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DocumentNo.:DocumentNo.:ASY-AE08Internaluseonlyx彈坑試驗(yàn)與判別作業(yè)指導(dǎo)書Revision:001of6ConfidentialTopconfidential

EFFECTIVEDATEShanghaiSiMATShanghaiSiMATMicroelectronicsTechnologyCo.,LtdDESCRIPTIONAPPROVECHECKORIGINATORInitialIssueJinhuachen談紅英沈海軍00 8/08/2023ThisdocumentanditsinformationhereinarethepropertyofSiMATandallunauthorizeduseandreproductionareprohibited.ShanghaiSiMATShanghaiSiMATMicroelectronicsTechnologyCo.,LtdDocumentNo.:DocumentNo.:ASY-AE08Internaluseonlyx彈坑試驗(yàn)與判別作業(yè)指導(dǎo)書Revision:002of6ConfidentialTopconfidential目的:測試鍵合焊接對產(chǎn)品質(zhì)量產(chǎn)生的影響,保證產(chǎn)品質(zhì)量。二、適用范圍:全部MOSFET芯片系列產(chǎn)品;掌握打算要求做彈坑試驗(yàn)的產(chǎn)品。三.作業(yè)頻率:每周一鍵合現(xiàn)作業(yè)的產(chǎn)品都要做彈坑,產(chǎn)品改機(jī)后應(yīng)準(zhǔn)時(shí)作業(yè)彈坑試驗(yàn),調(diào)用程序的產(chǎn)品可在做彈坑的同時(shí)開機(jī)作業(yè),假設(shè)彈坑不良請統(tǒng)計(jì)數(shù)量,批次。四.彈坑試驗(yàn)作業(yè)及推斷方法1鹽酸溶液試驗(yàn)〔主要適用于Mosfet1所示〕ThisdocumentanditsinformationhereinarethepropertyofSiMATandallunauthorizeduseandreproductionareprohibited.ShanghaiSiMATMicroelectronicsTechnologyCo.,LtdDocumentNo.:ASY-AE08Revision:00 3of6

彈坑試驗(yàn)與判別作業(yè)指導(dǎo)書

Internaluseonly ConfidentialTopconfidential1〕361:2.580±5°c10-15分鐘,剪切方法如以下圖:沿框架〔箭頭所示位置用銳利的刀片剪切,剪切之后的制品必需在實(shí)體顯微鏡下確認(rèn)第一焊點(diǎn)金球狀況,防止因線弧較短時(shí)或者剪切不當(dāng)將金球帶起,引起彈坑。割線后的制品,需用撥針將金線沿載片臺邊緣〔金球遠(yuǎn)端〕將金線輕輕挑起,防止金線黏附在載片臺上,操作過程中確定制止金/撥線后圖片〕割線后產(chǎn)品 撥線后產(chǎn)品將已腐蝕干凈的制品分別放入水與酒精中,各用超聲波清洗3~5分鐘,然后ThisdocumentanditsinformationhereinarethepropertyofSiMATandallunauthorizeduseandreproductionareprohibited.ShanghaiSiMATMicroelectronicsTechnologyCo.,LtdDocumentNo.:ASY-AE08Revision:00 4of6

彈坑試驗(yàn)與判別作業(yè)指導(dǎo)書

Internaluseonly ConfidentialTopconfidential晾干或吹干。留意:在整個(gè)作業(yè)〔包括清洗〕過程中,不行以將制品用力在溶液中晃動(dòng)。不行以承受任何拔線方式去除未腐蝕掉的焊線。將晾干后的制品在200倍或200倍以上顯微鏡下進(jìn)展判定并填寫《彈坑試驗(yàn)記錄表》1212小時(shí)。產(chǎn)品檢驗(yàn)判定方法←OK ←NGThisdocumentanditsinformationhereinarethepropertyofSiMATandallunauthorizeduseandreproductionareprohibited.ShanghaiSiMATMicroelectronicsTechnologyCo.,LtdDocumentNo.:ASY-AE08Revision:00 5of6

彈坑試驗(yàn)與判別作業(yè)指導(dǎo)書

Internaluseonly ConfidentialTopconfidential標(biāo)準(zhǔn)

具體內(nèi)容OK.(右圖)

圖例〔實(shí)物圖〕OK OKNGNG氫氧化鉀溶液試驗(yàn)〔主要適用于IC2所示〕2〕在量杯中,用電子稱稱取適量氫氧化鉀1:1080±5°cThisdocumentanditsinformationhereinarethepropertyofSiMATandallunauthorizeduseandreproductionareprohibited.ShanghaiSiMATMicroelectronicsTechnologyCo.,LtdDocumentNo.:ASY-AE08Revision:00 6of6

彈坑試驗(yàn)與判別作業(yè)指導(dǎo)書

Internaluseonly ConfidentialTopconfidential將制品〔1.2的方法〕10-20分鐘將已腐蝕干凈的制品分別放入水與酒精中,各用超聲波清洗3~5分鐘,然后晾干或吹干。留意在整個(gè)作業(yè)〔包括清洗〕用力在溶液中晃動(dòng)。200200倍以上顯微鏡下進(jìn)展判定并填寫《彈坑試驗(yàn)記錄表》產(chǎn)品檢驗(yàn)判定方法標(biāo)準(zhǔn)

具體內(nèi)容OK.(右圖)

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