電子行業(yè)化合物半導(dǎo)體5G推動(dòng)射頻行業(yè)飛速增長(zhǎng)分析

電子化合物半導(dǎo)體5G推動(dòng)射頻行業(yè)飛速增長(zhǎng)分析目錄目錄.3一、化合物半導(dǎo)體.3TOC\o"1-5"\h\z什么是化合物半導(dǎo)體？ 3超越摩爾：光學(xué)、射頻、功率等模擬IC持續(xù)發(fā)展 4砷化鎵（GaAs）:無(wú)線通信核心材料，受益5G大趨勢(shì)8氮化鎵&碳化硅：高壓高頻優(yōu)勢(shì)顯著 10\o"CurrentDocument"二、5G加速推進(jìn)，射頻市場(chǎng)有望高速成長(zhǎng) .16海外率先商用，5G提速預(yù)期強(qiáng)烈 16氮化鎵將占射頻器件市場(chǎng)半壁江山 185G時(shí)代，射頻元件是化合物半導(dǎo)體的天下 19\o"CurrentDocument"三、相關(guān)標(biāo)的 22風(fēng)險(xiǎn)提示 風(fēng)險(xiǎn)提示 .23一、化合物半導(dǎo)體什么是化合物半導(dǎo)體？半導(dǎo)體材料可分為單質(zhì)半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體兩類，前者如硅（Six鍺（Ge）等所形成的半導(dǎo)體，后者為砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaNI碳化硅（SiC）等化合物形成。半導(dǎo)體在過(guò)去主要經(jīng)歷了三代變化，。砷化鎵（GaAsX氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體分別作為第二代和第三代半導(dǎo)體的代表，相比第一代半導(dǎo)體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導(dǎo)體中的新貴。舛A工^論工典*￡&?2戶處療費(fèi) aw 琳1 曲用修過(guò)三大化合物半導(dǎo)體材料中，GaAs占大頭，主要用于通訊領(lǐng)域，全球市場(chǎng)容量接近百億美元，主要受益通信射頻芯片尤其是PA升級(jí)驅(qū)動(dòng)；GaN大功率、高頻性能更出色，主要應(yīng)用于軍事領(lǐng)域，目前市場(chǎng)容量不到10億美元，隨著成本下降有望迎來(lái)廣泛應(yīng)用；SiC主要作為高功率半導(dǎo)體材料應(yīng)用于汽車以及工業(yè)電力電子，在大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中具有巨大的優(yōu)勢(shì)。理展2:牝合轉(zhuǎn)自護(hù)審料卷■性翁史券比界材料SIGaAsGaN高場(chǎng)性能蕓好好高溫性旌星好好發(fā)質(zhì)階段成熟更限申初期制造成本悵奇很高應(yīng)用領(lǐng)域理大覘模集成電路與器件微薄梟貳電路與器件大功率器件帶郭袤鑫:yofe-dev^apnien!：.國(guó)襲法講阡范師圭理超越摩爾：光學(xué)、射頻、功率等模擬IC持續(xù)發(fā)展摩爾定律放緩，集成電路發(fā)展分化。現(xiàn)在集成電路的發(fā)展主要有兩個(gè)反向：MoreMoore （深度摩爾）和MorethanMoore（超越摩爾）。摩爾定律是指集成電路大概18個(gè)月的時(shí)間里，在同樣的面積上，晶體管數(shù)量會(huì)增加一倍，但是價(jià)格下降一半。但是在28nm時(shí)遇到了阻礙，其晶體管數(shù)量雖然增加一倍，但是價(jià)格沒(méi)有下降一半。MoreMoore（深度摩爾）是指繼續(xù)提升制程節(jié)點(diǎn)技術(shù)，進(jìn)入后摩爾時(shí)期。與此同時(shí)，MorethanMoore （超越摩爾）被人們提出，此方案以實(shí)現(xiàn)更多應(yīng)用為導(dǎo)向，專注于在單片IC上加入越來(lái)越多的功能。

