GB/T 17626.22-2017電磁兼容試驗和測量技術(shù)全電波暗室中的輻射發(fā)射和抗擾度測量

ICS33100

L06.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T1762622—2017/IEC61000-4-222010

.:

電磁兼容試驗和測量技術(shù)

全電波暗室中的輻射發(fā)射和抗擾度測量

ElectromaneticcomatibilitEMC—Testinand

gpy()g

measurementtechniques—Radiatedemissionsandimmunity

measurementsinfullanechoicroomsFARs

y()

[IEC61000-4-22:2010,Electromagneticcompatibility(EMC)—

Part4-22:Testingandmeasurementtechniques—Radiatedemissions

andimmunitymeasurementsinfullyanechoicrooms(FARs),IDT]

2017-12-29發(fā)布2018-07-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T1762622—2017/IEC61000-4-222010

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

應(yīng)用測量的被測量

4FAR………………3

輻射抗擾度試驗的被測量

4.1…………3

輻射發(fā)射測量的被測量

4.2……………3

場地確認(rèn)校準(zhǔn)程序

5FAR/………………3

概述

5.1…………………3

場地確認(rèn)校準(zhǔn)的配置

5.2FAR/………………………3

試驗設(shè)備和設(shè)施的基本特性

5.3………………………7

概述

5.3.1……………7

試驗空間

5.3.2………………………7

寬帶天線

5.3.3………………………7

天線的連接電纜

5.3.4………………7

試驗臺桌

5.3.5/………………………7

轉(zhuǎn)臺

5.3.6……………7

天線極化自動變換器

5.3.7…………7

吸波材料布置

5.3.8…………………7

確認(rèn)程序所確定的量的定義

5.4FAR…………………7

確認(rèn)時的取樣位置

5.5FAR……………8

確認(rèn)程序

5.6FAR………………………9

概述

5.6.1……………9

配置類型的確認(rèn)

5.6.21……………10

配置類型的確認(rèn)

5.6.32……………10

配置類型的確認(rèn)

5.6.43……………10

配置類型的確認(rèn)

5.6.54……………11

所有配置類型的C和sC的計算

5.6.6dBdB,…………11

確認(rèn)要求

5.7……………11

試驗布置

6…………………12

附錄規(guī)范性附錄輻射抗擾度試驗

A()…………………15

附錄規(guī)范性附錄輻射發(fā)射測量

B()……………………19

附錄資料性附錄有關(guān)系統(tǒng)轉(zhuǎn)換系數(shù)和一次性完成的發(fā)射確認(rèn)抗擾度校準(zhǔn)方法的背景知識

C()/…22

附錄資料性附錄測量不確定度

D()……………………24

參考文獻(xiàn)

……………………36

Ⅰ

GB/T1762622—2017/IEC61000-4-222010

.:

圖類型的確認(rèn)校準(zhǔn)框圖

11/……………4

圖類型的確認(rèn)校準(zhǔn)框圖

22/……………4

圖類型的確認(rèn)校準(zhǔn)框圖

33/……………5

圖類型的確認(rèn)校準(zhǔn)框圖

44/……………5

圖用于確認(rèn)的取樣點的位置示意圖

5FAR……………9

圖臺式設(shè)備的試驗布置示例

6…………12

圖臺式設(shè)備的試驗布置示例俯視圖

7…………………13

圖落地式設(shè)備的試驗布置示例

8………………………13

圖落地式設(shè)備的試驗布置示例俯視圖

9………………14

圖抗擾度試驗中d的定義

A.1mea………………………16

圖發(fā)射測量d的定義

B.1meat……………19

圖發(fā)射測量影響因素的例子

D.1………………………24

圖對抗擾度試驗方法有影響的因素示例

D.2…………30

表不同類型配置所必備的基本測量儀器

1………………6

表確認(rèn)準(zhǔn)則

2FAR………………………11

表中頻率范圍的輻射發(fā)射測量的測量設(shè)備和設(shè)施的不確定度

D.1FAR30MHz~1000MHz…25

表中頻率范圍的輻射發(fā)射測量的測量設(shè)備和設(shè)施的不確定度

D.2FAR1GHz~18GHz………26

表中頻率范圍的抗擾度試驗電平設(shè)定的測量設(shè)備和設(shè)施的不

D.3FAR30MHz~1000MHz

確定度

……………………30

表中頻率范圍的抗擾度試驗電平設(shè)定的測量設(shè)備和設(shè)施的不確定度

D.4FAR1GHz~18GHz……32

Ⅱ

GB/T1762622—2017/IEC61000-4-222010

.:

前言

電磁兼容試驗和測量技術(shù)為電磁兼容系列標(biāo)準(zhǔn)目前已發(fā)布的國家標(biāo)準(zhǔn)包括

GB/T17626《》。:

電磁兼容試驗和測量技術(shù)抗擾度試驗總論

GB/T17626.1—2006;

電磁兼容試驗和測量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗

GB/T17626.2—2006;

電磁兼容試驗和測量技術(shù)射頻電磁場輻射抗擾度試驗

GB/T17626.3—2016;

電磁兼容試驗和測量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗

GB/T17626.4—2008;

電磁兼容試驗和測量技術(shù)浪涌沖擊抗擾度試驗

GB/T17626.5—2008();

電磁兼容試驗和測量技術(shù)射頻場感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度

GB/T17626.6—2008;

電磁兼容試驗和測量技術(shù)供電系統(tǒng)及所連設(shè)備諧波諧間波的測量和

GB/T17626.7—2017、

測量儀器導(dǎo)則

;

電磁兼容試驗和測量技術(shù)工頻磁場抗擾度試驗

GB/T17626.8—2006;

