標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 8756-2018 鍺晶體缺陷圖譜》是一項國家標(biāo)準(zhǔn),旨在為鍺單晶材料中常見的各種缺陷提供標(biāo)準(zhǔn)化的識別方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于鍺單晶生產(chǎn)過程中的質(zhì)量控制以及科學(xué)研究領(lǐng)域?qū)︽N晶體缺陷的研究。
在內(nèi)容上,《GB/T 8756-2018 鍺晶體缺陷圖譜》詳細(xì)列出了鍺晶體中可能出現(xiàn)的不同類型缺陷,并通過圖形和文字描述了這些缺陷的特點。它不僅涵蓋了點缺陷、線缺陷(如位錯)、面缺陷等基本分類下的具體實例,還特別強調(diào)了如何利用光學(xué)顯微鏡、電子背散射衍射技術(shù)(EBSD)等手段來觀察與分析這些缺陷。
此外,該標(biāo)準(zhǔn)還介紹了幾種重要的表征技術(shù)及其應(yīng)用范圍,比如X射線衍射(XRD)用于測定晶體結(jié)構(gòu)參數(shù);掃描電子顯微鏡(SEM)結(jié)合能譜儀(EDS)可以實現(xiàn)對微觀形貌及成分分布的精確測量等。通過上述方法,能夠有效地區(qū)分不同類型或級別的缺陷,從而指導(dǎo)后續(xù)處理工藝的選擇與優(yōu)化。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2018-12-28 頒布
- 2019-07-01 實施



文檔簡介
ICS29045
H80.
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T8756—2018
代替
GB/T8756—1988
鍺晶體缺陷圖譜
Collectionofmetallographsondefectsofgermaniumcrystal
2018-12-28發(fā)布2019-07-01實施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
GB/T8756—2018
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)代替鍺晶體缺陷圖譜本標(biāo)準(zhǔn)與相比主要技術(shù)變
GB/T8756—1988《》。GB/T8756—1988,
化如下
:
刪除了原標(biāo)準(zhǔn)缺陷圖譜張分別為圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖
———34,1、2、3、4、6、8、9、15、16、20、
圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖
21、23、24、28、29、30、32、33、78、87、88、90、91、95、
圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖見年版的第
96、102、106、113、114、115、116、124、125、132(19881
章第章第章
、2、3);
增加了術(shù)語和定義見第章
———(3);
增加了圖譜張分別為圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖
———44,1、2、3、4、6、8、9、13、14、15、16、22、
圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖
23、24、29、30、31、33、34、80、89、90、92、93、96、97、
圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖
98、99、105、106、116、117、118、119、120、128、129、130、
圖圖圖圖圖圖見第章
131、132、133、135、141、142(4);
完善了各類缺陷的特征及產(chǎn)生原因見第章
———(4);
增加了資料性附錄晶體缺陷消除方法給出了部分晶體缺陷的消除方法見附錄
———A“”,(A);
刪除了原標(biāo)準(zhǔn)中的附錄透射電子顯微鏡技術(shù)補充件見年版的附錄
———“B(TEM)()”(1988B)。
本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出
。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口
(SAC/TC243)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司有研光電新材料有限責(zé)任公司云南中科鑫圓
:、、
晶體材料有限公司中鍺科技有限公司廣東先導(dǎo)稀材股份有限公司云南東昌金屬加工有限公司有色
、、、、
金屬技術(shù)經(jīng)濟研究院
。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人普世坤惠峰董汝昆馮德伸柯尊斌尹士平朱劉李素青
:、、、、、、、。
本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為
:
———GB/T8756—1988。
Ⅰ
GB/T8756—2018
鍺晶體缺陷圖譜
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了鍺多晶鍺單晶制備和機械加工過程中產(chǎn)生的缺陷給出了各類缺陷的特征產(chǎn)生原
、,、
因及消除方法
。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于區(qū)熔鍺錠鍺單晶鍺研磨片和鍺拋光片生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的缺陷
、、。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
半導(dǎo)體材料術(shù)語
GB/T14264
3術(shù)語和定義
界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件
GB/T14264。
31
.
雜質(zhì)管道impuritiespipeline
在鍺單晶中沿晶體縱向形成的管道狀雜質(zhì)富集區(qū)
,。
4鍺晶體缺陷
41鍺多晶
.
411氧化物
..
4111特征
...
晶體表面失去銀灰色金屬光澤呈現(xiàn)不同顏色的表面膜如圖所示
,,1。
4112產(chǎn)生原因
...
氧化物是由于晶體在高溫狀態(tài)下或長期暴露在空氣中以及在操作過程中引進的有機物在高溫下
,
分解后氧與鍺反應(yīng)生成
,。
412浮渣
..
4121特征
...
在晶體表面呈現(xiàn)的無金屬光澤的灰色薄層如圖所示
,2。
4122產(chǎn)生
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