標(biāo)準(zhǔn)解讀
《YS/T 26-2016 硅片邊緣輪廓檢驗方法》是一項針對硅片邊緣形狀和尺寸進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化檢測的技術(shù)規(guī)范。該標(biāo)準(zhǔn)適用于單晶硅或多晶硅片,旨在確保硅片在制造過程中的質(zhì)量一致性與可靠性,對于半導(dǎo)體、太陽能電池等領(lǐng)域的生產(chǎn)尤為重要。
標(biāo)準(zhǔn)中定義了硅片邊緣輪廓的具體要求及測量方法。首先明確了術(shù)語和定義部分,比如“硅片”、“邊緣輪廓”等相關(guān)概念,為后續(xù)內(nèi)容提供基礎(chǔ)。接著,在技術(shù)要求章節(jié)里詳細(xì)描述了硅片邊緣應(yīng)該達(dá)到的狀態(tài),包括但不限于平滑度、直角性以及無缺陷等方面的要求。這些規(guī)定有助于減少因邊緣質(zhì)量問題而導(dǎo)致的產(chǎn)品性能下降或損壞風(fēng)險。
關(guān)于檢驗方法,《YS/T 26-2016》提供了幾種不同的測試手段來評估硅片邊緣的幾何特性。其中包括使用光學(xué)顯微鏡觀察法、接觸式輪廓儀測量法等非破壞性檢測技術(shù)。每種方法都有其適用范圍和技術(shù)細(xì)節(jié)說明,如儀器的選擇、操作步驟、數(shù)據(jù)記錄與處理方式等。通過這些科學(xué)嚴(yán)謹(jǐn)?shù)姆椒ǎ梢詼?zhǔn)確地獲取硅片邊緣的實際狀態(tài)信息,并據(jù)此判斷是否符合既定標(biāo)準(zhǔn)。
此外,標(biāo)準(zhǔn)還包含了抽樣規(guī)則和判定準(zhǔn)則等內(nèi)容,指導(dǎo)如何從批量產(chǎn)品中選取代表性樣品進(jìn)行檢查,并根據(jù)檢測結(jié)果做出合格與否的決定。這不僅有利于提高工作效率,也保證了評價結(jié)果的公正性和客觀性。
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2016-07-11 頒布
- 2017-01-01 實施



文檔簡介
ICS77040
H21.
中華人民共和國有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
YS/T26—2016
代替
YS/T26—1992
硅片邊緣輪廓檢驗方法
Testmethodsforedgecontourofsiliconwafers
2016-07-11發(fā)布2017-01-01實施
中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布
YS/T26—2016
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)代替硅片邊緣輪廓檢驗方法與相比本標(biāo)準(zhǔn)主要變動
YS/T26—1992《》。YS/T26—1992,
如下
:
增加了規(guī)范性引用文件術(shù)語和定義干擾因素等
———、、;
增加了非破壞性檢驗方法方法
———B、C。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口
(SAC/TC243)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位洛陽單晶硅集團(tuán)有限責(zé)任公司有研半導(dǎo)體材料有限公司浙江金瑞泓科技股份
:、、
有限公司
。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人田素霞李戰(zhàn)國苗利剛焦二強(qiáng)安瑞陽邵成波王文衛(wèi)
:、、、、、、。
本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為
:
———YS/T26—1992。
Ⅰ
YS/T26—2016
硅片邊緣輪廓檢驗方法
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅片邊緣輪廓包含切口的檢驗方法
()。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于檢驗倒角硅片的邊緣輪廓包含切口砷化鎵等其他材料晶片邊緣輪廓的檢驗可參
(),
照本標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
半導(dǎo)體材料術(shù)語
GB/T14264
3術(shù)語和定義
界定的術(shù)語和定義適用于本文件
GB/T14264。
4方法提要
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了方法三種測試方法其測試原理分別如下
A、B、C,:
方法沿硅片徑向劃開形成剖面借助光學(xué)比較儀或投影顯微鏡形成一個硅片邊緣區(qū)域的
a)A:,,
剖面聚焦圖形將圖形與邊緣輪廓模板坐標(biāo)圖比較確定邊緣輪廓是否合格本方法是破壞性
,,。
的限于圓周上離散點的檢查包括參考面常用于直徑不大于硅片參考面倒角邊緣
,,,150mm
輪廓的檢測
;
方法將硅片放置在平行光路下硅片邊緣投影到顯示屏上邊緣輪廓的圖像與邊緣輪廓模
b)B:,,
板坐標(biāo)圖比較確定邊緣輪廓是否合格本方法是非破壞性的可檢查除了參考面和切口外硅
,。,
片輪廓上所有的點常用于直徑不大于硅片除參考面和切口外邊緣輪廓的檢測
,200mm;
方法將硅片放置在光源下光源照在硅片邊緣相機(jī)將硅片邊緣不包括參考面或切
c)C:,,CCD()
口的輪廓形狀的圖像導(dǎo)入電腦通過專用分析軟件對檢測圖像進(jìn)行分析然后將輪廓形狀的圖
,,
像和測試結(jié)果顯示在顯示屏上測試原理如圖所示本方法是無接觸非破壞性的可以測
,1。、,
試硅片邊緣和切口的輪廓形狀并能測量出輪廓尺寸該方法操作簡單便捷可以直觀的確定
,。,
硅片邊緣和切口是否合適適用于各種尺寸夾角和形狀的硅片邊緣輪廓的檢測本方法適用
,、。
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