標準解讀
《GB/T 35307-2017 流化床法顆粒硅》是一項國家標準,主要針對通過流化床法制備的顆粒硅產品進行了規(guī)范。該標準詳細定義了流化床法生產的顆粒硅的技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及包裝、標志、運輸和貯存等方面的要求。
在技術要求部分,明確了顆粒硅產品的化學純度、物理形態(tài)等關鍵指標的具體數值或范圍,比如金屬雜質含量不得超過某一限值,非金屬雜質同樣有嚴格控制標準;對于顆粒大小分布也有明確的規(guī)定,以確保其適用于不同領域的需求。
試驗方法章節(jié)則提供了測定上述各項性能參數的方法與步驟,包括但不限于采用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法(ICP-AES)來檢測金屬元素含量、使用激光粒度分析儀測量粒徑分布等科學手段,保證測試結果準確可靠。
檢驗規(guī)則部分規(guī)定了產品出廠前必須經過的質量檢查程序,涵蓋抽樣方案、判定準則等內容,并指出當供需雙方對質量產生爭議時應如何處理。
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文檔簡介
ICS29045
H82.
中華人民共和國國家標準
GB/T35307—2017
流化床法顆粒硅
Granularpolysiliconproducedbyfluidizedbedmethod
2017-12-29發(fā)布2018-07-01實施
中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布
中國國家標準化管理委員會
中華人民共和國
國家標準
流化床法顆粒硅
GB/T35307—2017
*
中國標準出版社出版發(fā)行
北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號
2(100029)
北京市西城區(qū)三里河北街號
16(100045)
網址
:
服務熱線
:400-168-0010
年月第一版
201712
*
書號
:155066·1-58578
版權專有侵權必究
GB/T35307—2017
前言
本標準按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準
(SAC/TC203)
化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口
(SAC/TC203/SC2)。
本標準起草單位江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司新特能源股份有限公司亞洲硅業(yè)青海有限
:、、()
公司有色金屬技術經濟研究院有研半導體材料有限公司天津市環(huán)歐半導體材料技術有限公司陜西
、、、、
天宏硅材料有限責任公司青海黃河上游水電開發(fā)有限責任公司新能源分公司
、。
本標準主要起草人劉曉霞蔣立民付治棟魯文鋒賀東江李明峰李咸江銀波宗冰程鳳伶
:、、、、、、、、、、
夏進京張雪囡尹敏秦榕
、、、。
Ⅰ
GB/T35307—2017
流化床法顆粒硅
1范圍
本標準規(guī)定了流化床法生產的顆粒硅的術語和定義要求試驗方法檢驗規(guī)則以及標志包裝運
、、、、、
輸貯存質量證明書和訂貨單或合同內容
、、()。
本標準適用于以硅烷氣為原料采用流化床法生產的顆粒狀多晶硅產品
,。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法
GB/T1558
半導體材料術語
GB/T14264
半導體材料牌號表示方法
GB/T14844
低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中族雜質含量的測試方法
GB/T24581Ⅲ、Ⅴ
光伏電池用硅材料中金屬雜質含量的電感耦合等離子體質譜測量方法
GB/T31854
用區(qū)熔法和光譜分析法評價顆粒狀多晶硅的規(guī)程
GB/T35309
粒度分析圖像分析法第部分動態(tài)圖像分析方法
ISO13322.2-2:(Particalsizeanalysis-Image
analysismethods—Part2:Dynamicimageanalysismethods)
3術語和定義
界定的術語和定義適用于本文件
GB/T14264。
4要求
41牌號
.
顆粒硅的牌號表示按的規(guī)定可表示為
GB/T14844,:
-PSi-G--
表示用途表示電子級表示太陽能級
,E,S
顆粒硅等級特級用表示其他用阿拉伯數字表示
,“T”,
表示顆粒狀
表示多晶硅
表示生產方法表示硅烷法
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