全球DRAM存儲器行業(yè)現(xiàn)狀及趨勢分析

全球DRAM存儲器行業(yè)現(xiàn)狀及趨勢分析

一、全球DRAM存儲器行業(yè)發(fā)展環(huán)境

1966年，IBM公司托馬斯?沃森研究中心（ThomasWatsonResearchCenter）的研究人員時年34歲的羅伯特?登納德（RobertDennard）博士提出了用金屬氧化物半導體（MOS）晶體管，來制作存儲器芯片的設想，同年研發(fā)成功1T/1C結構（一個晶體管加一個電容）的DRAM，并在1968年獲得專利。

自1966年至今已經(jīng)過去50余年，DRAM市場累計創(chuàng)造了超過1萬億美元產(chǎn)值。企業(yè)間摻雜著你死我活的生死搏殺。美國、日本、德國、韓國、中國臺灣的企業(yè)，懷揣巨額資金，高高興興地沖殺進來，卻大都丟盔棄甲黯然離開。包括開創(chuàng)DRAM產(chǎn)業(yè)的三大巨頭在內的無數(shù)名震世界的產(chǎn)業(yè)巨頭轟然倒地；英特爾、德州儀器和IBM，也分別在1985年、1998年和1999年，凄慘地退出了DRAM市場。

2019年第二季度，全球半導體銷售額達到982億美元，較上一季度小幅增長0.3%，但與去年第二季度相比下降16.8%。

在2019年上半年，全球前十五大半導體公司銷售額合計同比下降18%，而全球半導體產(chǎn)業(yè)總銷售額同比下降14%。其中，以DRAM、NAND閃存為主的存儲芯片市場波動劇烈，三星、SK海力士和美光三大存儲器廠商2019年上半年業(yè)績驟降，同比至少衰退33%，而在2018年上半年，這三家業(yè)績同比增長最小也有36%。

2017年受全球存儲器價格上漲影響，全球半導體存儲器市場規(guī)?？焖偬嵘?018年半導體存儲器市場份額下降0.3%至1645億美元，這是近三年來半導體存儲器市場份額的首次負增長。由于大數(shù)據(jù)和其他數(shù)據(jù)的使用，對內存的需求正在上升，但由于多家大廠的瘋狂擴產(chǎn)，價格的持續(xù)上漲主要落在NAND型閃存中。

二、全球DRAM存儲器行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

2017年開始，由于全球多家存儲器大廠調整產(chǎn)品結構、淘汰部分低端、小容量產(chǎn)品；與此同時，市場對存儲器的需求量有增無減和部分廠商有意控制產(chǎn)能、囤積居奇，共同促使全球缺貨，形成存儲器市場漲價的局面。

2018年全球DRAM存儲器市場規(guī)模989億美元，同比增長35.48%，高增速主要來自于近兩年全球市場價格大漲影響。

根據(jù)《2019-2025年中國DRAM存儲器行業(yè)市場競爭現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢研究報告》數(shù)據(jù)顯示：2018年全球DRAM存儲器均價上升至0.93美元/Gb，比2016年增長了97.87%。

DRAM產(chǎn)量及分布來看，目前全球DRAM產(chǎn)量在350-360萬片/季度（等效12寸晶圓），其中三星產(chǎn)量約為130-140萬片/季度，SK海力士產(chǎn)量約為95-97萬片/季度，兩者產(chǎn)量之和占據(jù)全球份額近65%。

日韓貿易爭端下可能受到影響的是兩家龍頭廠商的所有產(chǎn)線，目前產(chǎn)業(yè)跟蹤來看如果再持續(xù)一個月，則2019年三季度產(chǎn)量預計會受到實質性影響。DRAM和NAND領域的風險敞口分別高達65%/46%。一旦發(fā)生實質性減產(chǎn)，則DRAM與NAND將在短期內結束下行周期。

近三年，全球DRAM存儲器出貨量呈現(xiàn)出穩(wěn)定增長趨勢。2018年全球DRAM存儲器出貨量突破1000Gb，達到1063Gb，相比2017年增長12.13%。

三、全球DRAM存儲器行業(yè)發(fā)展特點分析

目前DRAM制程基本在20nm與10nm工藝節(jié)點，2x/2y/2z這類表示對應不同技術節(jié)點，2018年絕大部分工藝節(jié)點仍處于2z與1x節(jié)點，同時1xnm出貨量近幾年快速增長，2018年全球1xnmDRAM出貨量占比升至60.5%，2018年全球2znm出貨量占比下降至20%。

全球DRAM存儲容量正在快速提升，2015年全球DRAM存儲容量占比中4Gb占比將近80%，到2018年全球DRAM存儲容量占比中，8Gb占比達到83.7%，而大于8Gb容量密度逐步出貨，占比1.1%。

四、全球DRAM存儲器行業(yè)發(fā)展趨勢

2019年半導體廠商已開始減產(chǎn)和推遲設備投資，但價格仍持續(xù)低迷。在存儲器中，DRAM的大單優(yōu)惠價格比2018年10月下降近3成，促使全球DRAM存儲器市場規(guī)模出現(xiàn)明顯下跌。

但從DRAM存儲器應用市場