電磁兼容試驗和測量技術(shù)脈沖磁場抗擾度試驗

GB/T17626.9—2011;

電磁兼容試驗和測量技術(shù)阻尼振蕩磁場抗擾度試驗

GB/T17626.10—1998;

電磁兼容試驗和測量技術(shù)電壓暫降短時中斷和電壓變化的抗擾度

GB/T17626.11—2008、

試驗

;

電磁兼容試驗和測量技術(shù)振鈴波抗擾度試驗

GB/T17626.12—2013;

電磁兼容試驗和測量技術(shù)交流電源端口諧波諧間波及電網(wǎng)信號的

GB/T17626.13—2006、

低頻抗擾度試驗

;

電磁兼容試驗和測量技術(shù)電壓波動抗擾度試驗

GB/T17626.14—2005;

電磁兼容試驗和測量技術(shù)閃爍儀功能和設(shè)計規(guī)范

GB/T17626.15—2011;

電磁兼容試驗和測量技術(shù)共模傳導(dǎo)騷擾抗擾度試驗

GB/T17626.16—20070Hz~150kHz;

電磁兼容試驗和測量技術(shù)直流電源輸入端口紋波抗擾度試驗

GB/T17626.17—2005;

電磁兼容試驗和測量技術(shù)阻尼振蕩波抗擾度試驗

GB/T17626.18—2016;

電磁兼容試驗和測量技術(shù)橫電磁波波導(dǎo)中的發(fā)射和抗擾度

GB/T17626.20—2014(TEM)

試驗

;

電磁兼容試驗和測量技術(shù)混波室試驗方法

GB/T17626.21—2014;

電磁兼容試驗和測量技術(shù)全電波暗室中的輻射發(fā)射和抗擾度測量

GB/T17626.22—2017;

電磁兼容試驗和測量技術(shù)傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗方法

GB/T17626.24—2012HEMP;

電磁兼容試驗和測量技術(shù)三相電壓不平衡抗擾度試驗

GB/T17626.27—2006;

電磁兼容試驗和測量技術(shù)工頻頻率變化抗擾度試驗

GB/T17626.28—2006;

電磁兼容試驗和測量技術(shù)直流電源輸入端口電壓暫降短時中斷和

GB/T17626.29—2006、

電壓變化的抗擾度試驗

;

電磁兼容試驗和測量技術(shù)電能質(zhì)量測量方法

GB/T17626.30—2012;

電磁兼容試驗和測量技術(shù)主電源每相電流大于的設(shè)備的電壓

GB/T17626.34—201216A

暫降短時中斷和電壓變化抗擾度試驗

、。

本部分為的第部分

GB/T1762622。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻譯法等同采用電磁兼容第部分試驗和測量技術(shù)全

IEC61000-4-22:2010《4-22:

電波暗室中的輻射發(fā)射和抗擾度測量

(FAR)》。

Ⅲ

GB/T1762622—2017/IEC61000-4-222010

.:

本部分做了下列編輯性修改

:

為與現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)系列一致將標(biāo)準(zhǔn)名稱改為電磁兼容試驗和測量技術(shù)全電波暗室中的輻射

———,《

發(fā)射和抗擾度測量

》。

本部分由全國無線電干擾標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC79)。

本部分起草單位工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究院中國計量科學(xué)研究院中國電力科學(xué)研

:、、

究院上海電器科學(xué)研究院工業(yè)和信息化部電子第五研究所東南大學(xué)航天集團(tuán)所國家無線電

、、、、203、

監(jiān)測中心陜西海泰電子有限責(zé)任公司

、。

本部分主要起草人陳俐謝鳴崔強朱文立孟東林李妮周忠元馬蔚宇葉暢郭恩全

:、、、、、、、、、、

鄭軍奇王文儉

、。

Ⅳ

GB/T1762622—2017/IEC61000-4-222010

.:

電磁兼容試驗和測量技術(shù)

全電波暗室中的輻射發(fā)射和抗擾度測量

1范圍

的本部分涉及電子和或電氣設(shè)備的輻射發(fā)射和輻射抗擾度的測量規(guī)定了在全電波

GB/T17626/,

暗室內(nèi)進(jìn)行的輻射發(fā)射和輻射抗擾度的試驗程序

(FAR)。

注依據(jù)本部分是供相關(guān)產(chǎn)品委員會使用的電磁兼容基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)如導(dǎo)則所述產(chǎn)品委員

:GB/Z18509,,GB/Z18509,

會負(fù)責(zé)確定對其產(chǎn)品類標(biāo)準(zhǔn)的適用性及其分委員會例如

EMC,TC77/SAC/TC246、CISPR/SAC/TC79(,

已準(zhǔn)備好與產(chǎn)品委員會在標(biāo)準(zhǔn)制定和修訂的合作中一起來確定特定試驗在具體產(chǎn)品中的

SAC/SC7)EMC

作用

。

本部分規(guī)定了在同一個全電波暗室進(jìn)行輻射發(fā)射測量與輻射抗擾度試驗時的通用確認(rèn)程序受試

、

設(shè)備的試驗布置要求以及全電波暗室測量方法詳見附錄和附錄

(EUT)(AB)。

作為電磁兼容基礎(chǔ)測量標(biāo)準(zhǔn)本部分對應(yīng)用于具體裝置或系統(tǒng)的抗擾度試驗電平或發(fā)射限值不做

,

具體規(guī)定其主要目標(biāo)是為國內(nèi)相關(guān)產(chǎn)品委員會提供常規(guī)測量程序而針對產(chǎn)品的具體要求和試驗條件

,,

由相應(yīng)的產(chǎn)品委員會來規(guī)定

。

本部分的方法適用于