第四章三極管

第四章三極管及放大電路基礎半導體三極管基本放大電路主要內容：

1、半導體三極管的結構及工作原理，放大電路的三種基本組態(tài)；

2、靜態(tài)工作點Q的不同選擇對非線性失真的影響；

3、用H參數(shù)模型計算共射極放大電路的主要性能指標；

4、共集電極放大電路和共基極放大電路的工作原理；

5、組合放大電路；

6、三極管放大電路的頻率響應。

1、了解半導體三極管的工作原理、特性曲線及主要參數(shù)；

2、了解半導體三極管放大電路的分類；

3、掌握用圖解法和小信號分析法分析放大電路的靜態(tài)及動態(tài)工作情況；

4、理解放大電路的工作點穩(wěn)定問題；

5、了解放大電路的頻率響應及各元件參數(shù)對其性能的影響?；疽螅喊雽w三極管（BJT-----T）頻率：高頻管、低頻管功率：材料：小、中、大功率管硅管、鍺管類型：NPN型、PNP型半導體三極管是具有電流放大功能的元件2.4х2.9mm晶體三極管的結構及特點發(fā)射結

集電結基極發(fā)射極

集電極晶體三極管是由兩個PN結組成的發(fā)射區(qū)基區(qū)

集電區(qū)？不同名三極管電流分配

半導體三極管在工作時一定要加上適當?shù)闹绷髌秒妷骸９ぷ髟诜糯鬆顟B(tài)需要具備如下外部條件：1、發(fā)射結加正向電壓（正偏）；2、集電結加反向電壓（反偏）。同時，還需要具備內部條件：三個區(qū)具有不同的特點：1、發(fā)射區(qū)高濃度雜質；2、基區(qū)很薄三極管（T）的工作原理

發(fā)射結加正偏時，從發(fā)射區(qū)將有大量的電子向基區(qū)擴散，形成的電子流為IEN（e區(qū)高濃度摻雜）從基區(qū)向發(fā)射區(qū)也有空穴的擴散運動，但其數(shù)量相對較少，形成的電流為IEP。（這是因為發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠大于基區(qū)的摻雜濃度。）

進入基區(qū)的電子流因基區(qū)的空穴濃度低，被復合的機會較少。又因基區(qū)很薄，在集電結反偏電壓的作用下，電子在基區(qū)停留的時間很短，很快就運動到了集電結的邊上，進入集電結的結電場區(qū)域，被集電極所收集，形成集電極電子流ICN。（只有）靠近基極的電子被拉走，形成的電子流是IBN。另外因集電結反偏，使集電結區(qū)的少子形成漂移電流ICBO。集電結是否會變厚？結論：不會！電子進入集電結后不會停留，迅速又被拉走，不影響原來結的厚度三極管放大電路組態(tài)的判別方法：1、接地的電極決定組態(tài)2、找出與輸入信號、輸出信號連接的電極，空出的電極決定組態(tài)e接地------b接地------c接地------共射極共基極共集電極b接輸入，c接輸出------共射極e接輸入，c接輸出------共基極b接輸入，e接輸出------共集電極共基極共射極共集電極三極管的電流關系共集電極接法：集電極作為公共端；共基極接法：基極作為公共端。共發(fā)射極接法：發(fā)射極作為公共端；各極電流之間的關系式共基極電流傳輸系數(shù)。因ICBO較小，所以又因則，IC≈IE因ICEO較小，所以共發(fā)射極電流放大系數(shù)。IE=IC+IB>>1IE=IC+IB三極管的放大作用發(fā)射結外加電壓盡管電流沒有放大，但電壓得到放大了首先判斷外部條件共射極方式是否滿足外部工作條件？半導體三極管的特性曲線（以共射極組態(tài)為例）

iB是輸入電流，vBE是加在B、E兩極間的輸入電壓。輸入特性曲線—

iB=f(vBE)

