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《模擬電子技術》復習題綜合(第1、2章)一、選擇題1、在本征半導體中摻入微量的D價元素,形成N型半導體。A.二B.三C.四D.五2、在N型半導體中摻入濃度更大的C價元素,變成為P型半導體。A.二B.三C.四D.五3、在本征半導體中,自由電子濃度B空穴濃度。A.大于B.等于C.小于4、在P型半導體中,自由電子濃度C空穴濃度。A.大于B.等于C.小于5、本征半導體溫度升高以后,C。A.自由電子增多,空穴數(shù)基本不變B.空穴數(shù)增多,自由電子數(shù)基本不變C.自由電子數(shù)和空穴數(shù)都增多,且數(shù)目相同D.自由電子數(shù)和空穴數(shù)都不變6、空間電荷區(qū)是由C構成的。A.電子B.空穴C.離子D.分子7、PN結加正向電壓時,空間電荷區(qū)將A。A.變窄8、設二極管的端電壓為U,則二極管的電流方程是C。A.ISeUD.IS9、穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在C。A.正向導通B.反向截止C.反向擊穿B.基本不變C.變寬D.無法確定B.C.10、當晶體管工作在放大區(qū)時,發(fā)射結電壓和集電結電壓應為B。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏D.前者反偏、后者正偏11、當溫度升高時,二極管的反向飽和電流將A。A.增大B.不變C.減小D.都有可能12、工作在放大區(qū)的某三極管,如果當IB從12μA增大到22μA時,IC從1mA變?yōu)?mA,那么它的β約為C。A.83B.91C.100D.1013、當場效應管的漏極直流電流ID從2mA變?yōu)?mA時,它的低頻跨導gm將A。A.增大B.不變C.減小D.都有可能14、晶體管是A器件。A.電流控制電流B.電流控制電壓C.電壓控制電壓D.電壓控制電流15、實踐中,判別晶體管是否飽和,最簡單的方法是測量D。A.IBB.ICC.UBED.UCE16、在正常放大的電路中,測得晶體管三個電極的對地電位如圖所示,試判斷管子的類型和材料。圖1為D;圖2為A。[基極電位總是處于中間]A.NPN硅管B.PNP硅管C.NPN鍺管D.PNP鍺管17、增強型PMOS管工作在放大狀態(tài)時,其柵源電壓B,耗盡型PMOS管工作在放大狀態(tài)時,其柵源電壓D。A.只能為正B.只能為負C.可正可負D.可正可負,也可為零18、在放大電路中,場效應管工作在漏極特性的C。A.可變電阻(歐姆)區(qū)B.截止區(qū)C.飽和區(qū)D.擊穿區(qū)19、表征場效應管放大能力的重要參數(shù)是B。A.夾斷電壓UGS(off)B.低頻跨導gmC.飽和漏極電流IDSSD.開啟電壓UGS(th)20、場效應管是D器件。A.電流控制電流B.電流控制電壓C.電壓控制電壓D.電壓控制電流21、基本共射放大電路中,基極電阻Rb的作用是A。A.限制基極電流,使晶體管工作在放大區(qū),并防止輸入信號短路B.把基極電流的變化轉化為輸入電壓的變化C.保護信號源D.防止輸出電壓被短路22、基本共射放大電路中,集電極電阻Rc的作用是B。A.限制集電極電流的大小B.將輸出電流的變化量轉化為輸出電壓的變化量C.防止信號源被短路D.保護直流電壓源EC23、基本共射放大電路中,如果使用直流電壓表測出UCE≈0,可能是因為A。A.Rb短路B.Rb開路C.Rc短路D.β過小24、基本共射放大電路中,輸入正弦信號,現(xiàn)用示波器觀察輸出電壓uo和晶體管集電極電壓uc的波形,二者相位A。A.相同B.相反C.相差90°D.相差270°25、NPN管基本共射放大電路輸出電壓出現(xiàn)了非線性失真,通過減小Rb失真消除,這種失真一定是B失真。A.飽和B.截止C.雙向D.相位26、分壓式偏置工作點穩(wěn)定電路,當β=50時,IB=20μA,IC=1mA。若只更換β=100的晶體管,而其他參數(shù)不變,則IB和IC分別是A。A.10μA,1mAB.20μA,2mAC.30μA,3mAD.40μA,4mA27、有兩個空載放大倍數(shù)相同,輸入和輸出電阻不同的放大器甲和乙,對同一信號源進行放大,在負載開路的情況下,測得甲的輸出電壓小,這說明甲的B。A.輸入電阻大B.輸入電阻小C.輸出電阻大D.輸出電阻小28、放大電路產(chǎn)生零點漂移的主要原因是A。A.環(huán)境溫度變化引起參數(shù)變化B.放大倍數(shù)太大C.采用了直接耦合方式D.外界存在干擾源29、要求組成的多級放大電路體積
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