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激光誘導晶化非晶硅薄膜表面形貌與光電性能研究xxx課題研究的背景和意義玻璃襯底ITO上低成本制備低溫多晶硅LTPS等離子增強氣相沉積PECVD制備非晶硅薄膜準分子激光晶化ELC非晶硅a-Si薄膜為多晶硅poly-Si薄膜制備有源顯示器件AMLCD和AMOLED的薄膜晶體管TFT溝道通過激光晶化非晶硅薄膜制備具有多晶硅光學薄膜層結構的太陽能電池課題研究的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢2008年S.R.P.Silva等人,通過激光晶化非晶硅PIN結構的n層為納米晶硅作為電池光學薄膜,首次報道最高轉換效率為2.5%2009年C.C.Kuo,通過在線光學測試,成功利用激光晶化來控制晶粒大小,調節(jié)薄膜光通過率和反射率通過控制激光能量晶化非晶硅薄膜,從而控制多晶硅光學薄膜層晶粒大小,來調節(jié)光透過率、反射率和電池轉換效率不同硅基材料光電性能比較多晶硅poly-Si微晶硅uc-Si非晶硅a-Si單晶硅sc-Si納晶硅nc-Si禁帶寬度ev1.21.2~1.71.71.122.3電子遷移率cm2/V*s10e210e110e010e310e2轉換效率18%mitsubishi/15%sanyo20%Kyocera/激光能量熔融a-Si薄膜相變潛熱固態(tài)非晶硅液態(tài)非晶硅固液混合硅密度g/cm32.202.532.33比熱容C(T)J/g*KC(T)=0.952+0.171*T/1685熱傳導K(T)W/cm*KK(T)=4.828*10e-11*(T-900)e3+4.828*10e-9*(T-900)e2+3.714*10e-6*(T-900)+3.714*10e-2熔融潛熱蠅眼整形激光光斑能量分布模擬蠅眼整形激光晶化晶粒金相顯微圖AFM表征的晶粒與晶界分布圖常溫下不同激光能量對應的霍爾電子遷移率和電阻率激光晶化PIN太陽能器件I-V曲線PIN納米晶光學薄膜能帶結構圖創(chuàng)新點首次通過控制激光能量晶化非晶硅薄膜,從而控制多晶硅光學薄膜層晶粒大小,來調節(jié)光透過率、反射率和電池轉換效率。應用于激光誘導晶化非晶硅薄膜太陽能汽車玻璃,具有可見光透過、防紫外光的功效,還可以為蓄電池充電進度計劃2010.1查找文獻2010.2-2010.3熟悉設備,制定實驗方案2010.4-2010.6控制工藝參數(shù)沉積薄膜2010.7-2010.10

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