GB/T 18735-2014微束分析分析電鏡(AEM/EDS)納米薄標(biāo)樣通用規(guī)范

ICS7104050

G04..

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T18735—2014

代替

GB/T18735—2002

微束分析分析電鏡AEM/EDS

()

納米薄標(biāo)樣通用規(guī)范

Microbeamanalysis—Generalguideforthespecificationofnanometerthin

referencematerialsforanalticaltransmissionelectronmicroscoeAEM/EDS

yp()

2014-07-24發(fā)布2015-03-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T18735—2014

目次

前言

…………………………Ⅰ

引言

…………………………Ⅱ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

薄標(biāo)樣的技術(shù)要求

4………………………2

研究材料的檢測(cè)

5…………………………3

檢測(cè)儀器

5.1……………3

樣品臺(tái)

5.2………………3

測(cè)量條件與方法

5.3……………………3

薄標(biāo)樣判別依據(jù)

5.4……………………4

標(biāo)樣的分級(jí)

6………………4

薄標(biāo)樣化學(xué)成分的測(cè)定

6.1……………4

薄標(biāo)樣級(jí)別的確定

6.2…………………4

包裝與貯運(yùn)

7………………4

標(biāo)樣包裝

7.1……………4

運(yùn)輸

7.2…………………4

保管

7.3…………………5

標(biāo)樣的有效期

7.4………………………5

參考文獻(xiàn)

………………………6

GB/T18735—2014

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替分析電鏡納米薄標(biāo)樣通用規(guī)范

GB/T18735—2002《(AEM/EDS)》。

本標(biāo)準(zhǔn)與相比主要變化如下

GB/T18735—2002:

中英文名稱修改為微束分析分析電鏡納米薄標(biāo)樣通用規(guī)范和

———:“(AEM/EDS)”“Microbeam

ananlysis—Generalguideforthespecificationofnanometerthinreferencematerialsforana-

lyticaltransmissionelectronmicroscope(AEM/EDS)”;

修改了適用范圍的內(nèi)容見第章

———(1);

更新和增加了引用標(biāo)準(zhǔn)見第章

———(2);

增加和修改了術(shù)語和定義將公式和原理放在術(shù)語下面的注釋中進(jìn)行表述見第章

———,(3);

將標(biāo)樣改為薄標(biāo)樣見第章第章

———“”“”(4、5);

修改了薄標(biāo)樣化學(xué)定值和薄標(biāo)樣個(gè)數(shù)的要求見

———(4.1、4.2);

增加了對(duì)薄標(biāo)樣的厚度要求的說明和計(jì)算例證的注釋見

———(4.3);

增加了對(duì)薄標(biāo)樣穩(wěn)定性要求的說明性注釋見

———(4.4);

將碳膜支持網(wǎng)修改為超薄碳膜支持網(wǎng)見

———“”“”(4.5);

增加了檢測(cè)儀器和樣品臺(tái)次級(jí)標(biāo)題見

———“”“”(5.1、5.2);

將試樣修改為研究材料見

———“”“”(5.1、5.2、5.3.4);

增加了分析時(shí)常用的幾個(gè)典型工作電壓值見

———(5.3.1);

修改了測(cè)量樣品個(gè)數(shù)和待測(cè)元素射線強(qiáng)度統(tǒng)計(jì)測(cè)量的要求見和

———X(5.3.3、5.3.55.3.8);

增加了比例因子測(cè)量時(shí)參考元素的說明性注釋見

———(5.3.6);

修改和增加了比例因子K的擴(kuò)展不確定度和不確定度及相應(yīng)的注釋見和

———A-B(5.3.85.3.9);

修改了薄標(biāo)樣的判別依據(jù)見

———(5.4);

增加了標(biāo)樣的分級(jí)見第章

———(6);

增加了有助于理解本標(biāo)準(zhǔn)的必要的參考文獻(xiàn)

———。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC38)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位武漢理工大學(xué)

:。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人孫振亞

:。

本標(biāo)準(zhǔn)于年月首次發(fā)布本次為第一次修訂

200212,。

Ⅰ

GB/T18735—2014

引言

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的各項(xiàng)準(zhǔn)則主要適用于分析電鏡即配備射線能譜儀附件的透射電子顯微鏡

,,X

依據(jù)比值法即法在可以忽略試樣基體的射線吸收效應(yīng)進(jìn)行無機(jī)薄樣品

(AEM/EDS)Cliff-Lorimer,X

元素定量分析時(shí)測(cè)量比例因子K所需納米薄標(biāo)樣的通用規(guī)范和檢測(cè)方法的一般原則為進(jìn)一步

,A-B。

制定的定量分析方法標(biāo)準(zhǔn)奠定基礎(chǔ)

AEM。

本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)于開展微粒和微區(qū)樣品的分析電鏡的元素定量分析特別是適應(yīng)迅速發(fā)展的納米材料的

,

成分定量分析和高加速電壓分析型透射電鏡的發(fā)展建立基于標(biāo)準(zhǔn)樣品的比較定量分析方法提高定量

,,

分析準(zhǔn)確度具有積極的指導(dǎo)作用

。

Ⅱ

GB/T18735—2014

微束分析分析電鏡AEM/EDS

()

納米薄標(biāo)樣通用規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了分析電鏡即透射電子顯微鏡或裝有掃描附件的透射電鏡配備射線能

(AEM/EDS)X

譜儀測(cè)量比例因子K所用納米薄標(biāo)樣的技術(shù)要求檢測(cè)條件和檢測(cè)方法

(EDS),A-B、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于采用分析電鏡進(jìn)行無機(jī)薄樣品的微區(qū)元素定量分析本標(biāo)準(zhǔn)不包括有

(AEM/EDS)。

機(jī)物和生物標(biāo)樣

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

微束分析電子探針分析標(biāo)準(zhǔn)樣品技術(shù)條件導(dǎo)則

GB/T4930—2008(ISO14595:2003,IDT)

微束分析電子探針顯微分析術(shù)語

GB/T21636—2008(EPMA)(ISO23833:2006,IDT)

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T21636—2008。

31

.

分析電鏡analyticaltransmissionelectronmicroscope

指配備有射線能譜儀的透射電子顯微鏡或裝有掃描附件的透射電鏡能同時(shí)對(duì)微區(qū)進(jìn)行

X(EDS),

元素分析

。

32

.

臨界厚度criticalthickness

T

S

在一定的加速電壓下