vCE=常數(shù)共發(fā)射極接法的輸入特性曲線：其中vCE=0V的那一條相當于發(fā)射結的正向特性曲線；當vCE≥1V時，vCB=vCE

-vBE>0，集電結已進入反偏狀態(tài)，開始收集電子，基區(qū)復合減少，對應相同的vBE，

iB會有所減少，特性曲線將向右稍微移動一些；但vCE再增加時，曲線右移很不明顯（理由？iB-----iC）。

鍺管0.1~0.3V硅管0.6~0.8VvBE強調變化的部分導通電壓輸出特性曲線—

iC=f(vCE)

iB=常數(shù)

iC是輸出電流，vCE是輸出電壓（針對前面的電路圖）。

⑴放大區(qū)：發(fā)射結正偏、集電結反偏⑵截止區(qū)：

IB=0以下的區(qū)域。⑶飽和區(qū)：發(fā)射結和集電結均為正偏IC隨著VCE的變化而迅速變化。工程上以VCE=0.3伏作為放大區(qū)和飽和區(qū)的分界線。發(fā)射結和集電結均為反偏稱為“飽和”的原因是：盡管發(fā)射結正偏，大量電子來到基區(qū)，但由于集電結收集電子能力不足，大量電子無法越過，即使再增加IB也對IC沒有作用，相當于“飽和”，而隨著反偏電壓的增加，電流線性增加詳細解析輸入特性曲線和輸出特性曲線的機理：++--圖a為放大的必要條件，即Je正偏，Jc反偏從圖中可以看出，實際上，VCE=VCB+VBE（解釋：電壓從C到E逐漸降低）圖b為共射極接法，判斷是否在放大區(qū)：①Je正偏毫無問題；②Jc是否反偏，即是否VC>VB，即VCB>0；因為VCB=VCE-VBE；

所以，只要VCC>VBB就可以滿足。圖c為輸入特性曲線①VCE為0時（即不接C、E間電壓），就是普通的二極管伏安特性曲線，此時Jc沒有拉電子的能力②當VCE>0時（理解為Jc開始反偏），對于同樣的VBE，由于C區(qū)開始拉走電子，對應的iB必然減小，形成不同的VCE時曲線右移的情況③當VCE>1時，曲線基本不再移動（即此時該被拉走的電子已基本走了，所以不會再減少了）④強調今后只研究右邊這一條！iB=f(vBE)

vCE=常數(shù)圖a圖b圖c詳細解析輸入特性曲線和輸出特性曲線的機理：圖d為輸出特性曲線放大區(qū)，不同的iB對應不同的iC，iC=βiB，以某個iB為例。①VCE很?。?）時，JC無反偏，也就沒有iC；②VCE開始逐漸增加，此時基區(qū)堆積已經(jīng)有固定數(shù)量的電子，所以隨著Jc開始反偏，iC也開始增加；③VCE繼續(xù)增加，同樣因為iB是固定的，堆積的電子數(shù)也是固定的，因此，當VCE增加到一定數(shù)值后，原來堆積的電子（注意是單位時間內堆積的）就已全部被拉到C區(qū)了，此時即使再增加電壓VCE也不會使iC增加了；④而對于不同的iB（其實也就是不同的VBE），當VCE很小（為0）時堆積在B區(qū)的電子數(shù)是不一樣的，iB越大堆得越多，也就需要更大的VCE才能將堆積的電子全部拉走，即這時VCE增加iC也繼續(xù)增加，然后才會在某一電壓下轉折；⑤放大區(qū)，曲線的間距相等是因為滿足：iC=βiBiC=f(vCE)

iB=常數(shù)圖d詳細解析輸入特性曲線和輸出特性曲線的機理：圖d為輸出特性曲線①截止區(qū)討論：

若iB很小（其實也就是對應的VBE很?。?，即基區(qū)沒有從發(fā)射區(qū)來的多余電子，則VCE再大也只是本身的少子漂移，形成的iC電流很小很小（幾乎為0），稱為截止區(qū)；②飽和區(qū)討論：（VCE很小的那個區(qū)域）由于有一定的VBE，所以大量電子積壓在基區(qū)，而且VBE不同積壓的數(shù)量也不同，但即使將VBE（iB）增加很多，但由于此時沒有VCE，即JC沒有收集電子到集電區(qū)的能力，所以iC幾乎不增加。這種情況當VCE

