GB/T 6624-2009硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜６６２４—２００９

代替ＧＢ／Ｔ６６２４—１９９５

硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法

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２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書

犌犅／犜６６２４—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ６６２４—１９９５《硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比主要有如下變化：

———修改了高強(qiáng)度匯聚光源照度要求，由不小于１６０００ｌｘ改為不小于２３００００ｌｘ；

———增加了凈化室級(jí)別要求；

———擴(kuò)大了照度計(jì)測(cè)量范圍為０ｌｘ～３３００００ｌｘ；

———增加了測(cè)量長(zhǎng)度工具；

———更改檢測(cè)條件中光源與硅片之間的距離要求。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位：上海合晶硅材料有限公司。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：徐新華、王珍。

本標(biāo)準(zhǔn)所替代標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ６６２４—１９８６、ＧＢ／Ｔ６６２４—１９９５。

Ⅰ

書

犌犅／犜６６２４—２００９

硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了在一定光照條件下，用目測(cè)檢驗(yàn)單晶拋光片（以下簡(jiǎn)稱拋光片）表面質(zhì)量的方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅拋光片表面質(zhì)量檢驗(yàn)。外延片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)也可參考本方法進(jìn)行。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導(dǎo)體材料術(shù)語

３術(shù)語

本標(biāo)準(zhǔn)涉及的術(shù)語應(yīng)符合ＧＢ／Ｔ１４２６４的規(guī)定。

４方法原理

硅拋光片表面質(zhì)量缺陷在一定光照條件下可以產(chǎn)生光的漫反射，且能通過目測(cè)觀察，據(jù)此可目測(cè)檢

驗(yàn)其表面缺陷。

５設(shè)備和器具

５．１高強(qiáng)度匯聚光源：照度不小于２３００００ｌｘ。

５．２大面積漫射光源：可調(diào)節(jié)光強(qiáng)度的熒光燈或乳白燈，使檢測(cè)面上的光強(qiáng)度為４３０ｌｘ～６５０ｌｘ。

５．３凈化室：凈化室級(jí)別應(yīng)該與硅片表面顆粒檢測(cè)的水平相一致，不低于１００級(jí)。

５．４凈化臺(tái)：大小能容納檢測(cè)設(shè)備，凈化級(jí)別優(yōu)于１００級(jí)，離凈化臺(tái)正面邊緣２３０ｍｍ處背景照度為

５０ｌｘ～６５０ｌｘ。

５．５真空吸筆：吸筆頭可拆卸清洗，拋光片與其接觸后不留下任何痕跡，不引入任何缺陷。

５．６照度計(jì)：應(yīng)可測(cè)到０ｌｘ～３３００００ｌｘ。

５．７公制尺：精度不低于１ｍｍ。

６試樣

按照規(guī)定的抽樣方案或商定的抽樣方案從清洗后的拋光片中抽取試樣。

７檢測(cè)