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HUAZHONGUNIVERSITYOFSCIENCE HUAZHONGUNIVERSITYOFSCIENCEANDCH2 2.12.1Avo的≥105(很高輸入輸出ro≤100Ω(很小 (V-<vO<V+明德、厚學(xué)、求是當(dāng)A當(dāng)Avo(vP-vN)≥VvO=當(dāng)Avo(vP-vNV電壓傳輸特vO=f線性范圍內(nèi)-線性Avo——斜限幅區(qū):voV+或V-,uid可以較大,不再“虛短厚學(xué)、求是、創(chuàng)2.21.vO的飽和極限值等于運(yùn)放若V-<vO則(vP-vN)0---虛4.輸入電阻r的阻值很使iP≈0、iN≈0---圖2.2.1理想:ri vo 明德、厚學(xué)、求是、創(chuàng)v=A(v-v AvoR1R AvoR1R21R2Rvi R 電壓增益輸入電阻輸出電阻2.4.12.4.1從結(jié)構(gòu)上看,它是反相輸入和同相輸入相結(jié)合的放v(R1R4)(R3R R4 當(dāng)RR v(vv若繼續(xù)有R4則vv明德、厚學(xué)、求是2.4.2AR4(12R2v1v 2.4.32.4.3(該電路也稱為加法電路明德、厚學(xué)、求是2.4.4設(shè)電容器C的初始電壓為零,式中,負(fù)號表示vO與vI在位上是相反2.4.4 2.4.4CH3CH3二極管及其基本二極管的基本電路及其分析方法特殊二極管明德、厚學(xué)、求是德德 是創(chuàng)半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)、V-I特性、參數(shù)、及掌握二極管(包括穩(wěn)壓管)的V-I 3.1半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)、V-I特性、參數(shù)、及掌握二極管(包括穩(wěn)壓管)的V-I3.13.13.1明德、厚學(xué)、求是空穴空穴——共價(jià)鍵中的空位產(chǎn)生的自由電子和空空穴的移動——空穴的運(yùn)動是靠相鄰共價(jià)鍵中的價(jià)電子明德、厚學(xué)、求是明德、厚學(xué)、求是1.N1.N自由電子是少數(shù)載流子,由熱激發(fā)形成。nn=p明德、厚學(xué)、求是明德、厚學(xué)、求是明德、厚學(xué)、求是明德、厚學(xué)、求是3.2.2PN3.2.23.2.2PN明德、厚學(xué)、求是明德、厚學(xué)、求是3.2.33.2.3PN增強(qiáng)擴(kuò)散運(yùn)漂移運(yùn)明德、厚學(xué)、求是3.2.3PN(2)PN結(jié)加反向電壓由于反向漂移電流很小,故可近似認(rèn)為其明德、厚學(xué)、求是 3.2.3PN(3)PN結(jié)V-I3.2.3PN(3)PN結(jié)V-IiI(ev/V 其IS——反向飽和電流VD——PN結(jié)外加電壓且在常溫下k為波 q為電子電荷3.2.33.2.3PNiI(ev/V VDVT時(shí),iDVD成指VD<0,|VD|<<明德、厚學(xué)、求是3.2.4PN向電流突然快速增加擊穿明德、厚學(xué)、求是3.2.53.2.5PN擴(kuò)散電容示明德、厚學(xué)、求是、創(chuàng)3.2.5PN運(yùn)動在結(jié)的附近產(chǎn)生一電增量擴(kuò)散電容示明德、厚學(xué)、求是3.2.5PN(2)勢壘電容CB3.2.5PN(2)勢壘電容CBQCT SV1V B3.2.5PNPN結(jié)的電容效應(yīng)是勢壘電容和擴(kuò)散電容CD當(dāng)PN大(主要決定于擴(kuò)散電容 正偏時(shí),Cj≈當(dāng)PN結(jié)處于反向偏置時(shí),結(jié)電容較反偏時(shí),CjCB(主要決定于勢壘電容CB)明德、厚學(xué)、求是 明德、厚學(xué)、求是工頻工頻大電流整流電路明德、厚學(xué)、求是二極管的V-I特性曲線可用下式表iIv 硅二極管2CP10的V-特性鍺二極管2AP15的V-特明德、厚學(xué)、求是P72,表3.3.1P72,表3.3.1 二極管電路的簡化模型分析方法明德明德、厚學(xué)、求是3.4.1明德、厚學(xué)、求是v和流過二極管的電流iiVDDv即iDRvDRVDD是一條斜率為-1/R的直線,稱為明德、厚學(xué)、求是 將指數(shù)模iI v 分段線性化,得到二管特性的等(1)理想(a)V-I特性(b)代表符號(c)正向偏置時(shí)的電路模型(d)明德、厚學(xué)、求是3.4.21.二極管V-I3.4.21.二極管V-I (a)V-I特性(b)電路模 (a)V-I特性(b)電路模1.二極管V-I特性的建 i1v1(Vv R 3.4.23.4.21.二極管V-I特性的建rD根據(jù)iDIS v(a)V-I特性(b)gdi ISeviDI則r1 rV I明德、厚學(xué)、求是1.二極管V-I特性的建(a)V-I特性(b)明德、厚學(xué)、求是2.模2.模型分析法應(yīng)用舉例P78-例(1)整流電路:已知vs為正弦波,利用二極管理想模(a)電路(b)vs和vO的波明德、厚學(xué)、求是2.模型分析法應(yīng)用舉(2)靜態(tài)工作情況分(a)簡單二極管電路(b)明德、厚學(xué)、求是 2.模型分析法應(yīng)用舉例P80-例 解:先斷開D,以 2.模型分析法應(yīng)用舉例P80-例解:先斷開D,以O(shè)為基準(zhǔn)電位,即O點(diǎn)為0V導(dǎo)通后,D的壓降等于零,即A點(diǎn)的電位就是D2.模型分析法應(yīng)用舉(5)小信號工作情況分 概念,在放大電路的分析中非常重要ID=(VDD-VD)/R=26(mV明德、厚學(xué)、求是圖所示,輸出的交流量疊加在直流量明德、厚學(xué)、求是二極管(穩(wěn)壓二極管)變?nèi)荻O管二極管光電子器件明德、厚學(xué)、求是穩(wěn)定電壓動態(tài)電阻rZ=VZIZmax和最小穩(wěn)定工作電流(5)穩(wěn)定電壓溫度系數(shù)——二二極正常穩(wěn)壓時(shí)VO明德、厚學(xué)、求是3.5.2變?nèi)荻O管---明德、厚學(xué)、求是(a)符 (b)正向V-I特明德、厚學(xué)、求是利用金屬(與明德、厚學(xué)、求是3.5.41.(a)符號(b)電路模型(c厚3.5.41.(a)符號(b)電路模型(c厚學(xué)、
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