標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 5594.5-1985 電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法 體積電阻率測(cè)試方法》是中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)之一,該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用于測(cè)量電子元器件中結(jié)構(gòu)陶瓷材料體積電阻率的方法。體積電阻率是衡量材料導(dǎo)電能力的一個(gè)重要參數(shù),在電子工業(yè)中對(duì)于選擇合適的絕緣材料具有重要意義。
根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn),測(cè)試應(yīng)在特定條件下進(jìn)行,包括溫度和濕度控制等環(huán)境因素,以確保結(jié)果的一致性和可比性。測(cè)試前需對(duì)樣品進(jìn)行預(yù)處理,比如清潔表面去除油污或其他雜質(zhì),這有助于減少外部因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。此外,標(biāo)準(zhǔn)還詳細(xì)描述了如何制備試樣以及推薦的尺寸范圍,確保不同實(shí)驗(yàn)室之間能夠采用相同或相似條件下的樣本進(jìn)行比較研究。
測(cè)量過(guò)程中使用的是兩電極法或者四電極法。其中,四電極法被認(rèn)為更加準(zhǔn)確可靠,因?yàn)樗梢杂行佑|電阻帶來(lái)的誤差。在施加一定電壓后,通過(guò)精密儀器記錄下通過(guò)樣品的電流值,再利用歐姆定律計(jì)算出電阻值。最后,結(jié)合已知的試樣幾何尺寸(長(zhǎng)度、橫截面積),即可得出體積電阻率的具體數(shù)值。
整個(gè)實(shí)驗(yàn)流程強(qiáng)調(diào)了操作規(guī)范性和數(shù)據(jù)處理準(zhǔn)確性的重要性,并提供了詳細(xì)的步驟指導(dǎo)和技術(shù)要求,旨在為相關(guān)領(lǐng)域的研究人員和技術(shù)人員提供一個(gè)統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)參考框架。
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- 1985-11-27 頒布
- 1986-12-01 實(shí)施
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GB/T 5594.5-1985電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法體積電阻率測(cè)試方法-免費(fèi)下載試讀頁(yè)文檔簡(jiǎn)介
UDC621.315.612:621.382/.387:620.1中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB5594.5-85電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法體積電阻率測(cè)試方法TestmethodsforpropertiesofstructureceramicusedinelectroniccomponentsTestmethodforvolumeresistivity1985-11-27發(fā)布1986-12-01實(shí)施:標(biāo)淮國(guó)同家批準(zhǔn)
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料UDC621.315.612:621.382性能測(cè)試方法1.387:620.1GB5594.5-85體積電阻率測(cè)試方法TestmethodsforpropertiesofstructureceramicusedinelectroniccomponentsTestmethodforvolumeresistivity本標(biāo)準(zhǔn)適用于電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷在室溫至500℃范圍體積電阻率的測(cè)定。測(cè)試原理陶瓷材料的體積電阻率是表征其絕緣性能的參數(shù),其值為試樣體積電流方向的直流電場(chǎng)強(qiáng)度與該處電流密度之比。當(dāng)試樣面積為4,試樣厚度為,其體積電阻值為R,,則體積電阻率“為:·····…···…···(1)陶瓷材料一般具有負(fù)的電阻溫度系數(shù),其電阻率隨溫度的升高而下降。2試樣制備2.11按GB5593一85《電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料》的要求選取試樣。2.2將試樣進(jìn)行清洗、下燥處理。2.3在試樣的兩平面上按GB5593一85表2和本標(biāo)準(zhǔn)圖1所示燒滲層銀電極。4-525±0.5一620±0.5635±1圖1測(cè)試樣品示意圖一測(cè)電極;2一絕緣間距
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