GB/T 35306-2017硅單晶中碳、氧含量的測定低溫傅立葉變換紅外光譜法

ICS77040

H17.

中華人民共和國國家標準

GB/T35306—2017

硅單晶中碳氧含量的測定

、

低溫傅立葉變換紅外光譜法

Testmethodforcarbonandoxygencontentofsinglecrystalsilicon—

Lowtemperaturefouriertransforminfraredspectrometry

2017-12-29發(fā)布2018-07-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T35306—2017

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位昆明冶研新材料股份有限公司江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司宜昌南玻硅材

:、、

料有限公司新特能源股份有限公司亞洲硅業(yè)青海有限公司青海黃河上游水電開發(fā)有限責(zé)任公司

、、()、

新能源分公司陜西天宏硅材料有限責(zé)任公司

、。

本標準主要起草人張云暉韓小月毛智慧趙建為劉曉霞王桃霞田洪先劉明軍銀波劉國霞

:、、、、、、、、、、

蔡延國秦榕童孟錢津旺楊紅燕

、、、、。

Ⅰ

GB/T35306—2017

硅單晶中碳氧含量的測定

、

低溫傅立葉變換紅外光譜法

1范圍

本標準規(guī)定了低溫傅立葉變換紅外光譜法測定硅單晶中代位碳間隙氧雜質(zhì)含量的方法

、。

本標準適用于室溫電阻率大于的型硅單晶和室溫電阻率大于的型硅

0.1Ω·cmN0.5Ω·cmP

單晶中代位碳間隙氧雜質(zhì)含量的測定

、。

本標準測定碳氧含量的有效范圍從14-3到硅中代位碳和間隙氧的

、5×10atoms·cm(0.01ppma)

最大固溶度

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

硅片厚度和總厚度變化測試方法

GB/T6618

數(shù)值修約規(guī)則與極限數(shù)值的表示和判定

GB/T8170

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規(guī)程

GB/T29057

分子光譜有關(guān)術(shù)語

ASTME131(Standardterminologyrelatingtomolecularspectroscopy)

3術(shù)語和定義

和界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264ASTME131。

31

.

背景光譜backgroundspectrum

在紅外光譜儀中無樣品存在的情況下使用單光束測量獲得的譜線通常包括氮氣空氣等信息

,,、。

32

.

參比光譜referencespectrum

參比樣品的光譜對于雙光束儀器參比光譜是直接將參比樣品放置于樣品光路讓參比光路空著

。,,

獲得的對于傅立葉變換紅外光譜儀及其他單光束儀器參比光譜是將參比樣品的光譜扣除背景光譜后

,,

得到的結(jié)果

。

33

.

樣品光譜samplespectrum

測試樣品的光譜對于雙光束儀器樣品光譜是直接將樣品放置于樣品光路讓參比光路空著獲得

。,,

的對于傅立葉變換紅外光譜儀及其他單光束儀器樣品光譜是將樣品的光譜扣除背景光譜后得到的

,,

結(jié)果

。

34

.

基線baseline

從測量圖譜中碳氧吸收峰的兩側(cè)最小