標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 2900.32-1994 電工術(shù)語 電力半導(dǎo)體器件》相較于《GB 2900.32-1982》進(jìn)行了多方面的調(diào)整和更新,主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:
首先,在標(biāo)準(zhǔn)的性質(zhì)上,《GB 2900.32-1994》從強(qiáng)制性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)(GB)轉(zhuǎn)變?yōu)橥扑]性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)(GB/T),這表明了標(biāo)準(zhǔn)適用范圍的變化,即由原先要求必須遵守轉(zhuǎn)為建議采用。
其次,在內(nèi)容上,《GB/T 2900.32-1994》增加了許多新的術(shù)語定義。隨著電力半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,新型器件不斷涌現(xiàn),如IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管)等更先進(jìn)的元件被納入其中,并給予了明確的專業(yè)解釋。
再者,對(duì)于原有術(shù)語,《GB/T 2900.32-1994》也做了部分修訂和完善。例如,某些舊版中可能存在的模糊不清或過時(shí)表述得到了澄清與更新,使得整個(gè)文檔更加符合當(dāng)時(shí)的技術(shù)水平及行業(yè)需求。
此外,《GB/T 2900.32-1994》還對(duì)一些基本概念進(jìn)行了重新分類整理,使其結(jié)構(gòu)更為合理、邏輯更加清晰。通過這種方式,不僅方便了讀者查閱相關(guān)信息,也有利于促進(jìn)相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)知識(shí)的傳播與交流。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 1994-05-16 頒布
- 1995-01-01 實(shí)施
文檔簡(jiǎn)介
9DS621382.213:001.4K04中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T2900.32-94電工術(shù)語電力半導(dǎo)體器件ElectrotechnicalterminologyPowersemiconductordevice1994-05-16發(fā)布1995-01-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T2900.32-94電工術(shù)語電力半導(dǎo)體器件Electrotechnicalterminology代替GB2900.32-82Powersemiconductordevice本標(biāo)準(zhǔn)參照采用了國(guó)際電工委員會(huì)(IEC)出版物747《半導(dǎo)體器件》和出版物50(521)《國(guó)際電工詞匯半導(dǎo)體器件和集成電路》中有關(guān)整流管、品體管、晶閘管及其通用的術(shù)語。主題內(nèi)容與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電力半導(dǎo)體器件的專用術(shù)語,本標(biāo)準(zhǔn)適用于制訂標(biāo)準(zhǔn)、編訂技術(shù)文件、編寫和翻譯專業(yè)手冊(cè)、教材及書刊?;A(chǔ)術(shù)語2.1物物理學(xué)名詞2.1.1半導(dǎo)體:semiconductor一種電阻率通常在金屬和絕緣體之間,并在一定溫度范圍內(nèi)載流子濃度隨溫度升高而增加的物質(zhì)。2.1.2本征半導(dǎo)體intrinsicsemiconductor;I-型半導(dǎo)體I-typesemiconductor一種在熱平衡下傳導(dǎo)電子和可動(dòng)空穴密度幾乎相等的高純半導(dǎo)體或完全相等的理想半導(dǎo)體。2.1.3非本征半導(dǎo)體extrinsicsemiconductor一種載流子濃度取決于雜質(zhì)或其他缺陷的半導(dǎo)體。2.1.4N型半導(dǎo)體N-typesemiconductor電子型半導(dǎo)體electronsemiconductor一種在熱平衡下傳導(dǎo)電子密度顯著大于可動(dòng)空穴密度的非本征半導(dǎo)體。2.1.5P型半導(dǎo)體P-typesemiconductori空穴型半導(dǎo)體holesemiconductor一種在熱平衡下可動(dòng)空穴密度顯著大于傳導(dǎo)電子密度的非本征半導(dǎo)體。2.1.6結(jié)iunction在半導(dǎo)體中或金屬與半導(dǎo)體之間,具有不同電特性兩區(qū)域之間的過渡區(qū)域。2.1.7PN結(jié)PNjunction半導(dǎo)體P型區(qū)和N型區(qū)之間的結(jié)。2.1.8合金結(jié)alloyediunction由由一種或幾種金屬材料與半導(dǎo)體品體合金化形成的結(jié)。2.1.9擴(kuò)散結(jié)diffusediunction由雜質(zhì)擴(kuò)散進(jìn)入半導(dǎo)體品體內(nèi)形成的結(jié)。2.1.10生長(zhǎng)結(jié)grownjunction由熔融態(tài)半導(dǎo)體生長(zhǎng)晶體形成的結(jié).2.1.11外延結(jié)epitaxyjunctio
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