很小的時候也是這樣。因此叫飽和區(qū)（再怎么增加iB

iC也幾乎不增加，就像一個小水杯倒?jié)M了水，再倒里面的水也不會再增加的現(xiàn)象一樣，即“飽和”）；所以：

電子能否通過Jc取決于VCE，而當VCE足夠大后，iC的大小就要取決于iB了

那么，VCE多大時認為基區(qū)的電子都能過去呢？顯然，是因iB的不同而不同。iB大也就堆積的多，就需要VCE也大。工程上，一般取個均值：0.3V左右。圖d注意：截止區(qū)和飽和區(qū)不滿足電流關系測量三極管三個電極對地電位，試判斷三極管的工作狀態(tài)。放大截止飽和-+正偏反偏-++-正偏反偏+-放大Vc>Vb>Ve放大Vc<Vb<Ve發(fā)射結和集電結均為反偏。發(fā)射結和集電結均為正偏。例1：發(fā)射結正偏集電結反偏。

測得VB=4.5

V、VE=3.8

V、VC=8

V，試判斷三極管的工作狀態(tài)。放大例2：半導體三極管的參數(shù)

直流參數(shù)、交流參數(shù)、極限參數(shù)①直流電流放大系數(shù)

1.共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)

=（IC－ICEO）/IB≈IC/IB

vCE=常數(shù)一.直流參數(shù)

2.共基極直流電流放大系數(shù) =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE 顯然與之間有如下關系:=IC/IE=IB/1+IB=/1+②極間反向電流

1.集電極基極間反向飽和電流ICBO

ICBO的下標CB代表集電極和基極，

O是Open的字頭，代表第三個電極E開路。它相當于集電結的反向飽和電流。

2.集電極發(fā)射極間的反向飽和電流ICEO

ICEO和ICBO有如下關系

ICEO=（1+）ICBO

相當基極開路時，集電極和發(fā)射極間的反向飽和電流，即輸出特性曲線IB=0那條曲線所對應的Y坐標的數(shù)值。二.交流參數(shù)①交流電流放大系數(shù)

1.共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)

=iC/iBvCE=const在放大區(qū)值基本不變，通過垂直于X軸的直線由iC/iB求得。

在輸出特性曲線上求β

2.共基極交流電流放大系數(shù)α

α=iC/iE

VCB=const當ICBO和ICEO很小時，可以不加區(qū)分。②特征頻率fT

三極管的值不僅與工作電流有關，而且與工作頻率有關。由于結電容的影響，當信號頻率增加時，三極管的將會下降。當下降到1時所對應的頻率稱為特征頻率，用fT表示。①集電極最大允許電流ICM

三極管集電極最大允許電流ICM。當IC＞ICM時，管子性能將顯著下降，甚至會損壞三極管。②集電極最大允許功率損耗PCM

集電極電流通過集電結時所產生的功耗，

PCM=ICVCB≈ICVCE，因發(fā)射結正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集電結上。在計算時往往用VCE取代VCB。三.極限參數(shù)③反向擊穿電壓

1.V(BR)CBO——發(fā)射極開路時的集電結擊穿電壓。下標BR代表擊穿之意，是Breakdown的字頭，CB代表集電極和基極，O代表第三個電極E開路。

2.V(BR)EBO——集電極開路時發(fā)射結的擊穿電壓。

3.V(BR)CEO——基極開路時集電極和發(fā)射極間的擊穿電壓。對于V(BR)CER表示BE間接有電阻，V(BR)CES表示BE間是短路的。幾個擊穿電壓在大小上有如下關系