過(guò)上1>均摩出葉汽J過(guò)上1>均摩出葉汽J年代住匕懵止5D%30%代理用將1群2匕國(guó)上修圖生產(chǎn)奴工下滑比千瓦有5郭卓仕品目/七里過(guò)50%10-2IM龍2tMi志3因身■產(chǎn)）30^65-1D%由石片卡逃產(chǎn)癥CopEx5?億￡七L口也是小令萬(wàn)片折遺產(chǎn)熊2憶￡比坤尺.1比式〕ORAM梅4健J國(guó)太靈雪耳爐，最后模擬IC更適合在MorethanMoore（超越摩爾）道路。先進(jìn)制程與高集成度可以使數(shù)字IC具有更好的性能和更低的成本，但是這不適用于模擬IC。射頻電路等模擬電路往往需要使用大尺寸電感，先進(jìn)制程的集成度影響并不大，同時(shí)還會(huì)使得成本升高；先進(jìn)制程往往用于低功耗環(huán)境，但是射頻、電源等模擬IC會(huì)用于高頻、高功耗領(lǐng)域，先進(jìn)制程對(duì)性能甚至有負(fù)面影響；低電源和電壓下模擬電路的線性度也難以保證。PA主要技術(shù)是GaAs，而開(kāi)關(guān)主要技術(shù)是SOI，MorethanMoore（超越摩爾）可以實(shí)現(xiàn)使用不同技術(shù)和工藝的組合，為模擬IC的進(jìn)一步發(fā)展提供了道路。第三代半導(dǎo)體適應(yīng)更多應(yīng)用場(chǎng)景。硅基半導(dǎo)體具有耐高溫、抗輻射性能好、制作方便、穩(wěn)定性好?？煽慷雀叩忍攸c(diǎn)，使得99%以上集成電路都是以硅為材料制作的。但是硅基半導(dǎo)體不適合在高頻、高功率領(lǐng)域使用。2G、3G和4G等時(shí)代PA主要材料是GaAs，但是進(jìn)入5G時(shí)代以后，主要材料是GaN。5G的頻率較高，其跳躍式的反射特性使其傳輸距離較短。由于毫米波對(duì)于功率的要求非常高，而GaN具有體積小功率大的特性，是目前最適合5G時(shí)代的PA材料。SiC和GaN等第三代半導(dǎo)體將更能適應(yīng)未來(lái)的應(yīng)用需求。Athigherfrequenciesmndhigherpowerranges([Sin^nSiCandGaNhaveadvantagescomparedtoSiPower[W]FrEqineniRf|Hi]Power[W]FrEqineniRf|Hi]1陰ATV,IRCardWMhaveleadingtechnologiesandnr^duttetoadd代拈thsexistingandupcomingQpportJdniti€soFwide-bandgspsemicanductoraSiCandGa-M卡丹袋.#：Infineon.西受謔券蚪氧項(xiàng)模擬IC關(guān)注電壓電流控制、失真率、功耗、可靠性和穩(wěn)定性，設(shè)計(jì)者需要考慮各種元器件對(duì)模擬電路性能的影響，設(shè)計(jì)難度較高。數(shù)字電路追求運(yùn)算速度與成本，多采用CMOS工藝，多年來(lái)一直沿著摩爾定律發(fā)展，不斷采用地更高效率的算法來(lái)處理數(shù)字信號(hào)，或者利用新工藝提高集成度降低成本。而過(guò)高的工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)往往不利于實(shí)現(xiàn)模擬IC實(shí)現(xiàn)低失真和高信噪比或者輸出高電壓或者大電流來(lái)驅(qū)動(dòng)其他元件的要求，因此模擬IC對(duì)節(jié)點(diǎn)演進(jìn)需求相對(duì)較低遠(yuǎn)大于數(shù)字IC。模擬芯片的生命周期也較長(zhǎng)，一般長(zhǎng)達(dá)10年及以上，如仙童公司在1968年推出的運(yùn)放UA741賣了近五十年還有客戶在用。

IC種蔡模拇IC數(shù)字IU處理信中連續(xù)昌救幫或模擬信號(hào)（如聲音.光線.溫度等）弟散的敕字信號(hào)技術(shù)難度設(shè)計(jì)門樓高，學(xué)習(xí)曲線1口T5年迪院輔助保計(jì)+學(xué)習(xí)曲線325年設(shè)計(jì)難點(diǎn)非理想敢應(yīng)過(guò)多，需要4L實(shí)的甚地知謨和豐富的短臉.例如，小信號(hào)分析，時(shí)戰(zhàn)斯域分折.芯片筑模大，工具運(yùn)行時(shí)間長(zhǎng)，工藝要求盤雜.需要多團(tuán)隊(duì)共同環(huán)祚工藝制卷目前業(yè)界仍丈量使用0A3urn/a.l3d段照摩爾定律的窿晨,便陽(yáng)最先進(jìn)的m,敲先道工藝達(dá)28nm-工之一日前已&達(dá)到lOnm產(chǎn)品應(yīng)用放大黑、信號(hào)捱口.數(shù)楣轉(zhuǎn)換,比較器等CPU.在肥理蕊、微粒制器，數(shù)字等號(hào)處理單元，存健器等產(chǎn)品轉(zhuǎn)點(diǎn)數(shù)讓少，種類多數(shù)量機(jī)種類少生舒周期1。年.甚至幾*年1-2年ASP價(jià)格低，捷￡初期高：后期假替代性低高（多盤為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品十可替代）夢(mèng)■科東第二百歷.