力測(cè)定

犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱狊狅犳狆狉犲犮犻狅狌狊犿犲狋犪犾狊狆犪狊狋犲狊狌狊犲犱犳狅狉犿犻犮狉狅犲犾犲犮狋狉狅狀犻犮狊—

犇犲狋犲狉犿犻狀犪狋犻狅狀狅犳犪犱犺犲狊犻狅狀

20080331發(fā)布20080901實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書(shū)

犌犅/犜17473.4—2008

前言

本標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)GB/T17473—1998《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法》(所有部分)的整合修

訂,分為7個(gè)部分:

———GB/T17473.1—2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法固體含量測(cè)定;

———GB/T17473.2—2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法細(xì)度測(cè)定;

———GB/T17473.3—2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法方阻測(cè)定;

———GB/T17473.4—2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法附著力測(cè)試;

———GB/T17473.5—2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法粘度測(cè)定;

———GB/T17473.6—2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法分辨率測(cè)定;

———GB/T17473.7—2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法可焊性、耐焊性測(cè)定。

本部分為GB/T17473—2008的第4部分。

本部分代替GB/T17473.4—1998《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法附著力測(cè)定》。

本部分與GB/T17473.4—1998相比,主要有如下變動(dòng):

———將原標(biāo)準(zhǔn)名稱修改為:微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法附著力測(cè)定;

———將原標(biāo)準(zhǔn)中去除“非貴金屬電子漿料附著力測(cè)定也可參照本標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行”內(nèi)容;

———增加了SnAg3.0Cu0.5焊料用于無(wú)鉛導(dǎo)體焊接;

———用隧道燒結(jié)爐取代原標(biāo)準(zhǔn)中的帶式爐;

———增加了無(wú)鉛焊料的溫度控制。

本部分由中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出。

本部分由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。

本部分由貴研鉑業(yè)股份有限公司負(fù)責(zé)起草。

本部分主要起草人:劉繼松、陳嶠、趙玲、陳伏生、劉成、朱武勛、李晉。

本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:

———GB/T17473.4—1998。

書(shū)

犌犅/犜17473.4—2008

微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法

附著力測(cè)定

1范圍

本部分規(guī)定了微電子技術(shù)用貴金屬漿料附著力的測(cè)試方法。

本部分適用于微電子技術(shù)用貴金屬漿料附著力的測(cè)定。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過(guò)本部分的引用而成為本部分的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有

的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本部分,然而,鼓勵(lì)根據(jù)本部分達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本部分。

GB/T8170數(shù)值修約規(guī)則

3方法原理

將銅線焊接在陶瓷基片上印燒好的貴金屬漿料膜層圖形上,銅線垂直于基片表面彎折90°后,置于

拉力試驗(yàn)機(jī)上,以一定的速度均勻地從基片上拉脫引線,用引線拉脫時(shí)力的平均值來(lái)表示漿料的附

著力。

4材料

4.1Al2O3純度不小于95%的陶瓷基片,其表面粗糙度范圍為0.5μm~1.5μm(在測(cè)量距離為10mm

的條件下測(cè)量)。

4.2HLSn63PbA或HLSn63PbB錫鉛焊料;HLSn63PbAgA或HLSn63PbAgB錫鉛銀焊料;SnAg3.0Cu0.5

無(wú)鉛焊料。

4.3引線為直徑0.8mm±0.02mm的鍍錫銅線。

4.4容量不小于150mL的焊料槽。

4.5助焊劑:松香酒精溶液,質(zhì)量濃度為0.15g/mL~20g/mL。

5儀器與設(shè)備

5.1拉力試驗(yàn)機(jī):量程為0N~100N,測(cè)量與記錄所施加拉力的精確度應(yīng)達(dá)到±5%。

5.2絲網(wǎng)印刷機(jī),孔徑為74μm絲網(wǎng)。

5.3隧道燒結(jié)爐,最高使用溫度為1000℃,控溫精度為±10℃。

5.4測(cè)厚儀:精度為1μm。

6測(cè)定步驟

在溫度15℃~35℃、相對(duì)濕度45%~75%,大氣壓力86kPa~106kPa條件下進(jìn)行測(cè)定。

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