V(BR)CBO≈V(BR)CES＞V(BR)CER＞V(BR)CEO＞V(BR)EBO由PCM、ICM和V(BR)CEO在輸出特性曲線上可以確定過損耗區(qū)、過電流區(qū)和擊穿區(qū)。

輸出特性曲線上的過損耗區(qū)和擊穿區(qū)半導體三極管的型號國家標準對半導體三極管的命名如下:3

D

G

110B

第二位：A鍺PNP管、B鍺NPN管、

C硅PNP管、D硅NPN管

第三位：X低頻小功率管、D低頻大功率管、

G高頻小功率管、A高頻大功率管、K開關管材料器件的種類同種器件型號的序號同一型號中的不同規(guī)格三極管雙極型三極管的參數(shù)參

數(shù)型

號

PCM

mW

ICM

mAVR

CBO

VVR

CEO

VVR

EBO

V

IC

BO

μA

f

T

MHz3AX31D

125

125

20

12≤6*≥

83BX31C

125

125

40

24≤6*≥

83CG101C

100

30

450.1

1003DG123C

500

50

40

300.353DD101D

5A

5A

300

2504≤2mA3DK100B

100

30

25

15≤0.1

3003DKG23250W

30A

400

325

8注：*為f

目前比較常見、常用的三極管型號：

9012（PNP）

9013（NPN）

8050（NPN）

基本放大電路基本放大電路一般是指由一個三極管與相應元件組成的三種基本組態(tài)放大電路。共發(fā)射極、共基極、共集電極放大電路的主要技術指標(1)放大倍數(shù)(2)輸入電阻Ri(3)輸出電阻Ro(4)通頻帶(1)放大倍數(shù)

輸出信號的電壓和電流幅度得到了放大，所以輸出功率也會有所放大。對放大電路而言有電壓放大倍數(shù)、電流放大倍數(shù)和功率放大倍數(shù),通常它們都是按正弦量定義的。電壓放大倍數(shù)電流放大倍數(shù)功率放大倍數(shù)(2)輸入電阻

Ri

輸入電阻是表明放大電路從信號源吸取電流大小的參數(shù)，Ri大放大電路從信號源吸取的電流小，反之則大。(3)輸出電阻Ro

輸出電阻是表明放大電路帶負載的能力，Ro大表明放大電路帶負載的能力差，反之則強。

注意：放大倍數(shù)、輸入電阻、輸出電阻通常都是在正弦信號下的交流參數(shù)，只有在放大電路處于放大狀態(tài)且輸出不失真的條件下才有意義。使VS=0的原因是：輸出端可以等效為一個輸出電壓（受控電壓源）與輸出電阻的串聯(lián)，我們要求輸出電阻，但輸出電壓（即此受控電壓源）此時會影響測試電流的大小，只有使VS=0，輸出電壓才會為0，從而不影響測試電流(4)通頻帶BW相應的頻率fL稱為下限頻率，fH稱為上限頻率。

放大電路的增益A(f)是頻率的函數(shù)。在低頻段和高頻段放大倍數(shù)都要下降。當A(f)下降到中頻電壓放大倍數(shù)A0的1/

時，即基本放大電路的工作原理共發(fā)射極基本放大電路的組成三極管T起放大作用。偏置電路VCC

、Rb提供電源，并使三極管工作在放大區(qū)。耦合電容C1、C2輸入耦合電容C1保證信號加到發(fā)射結，不影響發(fā)射結偏置。輸出耦合電容C2保證信號輸送到負載，不影響集電結偏置。負載電阻RC、RL將變化的集電極電流轉換為電壓輸出。組態(tài)的判別外部條件的判別

(2)靜態(tài)和動態(tài)靜態(tài):