海叁法親硬算穌目前數(shù)字IC多采用CMOS工藝，而模擬IC采用的工藝種類較多，不受摩爾定律束縛。模擬IC的制造工藝有Bipolar工藝、CMOS工藝和BiCMOS工藝。在高頻領(lǐng)域，SiGe工藝、GaAs工藝和SOI工藝還可以與Bipolar和BiCMOS工藝結(jié)合，實(shí)現(xiàn)更優(yōu)異的性能。而在功率領(lǐng)域，SOI工藝和BCD（BiCMOS基礎(chǔ)上集成DMOS等功率器件）工藝也有更好的表現(xiàn)。模擬IC應(yīng)用廣泛，使用環(huán)節(jié)也各不相同，因此制造工藝也會(huì)相應(yīng)變化。

，墨RZ/蘇,AT工工#當(dāng)工藝優(yōu)點(diǎn)軟點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域應(yīng)用IC奐成度低.不能滿足也赤管理芯片.Bipolar場(chǎng)率高.功奉大，無(wú)刷也機(jī)罪動(dòng)、LED但動(dòng)機(jī)馳動(dòng)名模擬IC果動(dòng)能力強(qiáng)堂動(dòng)拉制手芯片的要片、RF,高精度、求高旺等成同領(lǐng)域CMOS功托然.度集成高.噪聲懼、抗干擾能力強(qiáng)用奉假.里動(dòng)佳能星，品能滯是敕牛集成相路和小功率模擬渠成歸路的需覆.CPU,MCU,低動(dòng)耗模擬1C,愜也就運(yùn)放等數(shù)字叼小功軍模標(biāo)IC無(wú)刷出機(jī)兜■玷.RF電路、LED拄BiCMOS驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)、功我低i,度奧:成i度品制甑動(dòng).IGBTT荏制驅(qū)動(dòng)、A/D,D/A,RF髭合信號(hào)芯片等模擬I。盤模通會(huì)IC譜爐上感：/塞匹代稱三鰭砷化鎵（GaAs）:無(wú)線通信核心材料，受益5G大趨勢(shì)相較于第一代硅半導(dǎo)體，砷化鎵具有高頻、抗輻射、耐高溫的特性，因此廣泛應(yīng)用在主流的商用無(wú)線通信、光通訊以及國(guó)防軍工用途上。無(wú)線通信的普及與硅在高頻特性上的限制共同催生砷化鎵材料脫穎而出，在無(wú)線通訊領(lǐng)域得到大規(guī)模應(yīng)用?；鶐Ш蜕漕l模塊是完成3/4/5G蜂窩通訊功能的核心部件。射頻模塊一般由收發(fā)器和前端模組（PA、Switch、Filter）組成。其中砷化鎵目前已經(jīng)成為PA和Switch的主流材料。4G/5G頻段持續(xù)提升，驅(qū)動(dòng)PA用量增長(zhǎng)。由于單顆PA芯片僅能處理固定頻段的信號(hào)，所以蜂窩通訊頻段的增加會(huì)顯著提升智能手機(jī)單機(jī)PA消耗量。隨著4G通訊的普及，移動(dòng)通訊的頻段由2010年的6個(gè)急速擴(kuò)張到43個(gè)，5G時(shí)代更有有望提升至60以上。目前主流4G通信采用5頻13模，平均使用7顆PA，4個(gè)射頻開(kāi)關(guān)器。

fillerGonifint軸必—型MSwft嘀IMWdn口5Q.EH1Iffl.ZSHR(=th*erAmpirflera(D30Jit.15通4€i獸鷗Oth01r軸.00即.時(shí)時(shí)空|TtKsIRFcontenlMg|A?l?1551+J|H1nmMo+JoDevitdRFT/iHTE2*￡??EG“業(yè)；il2TvplE^ilLK國(guó)口"I

3JE1nmMo+JoDevitdRFT/iHTE2*￡??EG“業(yè)；il2TvplE^ilLK國(guó)口"I

3JEhull9Qorvo、Broadcom/Avago、Cree、德國(guó)Infineon等。同時(shí)我們也注意到產(chǎn)業(yè)發(fā)展模式開(kāi)始逐漸由IDM模式轉(zhuǎn)為設(shè)計(jì)+代工生產(chǎn)，典型事件為代工比例持續(xù)提升、avago去年將科羅拉多廠出售給穩(wěn)懋等。我們認(rèn)為GaAs襯底和器件技術(shù)不斷成熟和標(biāo)準(zhǔn)化，產(chǎn)品多樣化、器件設(shè)計(jì)的價(jià)值顯著，設(shè)計(jì)+制造的分工模式開(kāi)始增加。從YoleDevelopment等第三方研究機(jī)構(gòu)估算來(lái)看，2017年全球用于PA的GaAs器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到80-90億美元，大部分的市場(chǎng)份額集中于Skyworks、Qorvo、Avago三大巨頭。