YS/T 871-2013高純鋁化學(xué)分析方法痕量雜質(zhì)元素的測(cè)定輝光放電質(zhì)譜法

ICS7712040

H13..

中華人民共和國有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

YS/T871—2013

高純鋁化學(xué)分析方法

痕量雜質(zhì)元素的測(cè)定

輝光放電質(zhì)譜法

Chemicalanalysisofhighpurityaluminium—

Determinationoftraceimpurities—

Glowdischargemassspectrometry

2013-04-25發(fā)布2013-09-01實(shí)施

中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布

YS/T871—2013

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC243)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位北京有色金屬研究總院新疆眾和股份有限公司金川新材料科技股份有限公司

:、、、

山東兗礦輕合金有限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人李愛嫦劉紅李繼東孫澤明劉英洪濤肖麗梅周維宋玉萍戴珍珍

:、、、、、、、、、、

秦芳林邱平

、。

Ⅰ

YS/T871—2013

高純鋁化學(xué)分析方法

痕量雜質(zhì)元素的測(cè)定

輝光放電質(zhì)譜法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用高質(zhì)量分辨率輝光放電質(zhì)譜法測(cè)定高純鋁中痕量元素的測(cè)試方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于高純鋁中痕量元素含量的測(cè)定各元素測(cè)定范圍為-7-3

。5.0×10%~1.0×10%

ω

(%)。

2方法提要

將一個(gè)作為陰極的試樣安裝到等離子體放電室利用惰性氣體氬氣在高壓條件下電離產(chǎn)生的離

,()

子撞擊樣品表面使之發(fā)生濺射從試樣表面濺射出來的原子被離子化通過雙聚焦扇形磁場(chǎng)質(zhì)量分析儀

,,

聚焦為離子束進(jìn)而被質(zhì)譜分析器收集檢測(cè)在每一元素質(zhì)量數(shù)處以預(yù)設(shè)的掃描點(diǎn)數(shù)和積分時(shí)間對(duì)相

,。

應(yīng)譜峰積分所得面積即為譜峰強(qiáng)度依據(jù)式由儀器軟件計(jì)算出雜質(zhì)元素的含量

,。(1)。

3試劑與材料

31乙醇ρ優(yōu)級(jí)純

.(=0.789g/mL),。

32鹽酸ρ優(yōu)級(jí)純

.(=1.19g/mL),。

33鹽酸

.(1+1)。

34氮?dú)猞?/p>

.[(N2)]≥99.99%。

35氬氣ω

.[(Ar)]≥99.99%。

36去離子水電阻率要求達(dá)到

.:18.2MΩ·cm。

37高純鋁標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)條件允許的情況下利用高純鋁標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)生成待測(cè)元素的相對(duì)靈敏度因子RSFx

.:,。

4儀器

41高分辨率輝光放電質(zhì)譜儀質(zhì)量分辨率可達(dá)到

.(GDMS):9000。

42機(jī)械加工設(shè)備能夠使樣品和參比樣品制成所需的幾何形狀并得到光滑的表面

.,。

5試樣

51試樣具有均勻性和代表性

.。

52試樣不應(yīng)采取母材的表面將試樣制備成為塊狀要求至少有一個(gè)用于輝光放電的光滑平面試樣

.,,;

大小要求能放入輝光放電樣品夾空腔內(nèi)并且其光滑平面能覆蓋住樣品夾上的放電孔試樣的厚度要求