時，放大電路的工作狀態(tài)，也稱直流工作狀態(tài)（使三極管滿足外部條件）。放大電路建立正確的靜態(tài)，是保證動態(tài)工作的前提。分析放大電路必須要正確地區(qū)分靜態(tài)和動態(tài)，正確地區(qū)分直流通路和交流通路。動態(tài):

時，放大電路的工作狀態(tài)，也稱交流工作狀態(tài)（在Q點附件小信號變化）。畫交流通路原則：1、電容短路；2、直流電源短路（接地）(3)直流通路和交流通路

(a)直流通路直流通路

僅僅通過直流的通路。交流通路僅僅通過交流的電路通路。

(b)交流通路畫直流通路原則：1、電容開路；2、去掉無關的器件可用疊加原理解釋靜態(tài)動態(tài)(4)放大原理

輸入信號通過耦合電容加在三極管的發(fā)射結，于是有下列過程：三極管放大作用變化的通過轉變?yōu)樽兓碾妷狠敵龇糯箅娐返幕痉治龇椒?/p>

①靜態(tài)工作狀態(tài)的計算分析法

IBQ、ICQ和VCEQ這些量代表的工作狀態(tài)稱為靜態(tài)工作點，用Q表示。在測試基本放大電路時，往往測量三個電極對地的電位VBQ、VEQ和VCQ即可確定三極管靜態(tài)工作狀態(tài)（外部工作條件）。根據(jù)直流通路對放大電路的靜態(tài)進行計算注意順序?。、陟o態(tài)工作狀態(tài)的圖解分析法非線性電路線性電路+VCEQ–圖解法的必要性：1、也可獲得工作點；2、直觀了解工作點設置不當引起的后果；3、掌握一種分析方法圖是傳統(tǒng)的共射極電路線性電路在輸入特性曲線上，作出直線

,兩線的交點即是Q點，得到IBQ。②靜態(tài)工作狀態(tài)的圖解分析法輸入特性部分不僅得到了輸入特性中的Q點，也通過這部分確定了在輸出特性曲線中所使用的是那一條曲線！（為什么？）1.由直流負載線vCE=VCC－iCRC

VCC、VCC/Rc3.得到Q點的參數(shù)IBQ、ICQ和VCEQ。2.在輸出特性曲線上確定兩個特殊點,即可畫出直流負載線。4.當Vcc=12V、Rc=4kΩ時，由圖，交IBQ=40μA，ICQ=1.5mA，VCEQ=6V，Vcc/Rc=3②靜態(tài)工作狀態(tài)的圖解分析法輸出特性部分直流負載線：與輸出端相連的電阻叫負載電阻，而在直流情況下構成直流負載電阻Rc，此時iC與vCE之間的關系的直線就是直流負載線。放大電路的動態(tài)圖解分析（1）交流負載線1.從B點通過輸出特性曲線上的Q點做一條直線，其斜率為-1/R'L。2.R'L=RL∥Rc，是交流負載電阻。

3.交流負載線是有交流輸入信號時工作點的運動軌跡。

4.交流負載線與直流負載線相交Q點。交流負載線按下述方法得到：靜態(tài)工作點（Q）的變化：Rb、Rc變化（設置的變化）引起的；有交流信號時工作點的變化：輸入交流信號的變化引起的。引入交流負載線的理由：真正的輸入信號使電路的工作點沿交流負載線變化，而不是直流負載線(2)交流工作狀態(tài)的圖解分析可直觀地認為導通的發(fā)射結相當于一個小電阻。電壓變化引起電流變化，且規(guī)律相同（特別是相位相同）。(2)交流工作狀態(tài)的圖解分析注意相位反相①波形的失真飽和失真截止失真