預(yù)計(jì)隨著通信升級(jí)未來(lái)兩年有望正式超過(guò)100億美元。6*5.HZ軻*I產(chǎn)，5AELZ&-W履g.XMwrauipAPaftxJ-^tt可由便X?產(chǎn)的期吐1怙代￡步工耳上戲入$注卷評(píng)工小PA?面皿白吐3E1!.>'Qwva.cmpAPaftxJ-^tt可由便X?產(chǎn)的期吐1怙代￡步工耳上戲入$注卷評(píng)工小PA?面皿白吐3E1!.>'Qwva.cm同時(shí)應(yīng)用市場(chǎng)決定無(wú)需60nm線寬以下先進(jìn)制程工藝，不追求最先進(jìn)制程工藝是另外一個(gè)特點(diǎn)?；衔锇雽?dǎo)體面向射頻、高電壓大功率、光電子等領(lǐng)域，無(wú)需先進(jìn)工藝。GaAs和GaN器件以0.13、0.18pm以上工藝為主。Qorvo正在進(jìn)行90nm工藝研發(fā)。此外由于受GaAs和SiC襯底尺寸限制目前生產(chǎn)線基本全為4英寸和6英寸。以Qorvo為例我們統(tǒng)計(jì)下來(lái)氮化鎵制程基本線寬在0.25-0.50um，生產(chǎn)線以4英寸為主。區(qū)員11. 4化體感嘉各不工t的,QG1N25QGaM25HVQG1N15。/加mGaNon3c(LZSprnGeNcnSiC□.15ym3Non'匯U.XJpEUaNcp比溝.蝌4W46V2W65U附附川可仔叮.叩用網(wǎng)畢眸7工柞粉□C-lflGH?DOI福卜BrJC-4DGHTDCrH咯也功率射捫如停>6G%^10GHz*7g%^S.SGHz?5倏@J0GHz^70%@3.5GHe的▼幼羽eW/liirnOfilOCjHz4.^W/fTlTi<&.34XjHzW/miTl資肝&#二海M兇票斗意球式福氮化鎵&碳化硅：高壓高頻優(yōu)勢(shì)顯著氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄，由于性能不同，二者的應(yīng)用領(lǐng)域也不相同。由于氮化鎵具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、飽和電子速率大、熱導(dǎo)率高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定和抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，成為高溫、高頻、大功率微波器件的首選材料之一。FewConpttinglechnologie&瑞EOOMJJaMf10Fr&ojancv(GHFewConpttinglechnologie&瑞EOOMJJaMf10Fr&ojancv(GH：i理代GaNHEEf禁帶代建亂現(xiàn)挖異「Multple3GHiComp靠g1tJ-*Tecnnakigies:1PW-貴精求法:黃飛談.四魏汪春確無(wú)麗氮化鎵：5G時(shí)代來(lái)臨，射頻應(yīng)用前景廣闊目前氮化鎵器件有三分之二應(yīng)用于軍工電子，如軍事通訊、電子干擾、雷達(dá)等領(lǐng)域；在民用領(lǐng)域，氮化鎵主要被應(yīng)用于通訊基站、功率器件等領(lǐng)域。氮化鎵基站PA的功放效率較其他材料更高，因而能節(jié)省大量電能，且其可以幾乎覆蓋無(wú)線通訊的所有頻段，功率密度大，能夠減少基站體積和質(zhì)量。出K&川-崔函5點(diǎn)榜就?廉松6.5WKi*bandG.aAaP?jwerAmplHifrr2DWKwband06.5WKi*bandG.aAaP?jwerAmplHifrr2DWKwband0PcwerAmpIMber詼并式戒：r印itr西盛迎茬醺富碑SiGaAs4H71CGANBdrbdgopEgeV1.121423.263儂BreakdawnelectriciieldEgMVJtm0.30.4333Intrinsiccarrierconcaenlrallcinnlcnrs9.?X1伊1.5X106S.2X10-S1.SKIQ-1*FEtedronnwtilllly七mW陪1500(bulk)300finv)B5D0100012&0i：buik)12000(2DEG)^Saturallonvelocityvsalx10Tcm?s1252心Re-lallvieperm-lttrvltycr11.B13.1W&ThenriHlconduotrvrtyAW*K/cm1.50.434,91.3 'Maximumwuiklr*glemperaiur^口E市X1507008M瞽護(hù)k更陽(yáng)頌前兀吞來(lái)謔聚橫算政特色工藝代工廠崛起，分工大勢(shì)所趨。