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PST2010XVSPolyfuse技術(shù)工程師：趙際林Email：Johnny.AgendaPolyFuse原理和缺點(diǎn)USB接口上用PolyFuse有哪些隱患博賽產(chǎn)品VSPolyfusePolyfuse原理◆可恢復(fù)保險(xiǎn)絲由聚合物基體及使其導(dǎo)電的碳黑粒子組成。由于可恢復(fù)保險(xiǎn)絲為導(dǎo)體，其上會(huì)有電流通過(guò)。當(dāng)有過(guò)電流通過(guò)可恢復(fù)保險(xiǎn)絲時(shí)，產(chǎn)生的熱量（為I2R）將使其膨脹。從而碳黑粒子將分開(kāi)、聚合物自復(fù)保險(xiǎn)絲的電阻將上升。限止了大電流流過(guò)元件，只有很小的電流流過(guò).如同切斷了電路一樣，達(dá)到了保護(hù)的目的。當(dāng)異常大電流排除后或過(guò)熱現(xiàn)象消除后，元件中的導(dǎo)電鏈又重新建立，元件恢復(fù)到正常的低阻狀態(tài)。Polyfuse應(yīng)用于USB的隱患◆過(guò)流保護(hù)點(diǎn)很大，斷開(kāi)時(shí)間很長(zhǎng)Polyfuse應(yīng)用于USB的隱患Polyfuse應(yīng)用于USB的隱患◆導(dǎo)通電阻永久增加可恢復(fù)保險(xiǎn)絲在經(jīng)歷過(guò)一次斷開(kāi)保護(hù)或處于高溫環(huán)境下，如波峰焊后，其電阻可能永久性的增加。一個(gè)典型的0.11A的可恢復(fù)保險(xiǎn)絲確定可以在70℃下，流過(guò)0.67A。它在5A負(fù)載下，需要5秒時(shí)間發(fā)生斷開(kāi)保護(hù)。但是，在經(jīng)歷過(guò)一次斷開(kāi)保護(hù)后，它的電阻由50m?～100

m?，增長(zhǎng)到170m?。此時(shí)的保險(xiǎn)絲不僅會(huì)增加導(dǎo)通功耗，同時(shí)還會(huì)提早發(fā)生斷開(kāi)保護(hù)。而USB應(yīng)用中，確定的電阻極限是140m?。PST2010X的優(yōu)勢(shì)◆快速的過(guò)流保護(hù)◆快速的短路保護(hù)PST2

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