半導(dǎo)體制造前道工藝

半導(dǎo)體制造前道工藝謝梓建Attention在參考資料的時候，有的步驟或是工藝在不同資料里面的說法有點出入，所以本PPT可能有很多不對的地方，希望大家多多指正。前道工序晶圓處理清洗氧化化學(xué)氣相沉積光刻蝕刻晶圓針測制作晶圓晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。晶圓處理工序本工序主要是通過清洗、氧化、化學(xué)氣相沉積、涂膜、曝光、顯影、蝕刻、離子植入、金屬濺鍍等反復(fù)步驟在晶圓上制作電路及電子元件，最終在晶圓上完成數(shù)層電路及元件加工與制作。清洗：用特殊的清洗機和不同的清洗劑進(jìn)行多道清洗。用于減少污染物。氧化：使硅片表面形成氧化膜。主要方法有熱氧化法及氣相成長法。（絕緣、保護(hù)等作用）化學(xué)氣相沉積：反應(yīng)物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成固態(tài)物質(zhì)沉積在加熱的固態(tài)基體表面，進(jìn)而制得固體材料的工藝技術(shù)。光刻加工光刻是一種利用類似于照片洗印的原理通過曝光和選擇性化學(xué)腐蝕將掩膜版上的集成電路印制到硅片上的精密表面加工技術(shù)。硅片清洗烘干（用于減少污染物，減少缺陷，使光刻膠更容易粘附。）涂底旋轉(zhuǎn)涂膠*（利用離心力）軟烘（去除圓片表面的潮氣，增加粘附性）邊緣光刻膠的去除對準(zhǔn)*曝光*（接觸、接近、投影、步進(jìn)）后烘（平衡駐波效應(yīng)，提高分辨率。）顯影*硬烘（提高刻蝕和注入的抵抗力，提高粘附性）清洗預(yù)烘和底膜涂覆蝕刻通常所指蝕刻也稱光化學(xué)蝕刻，指通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除，在蝕刻時接觸化學(xué)溶液，達(dá)到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。（選擇性刻蝕轉(zhuǎn)移光刻膠上的IC設(shè)計圖形到晶圓表面）干法蝕刻濕法蝕刻（HNO3-HF-H2O(HAC)）離子注入用離子束去撞擊固態(tài)物體。固態(tài)物體會對離子束的運動產(chǎn)生阻礙，使其最終留在固體中，這一現(xiàn)象就是離子注入。(摻雜、真空、低溫、加速)晶元針測經(jīng)過上道工序后，晶圓上就形成了一個個的晶粒，然后用針測儀對每個晶粒檢測其性能，將不合格的晶粒標(biāo)上記號