全球半導(dǎo)體分為IDM（IntegratedDeviceManufacture，集成電路制造）模式和垂直分工模式兩種商業(yè)模式，老牌大廠由于歷史原因，多為IDM模式。隨著集成電路技術(shù)演進(jìn)，摩爾定律逼近極限，各環(huán)節(jié)技術(shù)、資金壁壘日漸提高，傳統(tǒng)IDM模式弊端凸顯，新銳廠商多選擇Fabless（無(wú)晶圓廠）模式，輕裝追趕。同時(shí)英飛凌、TI、AMD等老牌大廠也逐漸將全部或部分制造、封測(cè)環(huán)節(jié)外包，轉(zhuǎn)向Fab-Lite（輕晶圓廠）甚至Fabless模式。出員15:左北鋒尉垓罵生產(chǎn)出熱梅熏化2012011Camznalafpracm+Mj?f>Eiun.ngjrield

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TFoundryincreuc氮化鎵射頻器件高速成長(zhǎng)，復(fù)合增速23%，下游市場(chǎng)結(jié)構(gòu)整體保持穩(wěn)定。研究機(jī)構(gòu)YoleDevelopment數(shù)據(jù)顯示，2017年氮化鎵射頻市場(chǎng)規(guī)模為3.8億美元，將于2023年增長(zhǎng)至13億美元，復(fù)合增速為22.9%。下游應(yīng)用結(jié)構(gòu)整體保持穩(wěn)定，以通訊與軍工為主，二者合計(jì)占比約為80%。灣表16:啦優(yōu)掙旗爽蘇『灣表16:啦優(yōu)掙旗爽蘇『下善赳檜押17好招送赤：￥泰,國(guó)蕓舒潑阡心游碳化硅：功率器件核心材料，新能源汽車驅(qū)動(dòng)成長(zhǎng)SiC主要用于大功率高頻功率器件。以SiC為材料的二極管、MOSFET、IGBT等器件未來(lái)有望在汽車電子領(lǐng)域取代Si。目前SiC半導(dǎo)體仍處于發(fā)展初期，晶圓生長(zhǎng)過(guò)程中易出現(xiàn)材料的基面位錯(cuò)，以致SiC器件可靠性下降。另一方面，晶圓生長(zhǎng)難度導(dǎo)致SiC材料價(jià)格昂貴，預(yù)計(jì)想要大規(guī)模得到應(yīng)用仍需一段時(shí)期的技術(shù)改進(jìn)。肆：1ffOft肆：1ffOft腳.卬Jf世尊搟史脾DieSize和成本是碳化硅技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的核心變量。我們比較目前市場(chǎng)主流1200V硅基IGBT及碳化硅基MOSFET，可以發(fā)現(xiàn)SiC基MOSFET產(chǎn)品較Si基產(chǎn)品能夠大幅減少DieSize，且表現(xiàn)性能更好。但是目前最大阻礙仍在于WaferCost，根據(jù)yoledevelopment測(cè)算，單片成本SiC比Si基產(chǎn)品高出7-8倍。日19.SC皎孚4/M能博支,M'p西士如rT*wwrrrrHvtviaT*wwrrrrHvtviaZksnigFA?rIOurnmAlb1|C.WMT'LIIK"IDN3-MA1rP'jrfi■avt3CAa.■*WmrnaMiMftrFiira!in<Minj.g?lARiffl'CJHWFKILaCC3.C|i^?，Qw-■?CA3.U*XBaXWmn1B5WUI4D12FS00a?1Uhra2.?IU.±rrma修-岸總源：PD廟曲修-岸總源：PD廟曲V國(guó)軍bE自理；噴良送書(shū)疏電N小拜餐迷:居1國(guó)維他值；如梟玄啰典忘沔過(guò)上21-也基過(guò)上21-也基IGST勺蜀北我盎MOSFETwafercost片度界U」上尊：比的g卿用印A國(guó)K：工參睛更嘮研究機(jī)構(gòu)IHS預(yù)測(cè)到2025年SiC功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到30億美元。在未來(lái)的10年內(nèi)，SiC器件將開(kāi)始大范圍地應(yīng)用于工業(yè)及電動(dòng)汽車領(lǐng)域?？v觀全球SiC主要市場(chǎng)，電力電子占據(jù)了2016-2017年最大的市場(chǎng)份額。該市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)因素是由于電源供應(yīng)和逆變器應(yīng)用越來(lái)越多地使用SiC器件。