模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第9講場效應(yīng)管及其放大電路課件

第九講場效應(yīng)管及其放大電路一、場效應(yīng)管二、場效應(yīng)管放大電路靜態(tài)工作點的設(shè)置方法三、場效應(yīng)管放大電路的動態(tài)分析四、復(fù)合管一、場效應(yīng)管（以N溝道為例）

場效應(yīng)管有三個極：源極（s）、柵極（g）、漏極（d），對應(yīng)于晶體管的e、b、c；有三個工作區(qū)域：截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)，對應(yīng)于晶體管的截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)。1.結(jié)型場效應(yīng)管導(dǎo)電溝道源極柵極漏極符號結(jié)構(gòu)示意圖柵-源電壓對導(dǎo)電溝道寬度的控制作用溝道最寬溝道變窄溝道消失稱為夾斷uGS可以控制導(dǎo)電溝道的寬度。為什么g-s必須加負電壓？UGS（off）夾斷電壓漏極飽和電流轉(zhuǎn)移特性場效應(yīng)管工作在恒流區(qū)，因而uGS＞UGS（off）且uDS＜UGS（off）。

為什么必須用轉(zhuǎn)移特性描述uGS對iD的控制作用？g-s電壓控制d-s的等效電阻輸出特性預(yù)夾斷軌跡，uGD＝UGS（off）可變電阻區(qū)恒流區(qū)iD幾乎僅決定于uGS擊穿區(qū)夾斷區(qū)（截止區(qū)）夾斷電壓IDSSΔiD不同型號的管子UGS（off）、IDSS將不同。低頻跨導(dǎo)：2.絕緣柵型場效應(yīng)管uGS增大，反型層（導(dǎo)電溝道）將變厚變長。當(dāng)反型層將兩個N區(qū)相接時，形成導(dǎo)電溝道。增強型管SiO2絕緣層襯底耗盡層空穴高摻雜反型層大到一定值才開啟耗盡型MOS管

耗盡型MOS管在uGS＞0、uGS＜0、uGS＝0時均可導(dǎo)通，且與結(jié)型場效應(yīng)管不同，由于SiO2絕緣層的存在，在uGS＞0時仍保持g-s間電阻非常大的特點。加正離子小到一定值才夾斷uGS=0時就存在導(dǎo)電溝道MOS管的特性1)增強型MOS管2)耗盡型MOS管開啟電壓夾斷電壓3.場效應(yīng)管的分類

工作在恒流區(qū)時g-s、d-s間的電壓極性uGS=0可工作在恒流區(qū)的場效應(yīng)管有哪幾種？uGS＞0才工作在恒流區(qū)的場效應(yīng)管有哪幾種？uGS＜0才工作在恒流區(qū)的場效應(yīng)管有哪幾種？2.自給偏壓電路由正電源獲得負偏壓稱為自給偏壓哪種場效應(yīng)管能夠采用這種電路形式設(shè)置Q點？3.分壓式偏置電路為什么加Rg3?其數(shù)值應(yīng)大些小些？哪種場效應(yīng)管能夠采用這種電路形式設(shè)置Q點？即典型的Q點穩(wěn)定電路三、場效應(yīng)管放大電路的動態(tài)分析

1.場效應(yīng)管的交流等效模型近似分析時可認為其為無窮大！根據(jù)iD的表達式或轉(zhuǎn)移特性可求得gm。與晶體管的h參數(shù)等效模型類比：3.基本共漏放大電路的動態(tài)分析若Rs=3kΩ，gm=2mS，則基本共漏放大電路輸出電阻的分析若Rs=3kΩ，gm=2mS，則Ro=?四、復(fù)合管復(fù)合管的組成：多只管子合理連接等效成一只管子。

不同類型的管子復(fù)合后，其類型決定