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文檔簡介

單向可控硅的結(jié)構(gòu)和工作原理一、結(jié)構(gòu)和符號：1、結(jié)構(gòu)：四層半導體N1P2N2P1J1J2J3三個PN結(jié)三個電極陽極A：從P1引出陰極K：從N2引出控制極G：從P2引出2、符號：圖形符號：KGAAKG文字符號：SCR，CT，KG等陽極陰極控制極P1N1N2P2單向可控硅的結(jié)構(gòu)和工作原理二、工作原理1、演示實驗：實驗電路圖如下：6V3VSCRAKGS（A）6V3VSCRAKGS（B）6V3VSCRAKGS（D）不亮不亮亮亮只在陽極和陰極間加正向電壓，可控硅不導通在陽極和陰極間加反向電壓，可控硅不導通在陽極A和陰極K間加反向電壓，同時控制極加正向觸發(fā)電壓,可控硅導通可控硅導通后，除去觸發(fā)電壓，繼續(xù)導通（C）6V3VSCRAKGS6V3VSCRAKGS（A）3、小結(jié)①可控硅導通的條件：A、在陽極和陰極之間加正向電壓B、同時在控制極加正觸發(fā)電壓二者缺一不可②使導通的可控硅關(guān)斷的方法：A、減小陽極電流至一定值（維持電流）B、切斷陽極電源③可控硅具有控制強電的作用三、單向可控硅的主要參數(shù)：主要參數(shù)定義額定正向平均電流維持電流控制極觸發(fā)電壓和電流正向阻斷峰值電壓反向阻斷峰值電壓在規(guī)定的環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陽極和陰極之間的電流平均值在規(guī)定的環(huán)境溫度和控制極斷開的條件下，保持可控硅處于導通狀態(tài)所需要的最小正向電流在規(guī)定的環(huán)境溫度及一定的正向電壓條件下，使可控硅到導通控制極所需要的最小電壓和電流控制極斷開加正向電壓，可控硅截止的狀態(tài)稱正向阻斷，此時加到可控硅上的最大正向電壓控制極斷開，可控硅加反向電壓的狀態(tài)，稱為反向阻斷，此時允許加到可控硅上的最大反向電壓四、總結(jié)1、這節(jié)課我們講了三個問題：A、可控硅的結(jié)構(gòu)與符號；B、可控硅的工作原理；C、可控硅的主要參數(shù)。2、思考題：A、單向可控硅有兩種工作狀態(tài)：導通和截止，二極管也有二種工作狀態(tài)，導通和截止，那么單可控硅的工作狀態(tài)和二極管的工作狀態(tài)有什么不同？答案：可控硅的導通是可控

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