母裊22:做七世F*至"5母裊22:做七世F*至"5f0.下4?七/TheSICs?mlcorbduclormarkei產(chǎn)界木思二打赳依而新舊士田也淮*趣史趣理事上?.與七班產(chǎn)業(yè)任SiC近期產(chǎn)業(yè)化進(jìn)度加速，上游產(chǎn)業(yè)鏈開(kāi)始擴(kuò)大規(guī)模和鎖定貨源。我們根據(jù)整理CREE公告可以發(fā)現(xiàn)近期碳化硅產(chǎn)業(yè)化進(jìn)度開(kāi)始加速，ST、英飛凌等中游廠商開(kāi)始鎖定上游晶圓貨源： 2019年1月公告：CREE與ST簽署一項(xiàng)為期多年的2.5億美元規(guī)模的生產(chǎn)供應(yīng)協(xié)議，Wolfspeed將會(huì)向ST供應(yīng)150咂SiC晶圓。》2018年10月公告：CREE宣布了一項(xiàng)價(jià)值8,500萬(wàn)美元的長(zhǎng)期協(xié)議，將為一家未公布名稱的〃領(lǐng)先電力設(shè)備公司”生產(chǎn)和供應(yīng)SiC晶圓。?2018年2月公告Cree與英飛凌簽訂了1億美元的長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，為其光伏逆變器、機(jī)器人、充電基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)電源、牽引和變速驅(qū)動(dòng)器等產(chǎn)品提供SiC晶圓。二、5G加速推進(jìn)，射頻市場(chǎng)有望高速成長(zhǎng)海外率先商用，5G提速預(yù)期強(qiáng)烈海外5G率先商用，國(guó)內(nèi)5G推進(jìn)有望加速！4月3日，美國(guó)運(yùn)營(yíng)商Verizon宣布在部分地區(qū)推出5G服務(wù)；4月5日，韓國(guó)三大運(yùn)營(yíng)商宣布開(kāi)始針對(duì)普通消費(fèi)者的5G商用服務(wù)；4月10日，日本政府向四大運(yùn)營(yíng)商分配5G頻段，預(yù)計(jì)明年春正式商用；我們認(rèn)為，在海外5G積極推進(jìn)商用的節(jié)奏下，國(guó)內(nèi)5G有望加速?！觥鯨aunched(limitedabtlityj■Launched(no<i>3GPP)■2018■20192020■2021■2022隨著5G的推廣，從5G的建設(shè)需求來(lái)看，5G將會(huì)采取"宏站加小站”組網(wǎng)覆蓋的模式，歷次基站的升級(jí)，都會(huì)帶來(lái)一輪原有基站改造和新基站建設(shè)潮。2017年我國(guó)4G廣覆蓋階段基本結(jié)束，4G宏基站達(dá)到328萬(wàn)個(gè)。根據(jù)賽迪顧問(wèn)預(yù)測(cè)，5G宏基站總數(shù)量將會(huì)是4G宏基站1.1~1.5倍，對(duì)應(yīng)360萬(wàn)至492萬(wàn)5G宏基站。鴻毅近黃最立;隼建過(guò)直至■藐涮夢(mèng)野露津：茂蔭收卸.國(guó)歐疊旌.卷瞳直航于此同時(shí)在小站方面，毫米波高頻段的小站覆蓋范圍是10~20m，應(yīng)用于熱點(diǎn)區(qū)域或更高容量業(yè)務(wù)場(chǎng)景其數(shù)量保守估計(jì)將是宏站的2倍，由此我們預(yù)計(jì)5G小站將達(dá)到950萬(wàn)個(gè)。5G產(chǎn)業(yè)或用卡 他缽住居（京站4T5萬(wàn)個(gè)、小站號(hào)50萬(wàn)個(gè)）近站我我山貓左助與空向寺卻通“吉河冷位步近站我我山貓左助與空向寺卻通“吉河冷位步■SDR/NFVM^本案J光軒比蜿I"；錯(cuò)現(xiàn)虹運(yùn)抵用洸某虛聞應(yīng)用限弄在向聲.套和工易小基拈3鑰五醬，宏氈現(xiàn)制北域他計(jì)3000~5砒0元,小站等M無(wú)鰭SW-IOOO通壽今冬砧3科丸鋁時(shí)庭三小外型催乳.宏沾席任書(shū)就攢止翁升20M-500D死，小妹很舞由我史比預(yù)由500-1MCI比一?卜滋基曲整懦華格利計(jì)為5皿口“?？??？谄撸辶种?5。石；空西分嚇冷燒才力上也喊表車龍妣.很訃北.國(guó)5G企業(yè)颯野:用俞*恚此為E.：充.想競(jìng)皇林守佶訃?yán)?000?斤左寄.在空降揩500-1000汽色仿眄喀詁降主變包括比跳.傳蛻.惶T可瓦亞弁禾林文淳芋系統(tǒng)設(shè)能一一可運(yùn)營(yíng)商燉計(jì).