GB/T 39159-2020集成電路用高純銅合金靶材

ICS7715030

H62..

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T39159—2020

集成電路用高純銅合金靶材

Highpuritycopperalloytargetforintegratedcircuit

2020-11-19發(fā)布2021-10-01實(shí)施

國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T39159—2020

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC243)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位寧波江豐電子材料股份有限公司有研億金新材料有限公司寧波微泰真空技術(shù)

:、、

有限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人曹歡歡袁海軍姚力軍王學(xué)澤曾浩邊逸軍鐘偉華周友平賀昕慕二龍

:、、、、、、、、、、

高巖江偉龍

、。

Ⅰ

GB/T39159—2020

集成電路用高純銅合金靶材

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了集成電路用高純銅合金靶材以下簡(jiǎn)稱靶材的分類技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則

()、、、

及標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存質(zhì)量證明書和訂貨單或合同內(nèi)容

、、、、()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于集成電路制造用的高純銅鋁合金靶材和高純銅錳合金靶材

(CuAl)(CuMn)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

數(shù)值修約規(guī)則與極限數(shù)值的表示和判定

GB/T8170

金屬板材超聲板波探傷方法

GB/T8651

金屬材料中氫氧氮碳和硫分析方法通則

GB/T14265、、、

金屬平均晶粒度的測(cè)定電子背散射衍射法

GB/T36165(EBSD)

銅及銅合金平均晶粒度測(cè)定方法

YS/T347

銅及銅合金分析方法光電發(fā)射光譜法

YS/T482

濺射靶材背板結(jié)合質(zhì)量超聲波檢驗(yàn)方法

YS/T837-

高純銅化學(xué)分析方法痕量雜質(zhì)元素含量的測(cè)定輝光放電質(zhì)譜法

YS/T922

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

靶材target

在濺射沉積技術(shù)中的陰極部分該陰極材料在帶正電荷的陽離子撞擊下以分子原子或離子的形

。、

式脫離陰極而在陽極表面沉積

。

32

.

靶坯targetblank

陰極上用作濺射材料的材料

。

33

.

背板backingplate

用來支撐或固定靶材的材料

。

注靶坯與背板可以通過焊接如釬焊電子束焊擴(kuò)散焊等機(jī)械復(fù)合粘接等方式連接

:(、、)、、。

34

.

表面粗糙度surfaceroughness

Ra

加工表面具有的較小間距和微小峰谷的不平度輪廓的平均算術(shù)偏差值Ra即在一定測(cè)量長(zhǎng)度l

。,

范圍內(nèi)輪廓上各點(diǎn)至中線距離