由于放大電路的工作點達到了三極管的飽和區(qū)而引起的非線性失真。對于NPN管，輸出電壓表現(xiàn)為底部失真。

由于放大電路的工作點達到了三極管的截止區(qū)而引起的非線性失真。對于NPN管，輸出電壓表現(xiàn)為頂部失真。(3)最大不失真輸出幅度

注意：對于PNP管，由于是負電源供電，失真的表現(xiàn)形式，與NPN管正好相反。所謂工作點指的就是因為有了交流信號后，瞬時的CE、iC在輸出特性曲線坐標系中所處的位置飽和失真的波形截止失真的波形波形（動畫3-3）②放大電路的最大不失真輸出幅度

放大電路要想獲得大的不失真輸出幅度，需要：

1.工作點Q要設置在輸出特性曲線放大區(qū)的中間部位；

2.要有合適的交流負載線。

（4）圖解分析法的適用范圍幅度較大而工作頻率不太高的情況優(yōu)點：直觀、形象。有助于建立和理解交、直流共存，靜態(tài)和動態(tài)等重要概念；有助于理解正確選擇電路參數(shù)、合理設置靜態(tài)工作點的重要性。能全面地分析放大電路的靜態(tài)、動態(tài)工作情況。缺點：不能分析工作頻率較高時的電路工作狀態(tài)，也不能用來分析放大電路的輸入電阻、輸出電阻等動態(tài)性能指標。三極管的低頻小信號模型

(1)模型的建立

1.三極管可以用一個模型來代替。2.對于低頻模型可以不考慮結電容的影響。3.小信號意味著三極管在線性條件下工作。h參數(shù)模型（回想輸入、輸出特性曲線）問題：

1、前面的計算法只解決了靜態(tài)工作點的計算，但動態(tài)如何計算？

2、在小信號時第三章曾經(jīng)有模型，使計算簡化，如何利用這種模式很奇怪的形式！輸入輸出好像沒有關系了??！hfeib1、二極管小信號模型2、vce對輸入特性曲線有微弱的影響（物理概念）1、輸出特性曲線的近似形狀2、略微上翹的特性曲線代表對的微弱影響（2)模型中的主要參數(shù)rbe

交流輸入電阻

iB——輸出電流源表示三極管的電流放大作用①hie為輸入電阻，即rbe。②hre為電壓反饋系數(shù)，即μr。③hfe為電流放大系數(shù)，即。

④hoe為輸出電導，即1/rce。關于rbe的計算：（P104）從PN結著手rbe=rbb’+（1+β）re這里，rbb’是基區(qū)體電阻，一般認為約為200~300；

re是發(fā)射結電阻

忽略發(fā)射區(qū)電阻b’be

(3)模型簡化

μr反映三極管內部的電壓反饋，因數(shù)量很小，一般可以忽略。

1/rce與電流源并聯(lián)時，分流極小，可作開路處理。用H參數(shù)小信號模型分析共射極基本放大電路

(1)小信號（微變）等效電路原理圖→交流通路微變等效電路（H參數(shù)模型）↓畫交流通路原則：1、電容短路；2、直流電源短路（接地）注意：這是在對交流信號通過電路時的效果進行分析對位替換(2)電壓增益(3)輸入電阻Ri(4)輸出電阻（注意條件：Vs=0,RL=）Ro穩(wěn)定工作點I1分壓式偏置VBQI1=(5~10)IBQVBQ=(3~5)VIBQ(1)確定工作點:QIE+VE-VB+VBE-穩(wěn)定過程IBICVCE基本放大電路存在缺點(2)電壓增益工作點穩(wěn)定，增益下降。解決這個矛盾的方法是加電容Ce。(3)輸入電阻Ri輸入電阻提高了，相當于增加了一個(1+β)Re的電阻。(4)輸出電阻Ro由KVL：Rc例1：解：求電路的靜態(tài)參數(shù)（VB、IB、IC、VCE)，及動態(tài)參數(shù)（AV、Ri、Ro)。（rbb’=300）根據(jù)直流通路求靜態(tài)參數(shù)VBQIBQICQ根據(jù)微變等效電路求動態(tài)參數(shù)1.電壓放大倍數(shù)2.輸入電阻Ri3.輸出電阻Ro（輸出端開路，輸入電壓為零）RiRi'根據(jù)微變等效電路求動態(tài)參數(shù)主要取決于rbe例2：解：求電路的靜態(tài)參數(shù)（VB、IB、IC、VCE)，及動態(tài)參數(shù)（AV、Ri、Ro)。（rbb’=300）根據(jù)直流通路求靜態(tài)參數(shù)與例1結果完全相同VBQIBQICQ根據(jù)微變等效電路求動態(tài)參數(shù)1.電壓放大倍數(shù)電流有放大！小于1！有意義嗎？根據(jù)微變等效電路求動態(tài)參數(shù)2.輸入電阻Ri3.輸出電阻Ro（輸出端開路，輸入電壓為零）RiRi'主要取決于Rb’例3：電路的參數(shù)不變，若β增加一倍，靜態(tài)參數(shù)（IB、IC、VCE)，及動態(tài)參數(shù)（AV、Ri、Ro)如何變化。(1)靜態(tài)參數(shù)∴

