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第20講第11章基本放大電路11.6場效應(yīng)管共源極放大電路2/6/2023電工技術(shù)答疑1.線形電阻的伏安特性曲線UIRUIU/I=RU/I=R2.晶體管BE結(jié)微變等效電路IBUBEQUBEQ/IBQ=R非線性UBE/
IB=rbe在Q點(diǎn)處近似線性UBE
IBrbe2/6/2023電工技術(shù)答疑3.電流源及其特性曲線UIISISUIUIIrISrUIISI1=IS+Ir1=IS+U1/rI2=IS+Ir2=IS+U2/rI=I2-I1
=(U2-U1)/r=U/rr=U/I如何求r?2/6/2023電工技術(shù)§10.4場效應(yīng)晶體管場效應(yīng)管與晶體管不同,它是多子導(dǎo)電,輸入阻抗高,溫度穩(wěn)定性好。結(jié)型場效應(yīng)管JFET絕緣柵型場效應(yīng)管MOS場效應(yīng)管有兩種:N溝道P溝道耗盡型增強(qiáng)型耗盡型增強(qiáng)型2/6/2023電工技術(shù)MOS絕緣柵場效應(yīng)管(N溝道)(1)結(jié)構(gòu)PNNGSDP型基底兩個(gè)N區(qū)SiO2絕緣層金屬鋁N導(dǎo)電溝道未預(yù)留N溝道增強(qiáng)型預(yù)留N溝道耗盡型2/6/2023電工技術(shù)PNNGSDN溝道增強(qiáng)型(2)符號N溝道耗盡型GSD柵極漏極源極GSD2/6/2023電工技術(shù)NMOS場效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性N溝道耗盡型(UGS=0時(shí),有ID)GSD0UGS(off)IDUGS夾斷電壓UGS有正有負(fù)N溝道增強(qiáng)型(UGS=0時(shí),ID=0
)GSDIDUGSUGS(th)開啟電壓UGS全正2/6/2023電工技術(shù)UGS=3VUDS(V)ID(mA)01324UGS=4VUGS=5VUGS=2VUGS=1V開啟電壓UGS(th)=1V固定一個(gè)UDS,畫出ID和UGS的關(guān)系曲線,稱為轉(zhuǎn)移特性曲線增強(qiáng)型NMOS場效應(yīng)管輸出特性曲線2/6/2023電工技術(shù)增強(qiáng)型NMOS場效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性N溝道增強(qiáng)型(UGS=0時(shí),ID=0
)GSDIDUGSUGS(th)開啟電壓UGS全正2/6/2023電工技術(shù)耗盡型NMOS場效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性N溝道耗盡型(UGS=0時(shí),有ID)GSD0UGS(off)IDUGS夾斷電壓UGS有正有負(fù)2/6/2023電工技術(shù)跨導(dǎo)gmUGS=0VUDS(V)ID(mA)01324UGS=+1VUGS=+2VUGS=-1VUGS=-2V=
ID/
UGS=(3-2)/(1-0)=1/1=1mA/V
UGS
ID夾斷區(qū)可變電阻區(qū)恒流區(qū)2/6/2023電工技術(shù)場效應(yīng)管的微變等效電路輸入回路:開路輸出回路:交流壓控恒流源,電流GSD+-GSD2/6/2023電工技術(shù)11.6.2場效應(yīng)管共源極放大電路靜態(tài)分析無輸入信號時(shí)(ui=0),估算:UDS和ID。+UDD=+20VuoRSuiCSC2C1R1RDRGR2RL150K50K1M10K10KGDS10KIDUDSR1=150kR2=50kRG=1MRD=10kRS=10kRL=10kgm=3mA/VUDD=20V2/6/2023電工技術(shù)設(shè):UG>>UGS則:UGUS而:IG=0所以:=直流通道+UDD+20VR1RDRGR2150K50K1M10KRS10KGDSIDUDSIG2/6/2023電工技術(shù)11.6.3動(dòng)態(tài)分析微變等效電路+UDD=+20VuoRSuiCSC2C1R1RDRGR2RL150K50K1M10K10KGDS10KSGR2R1RGDRLRDUgsgmUgsUiUoIdSGDid2/6/2023電工技術(shù)電壓放大倍數(shù)估算R1=150kR2=50kRG=1MRS=10kRD=10kRL=10kgm=3mA/VUDD=20V=-3(10//10)=-15RL=RD//RL2/6/2023電工技術(shù)ro=RD=10KSGR2R1RGRLDRLRD輸入電阻、輸出電阻=1+0.15//0.05=1.0375MR1=150kR2=50kRG=1MRD=10kRS=10kRL=10kgm=3mA/VUDD=20Vrirori=RG+R1//R22/6/2023電工技術(shù)11.6.4源極輸出器(共漏極放大電路)uo+UDD+20VRSuiC1R1RGR2RL150K50K1M10KDSC2G10KR1=150kR2=50kRG=1MRS=10kRL=10kgm=3mA/VUDD=20V2/6/2023電工技術(shù)uo+UDD+20VRSuiC1R1RGR2RL150K50K1M10KDSC2G10K微變等效電路:2/6/2023電工技術(shù)微變等效電路:riroroUi=Ugs+UoUo=Id(RS//RL)=gmUgsRLGR2R1RGSDRLRS2/6/2023電工技術(shù)求rigR2R1RGsdRLRSriri=RG+R1//R22/6/2023電工技術(shù)ri=RG+R1//R2R1=150kR2=50kRG=1MRS=10kRL=10kgm=3mA/VUDD=20V=[3(10//10)]/[1+3(10//10)]=0.94
=RS1+gmRSro=10/(1+310)=0.323k代入數(shù)值計(jì)算=1+0.15//0.05=1.0375MAV=gmRL1+gmRLuo+UDD+20VRSuiC1R1RGR2RL150K50K
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