GB/T 35006-2018半導(dǎo)體集成電路電平轉(zhuǎn)換器測試方法

ICS31200

L56.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T35006—2018

半導(dǎo)體集成電路

電平轉(zhuǎn)換器測試方法

Semiconductorintegratedcircuits—

Measuringmethodoflevelconverter

2018-03-15發(fā)布2018-08-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

半導(dǎo)體集成電路

電平轉(zhuǎn)換器測試方法

GB/T35006—2018

*

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

20181

*

書號

:155066·1-58844

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T35006—2018

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

總則

4………………………2

測試環(huán)境要求

4.1………………………2

測試注意事項(xiàng)

4.2………………………2

功能測試

5…………………2

目的

5.1…………………2

測試原理圖

5.2…………………………2

測試程序

5.3……………3

測試條件

5.4……………3

靜態(tài)參數(shù)測試

6……………3

輸入鉗位電壓V

6.1(IK)…………………3

輸入高電平電壓V

6.2(IH)………………4

輸入低電平電壓V

6.3(IL)………………5

輸出高電平電壓V

6.4(OH)……………5

輸出低電平電壓V

6.5(OL)………………5

輸入高電平電流I

6.6(IH)………………5

輸入低電平電流I

6.7(IL)………………5

輸出高電平電流I

6.8(OH)………………5

輸出低電平電流I

6.9(OL)………………6

輸出高阻態(tài)時高電平電流I

6.10(OZH)…………………7

輸出高阻態(tài)時低電平電流I

6.11(OZL)…………………8

靜態(tài)電流I

6.12(CCQ)……………………9

電流偏移量I

6.13(ΔCCQ)………………9

輸出對地短路電流I

6.14(OSL)………………………10

輸出對電源短路電流I

6.15(OSH)……………………11

開啟電阻R

6.16(ON)…………………12

通道間開啟偏移電阻R

6.17(ΔON)……………………13

動態(tài)參數(shù)測試

7……………14

電源電流I

7.1(CC)……………………14

最高工作頻率f

7.2(MAX)………………14

最低工作頻率f

7.3(MIN)………………15

輸入電容C和輸出電容C

7.4(I)(O)…………………16

輸出由低電平到高電平傳輸延遲時間t

7.5(PLH)……………………16

輸出由高電平到低電平傳輸延遲時間t

7.6(PHL)……………………17

Ⅰ

GB/T35006—2018

輸出由高阻態(tài)到高電平傳輸延遲時間t

7.7(PZH)……………………18

輸出由高阻態(tài)到低電平傳輸延遲時間t

7.8(PZL)……………………18

輸出由高電平到高阻態(tài)傳輸延遲時間t

7.9(PHZ)……………………19

輸出由低電平到高阻態(tài)傳輸延遲時間t

7.10(PLZ)……………………20

輸出由低電平到高電平轉(zhuǎn)換時間t

7.11(TLH)………21

輸出由高電平到低電平轉(zhuǎn)換時間t

7.12(THL)………22

眼圖高度e

7.13(H)……………………23

眼圖寬度e

7.14(W)……………………24

確定性抖動Dj

7.15()…………………25

隨機(jī)抖動Rj

7.16()……………………25

總抖動J

7.17(t)………………………26

Ⅱ

GB/T35006—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會集成電路分技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC78/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位深圳市國微電子有限公司中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所工業(yè)和信息

:、、

化部電子第五研究所成都振芯科技股份有限公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人宦承永鄔海忠陸堅(jiān)魏軍王小強(qiáng)羅彬

:、、、、、。

Ⅲ

GB/T35006—2018

半導(dǎo)體集成電路

電平轉(zhuǎn)換器測試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路電平轉(zhuǎn)換器以下稱為器件功能靜態(tài)參數(shù)和動態(tài)參數(shù)的測試方法

()、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路電平轉(zhuǎn)換器功能靜態(tài)參數(shù)和動態(tài)參數(shù)的測試

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體器件集成電路第部分?jǐn)?shù)字集成電路

GB/T17574—19982:

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

被測器件deviceundertestDUT