β增加一倍，ICQ、VCEQ不變，

IBQ減小一倍。（2）動態(tài)參數(shù)Ro

不變rbe增加，使得Ri增加值增加一倍：AV略有增大。例4：電路的參數(shù)不變，若斷開Ce，靜態(tài)參數(shù)（IBQ、ICQ、VCEQ)，及動態(tài)參數(shù)（AV、Ri、Ro)如何變化。(1)斷開Ce后，靜態(tài)參數(shù)不變。（2）斷開Ce后，動態(tài)參數(shù)AV減小，Ri增大，Ro

不變。共集電極電路（1）求工作點：QQ先畫直流通路判斷外部工作條件再畫交流通路(2)電壓增益輸入電壓與輸出電壓同相電壓跟隨器（小于1）（3）輸入電阻+-Ri（4）輸出電阻Ro電壓增益<1，輸入電壓與輸出電壓同相，輸入電阻高，輸出電阻低。再次注意電流方向！！很容易與前后級電路配合，所以常用作“隔離級”或“輸出級”共基極電路(1)直流分析

與分壓式偏置的共射組態(tài)完全相同。先畫直流通路判斷外部工作條件再畫交流通路VBQICQIBQVCEQ(2)交流分析①電壓放大倍數(shù)②輸入電阻③輸出電阻Ro≈RC放大電路的頻率響應幅頻特性是描繪輸入信號幅度固定，輸出信號的幅度隨頻率變化而變化的規(guī)律。在放大電路的通頻帶中給出了頻率特性的概念：幅度頻率特性：相位頻率特性相頻特性是描繪輸出信號與輸入信號之間相位差隨頻率變化而變化的規(guī)律。

放大電路的幅頻特性和相頻特性，統(tǒng)稱為頻率響應。因放大電路對不同頻率成分信號的增益不同，從而使輸出波形產生失真，稱為幅度頻率失真，簡稱幅頻失真。放大電路對不同頻率成分信號的相移不同，從而使輸出波形產生失真，稱為相位頻率失真，簡稱相頻失真。幅頻失真和相頻失真是線性失真。產生頻率失真的原因

1.放大電路中存在電抗性元件，

例如：耦合電容、旁路電容、分布電容、變壓器、分布電感等;

2.三極管的()是頻率的函數(shù)。在研究頻率特性時，三極管的低頻小信號模型不再適用，而要采用高頻小信號模型。RC低通電路的頻率響應電壓放大倍數(shù)(傳遞函數(shù))為

RC低通電路的頻率特性曲線幅頻特性的X軸和Y軸都是采用對數(shù)坐標,稱為上限截止頻率。當時，幅頻特性將以十倍頻20dB的斜率下降，或寫成-20dB/dec。在處的誤差最大，有－3dB。當時，相頻特性將滯后45°，并具有

-45/dec的斜率。在0.1和10