在4G系蜒中通信冏站i￡谷曲短吊■艇過(guò)300口化無(wú)，寂們筐計(jì)5G&于SDMfNFVi：眄的網(wǎng)絡(luò)更用橋取鼠蛇伸世備科疏件定朵化解決矛案眄兩大上分.技計(jì)受會(huì)救得將對(duì)出均長(zhǎng)30%.a■于匚一iwn部署》人一RJRU薊BBU及算剖匯聚點(diǎn)眄前能耐林網(wǎng)勢(shì)，技計(jì)平均等小沙站所需花桿2KH.每小時(shí)痂需先掙。3KM.能用九芯數(shù)光猊（144芯），宏站見(jiàn)甯區(qū)站意擰或用軍力50%.戲站：475萬(wàn)117KM*50%=6&4忙號(hào)擊亶.小玷：用0萬(wàn)T.5KM*1的=0馴化曰4里.近13.&E化芯公里，光纖折悟力H150-1DO元與心里京傳：毋不在站掩梟二伊扇區(qū)，每牛島國(guó)一+0BU和RRLL善、或站常堂6年北理法一舐自傳所需：（475萬(wàn)+95。再■*6-85SQ萬(wàn)外.峭耕：盍站BBJ可轉(zhuǎn)常第1個(gè)元喔法、芨于C-RAN-每個(gè)BBU葉皮3個(gè)RRU,每個(gè)基片需■第1個(gè)時(shí)神光模塊.笈斫嘴:475萬(wàn)+。54萬(wàn)=14=5萬(wàn)個(gè).總計(jì)所需光程比；9975萬(wàn)十一255100G光槎炎量產(chǎn)后?延到正常有昭承受現(xiàn)樵普陵的部將I500-100C匕/個(gè)比他糧.修過(guò)好工娶色掙題.別近丑.可佗和:應(yīng)挑一身運(yùn)駕而創(chuàng)艮一投費(fèi)現(xiàn)以為為12D0尼元-5G阿絡(luò)呈雪毛忖如頭中化運(yùn)姓，用恁必沾總敕命多，也齊史雜厘很高-也頭中比，智七億的垃普明定一變讓名統(tǒng)”用心哎行小研用長(zhǎng)達(dá)劑1MOO加元.5G面的物座碑、莖夜醫(yī)療.工址網(wǎng)互聯(lián)笨玨勢(shì)的筆現(xiàn)系廢與度用眼普.料不同于相國(guó)輅.包括行業(yè)審次方案.統(tǒng)映附邛內(nèi).大5US莊川平.一句運(yùn)言商的瀏復(fù)-友陽(yáng)誄守生什本5GM培上更沒(méi)時(shí)期.先投堂?登領(lǐng)行:化元_制同螞心E-停沒(méi)獨(dú)與工程過(guò)：七川朝密云1350送元.捏苴法等J 5G的用比博行15%玉30%,超升追1.6001二元W556;11.25ID5O2600ssg.2997.513001M01600氮化鎵將占射頻器件市場(chǎng)半壁江山基站建設(shè)將是氮化鎵市場(chǎng)成長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力之一。Yoledevelopment數(shù)據(jù)顯示，2018年，基站端氮化鎵射頻器件市場(chǎng)規(guī)模不足2億美元，預(yù)計(jì)到2023年，基站端氮化鎵市場(chǎng)規(guī)模將超5億美元。氮化鎵射頻器件市場(chǎng)整體將保持23%的復(fù)合增速，2023年市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)13億美元。

氮化鎵將占射頻器件市場(chǎng)半壁江山。在射頻器件領(lǐng)域，目前LDMOS（橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）、GaAs（砷化鎵）、GaN（氮化鎵）三者占比相差不大，但據(jù)Yoledevelopment預(yù)測(cè)，至2025年，砷化鎵市場(chǎng)份額基本維持不變的情況下，氮化鎵有望替代大部分LDMOS份額，占據(jù)射頻器件市場(chǎng)約50%的份額。國(guó)422鼻森耳伴聲與群有sox如LDMOSMsox如LDMOSM如浦15 ?I4KI72014制種加就30QI葡口?2JBW遵著定涯二里址、國(guó)興謔崇濟(jì)完好5G時(shí)代，射頻元件是化合物半導(dǎo)體的天下早在802.11a技術(shù)開(kāi)始商用時(shí)期，Wifi通訊頻段提升至5GHz，基于硅基的CMOS射頻PA組件已經(jīng)逐漸消失；當(dāng)進(jìn)一步升級(jí)至毫米波頻段，使用28GHz、39GHz乃至70GHz，在可見(jiàn)的未來(lái)，都是化合物半導(dǎo)體的天下。目前6GHz以下的PA組件，主要使用的材料制程為GaAsHBT；28GHz39GHz在移動(dòng)端使用GaAsHEMT，在小基站使用GaNHEMT。與赤z更/阿娓e中展時(shí)光京就盧學(xué)#斑楙理榆E5GH2以下GaA,HETT吉桂千帆：G3ASHEMT.小要耳繼：GJNHEI4T670GH2以上JriiPHBT.GaNIHEMTGaAiHEMT化合物半導(dǎo)體的特性更適用于5G技術(shù)。5G的射頻元件能滿足更高的頻段、更多的頻段、更快的速度、更小的尺寸，傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體面臨技術(shù)困難，而化合物半導(dǎo)體可以有效解決毫米波帶來(lái)的問(wèn)題。化合物半導(dǎo)體在功率、線性度、工作頻率、效率、可靠性更適合5G技術(shù)。CMOS產(chǎn)品面臨擊穿電壓低、襯底絕緣性差、高頻損耗大等先天缺陷，多個(gè)特性無(wú)法滿足要求。在5G時(shí)代，硅工藝的射頻器件由于小型化導(dǎo)致?lián)舸╇妷合陆?，從而最大輸出功率也隨之下降，化合物半導(dǎo)體則有更好表現(xiàn)。skyworks的GaAsPA產(chǎn)品可以做到78%，而最好的硅基CMOSPA產(chǎn)品只能做到57%。未來(lái)多模多頻移動(dòng)端PA用量增加兩倍以上。移動(dòng)終端所需要的PA芯片數(shù)量與其支持的頻段數(shù)正相關(guān)，一般4G手機(jī)需要4個(gè)PA芯片，多模多頻終端所需要的PA芯片一般為5~7個(gè)，以iPhone6為例，其使用了

6個(gè)PA芯片。5G時(shí)代支持頻段數(shù)量能多，且需要向下兼容前代通訊制式，未來(lái)單個(gè)移動(dòng)終端可能需要16個(gè)PA芯片?；衔锇雽?dǎo)體增速遠(yuǎn)高于半導(dǎo)體整體增速，化合物射頻組件穩(wěn)定增長(zhǎng)。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2015年，全球化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模約240億美元，LED占比超過(guò)50%，射頻通訊組件約40%。到2020年，化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)將成長(zhǎng)至440億美元，CARG為12.9%，是整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)增速6.5%的兩倍。化合物射頻組件中主要為功率放大器，GaAs在化合物射頻組件占比94%；GaN射頻器件占比雖小，但增速較快，有望在5年內(nèi)爆發(fā)，市場(chǎng)規(guī)模從2015年的3.0億美元增長(zhǎng)到2020年的6.3億美元。H要3那什也需型SKPA抵押我就.j/H要3那什也需型SKPA抵押我就.j/函di憎的mmr雷可抵承學(xué)能用力函埃埃舞.出也1T丘宛.天工FG土揚(yáng)卻鷺尊5傳不思格林也不K金加陛的事5aB前也一觸霜如顆[ N::.TL:MH —里左廉河朝乩國(guó)圣廬行卻再修化合物射頻器件市場(chǎng)集中度高，市場(chǎng)格局相對(duì)穩(wěn)定。因?yàn)镚aAs工藝PA技術(shù)門檻較高，所以PA市場(chǎng)具有集中度非常高。PA的主要設(shè)計(jì)公司有Skyworks、Qorvo和Avago三家。GaAs晶圓代工廠主要是臺(tái)灣的穩(wěn)懋半導(dǎo)體、宏捷科技和美國(guó)的TriQuint，三家的市場(chǎng)占有率超過(guò)85%oAvago和Skyworks除芯片設(shè)計(jì)的主要業(yè)務(wù)外，也有部分產(chǎn)能，當(dāng)自身產(chǎn)能不足時(shí)會(huì)給臺(tái)灣代工廠商訂單Avago的代工廠商是穩(wěn)懋，Skyworks代工廠商是宏捷科技，Qorvo沒(méi)有代工廠商。三、相關(guān)標(biāo)的三安光電：全工藝平臺(tái)布局，持續(xù)加碼化合物半導(dǎo)體，UI-V族龍頭正式起航我們認(rèn)為III-V族化合物半導(dǎo)體是三安光電下一個(gè)十年的核心成長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)及跟蹤重點(diǎn)5G無(wú)線通訊基站、智能手機(jī)、WiFi與光纖等高速數(shù)據(jù)傳輸、汽車/工業(yè)/太陽(yáng)能等功率芯片，都將對(duì)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)生強(qiáng)勁的需求。繼此前與華芯投資（集成電路產(chǎn)業(yè)大基金