標(biāo)準(zhǔn)解讀

《YS/T 893-2013 電子薄膜用高純鈦濺射靶材》是一項針對用于制造電子薄膜的高純度鈦濺射靶材的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了此類材料的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及包裝、標(biāo)志、運輸和貯存等方面的內(nèi)容。

在技術(shù)要求方面，明確了靶材的化學(xué)成分、物理性能等關(guān)鍵指標(biāo)。對于化學(xué)成分，主要關(guān)注的是雜質(zhì)元素的最大允許含量，以保證鈦材料具有足夠的純度；而物理性能則包括密度、硬度等參數(shù)，這些都直接影響到最終電子薄膜的質(zhì)量與性能。此外，還對靶材的外觀質(zhì)量提出了具體要求，比如表面應(yīng)無裂紋、氣孔等缺陷，確保其能夠滿足后續(xù)加工工藝的需求。

試驗方法部分，則提供了測定上述各項性能指標(biāo)的具體操作步驟和技術(shù)手段。例如，通過電感耦合等離子體發(fā)射光譜法（ICP-OES）來檢測化學(xué)成分；采用阿基米德原理測量體積并計算出密度值等。

檢驗規(guī)則中，則定義了產(chǎn)品出廠前必須進行的各項檢查項目及其合格判定準(zhǔn)則，并且說明了當(dāng)出現(xiàn)爭議時如何處理的方法。同時，也指出了型式檢驗與常規(guī)檢驗之間的區(qū)別及適用場合。

最后，在包裝、標(biāo)志、運輸和貯存章節(jié)里，給出了關(guān)于如何妥善保護產(chǎn)品免受損壞的具體指導(dǎo)，比如使用何種材料進行包裝，標(biāo)簽上需要包含哪些信息，以及在不同條件下存儲時應(yīng)注意的安全事項等。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2013-10-17 頒布
  • 2014-03-01 實施
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YS/T 893-2013電子薄膜用高純鈦濺射靶材_第1頁
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文檔簡介

ICS7715050

H64..

中華人民共和國有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

YS/T893—2013

電子薄膜用高純鈦濺射靶材

High-puritysputteringtitaniumtargetusedinelectronicfilm

2013-10-17發(fā)布2014-03-01實施

中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布

YS/T893—2013

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員歸口

(SAC/TC243)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研億金新材料股份有限公司寧波江豐電子材料有限公司

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人何金江董亭義袁海軍羅俊鋒滕海濤喻潔賀昕錢紅兵周辰劉丹

:、、、、、、、、、、

陸靈芝王學(xué)澤熊曉東

、、。

Ⅰ

YS/T893—2013

電子薄膜用高純鈦濺射靶材

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子薄膜用高純鈦濺射靶材的要求試驗方法檢驗規(guī)則和標(biāo)志包裝運輸貯存及

、、、、、

質(zhì)量證明與合同訂單等內(nèi)容

()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于電子薄膜制造用的各類鈦濺射靶材

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法表面粗糙度參數(shù)及其數(shù)值

GB/T1031(GPS)

海綿鈦鈦及鈦合金化學(xué)分析方法氧量氮量的測定

GB/T4698.7、、

海綿鈦鈦及鈦合金化學(xué)分析方法碳量的測定

GB/T4698.14、

海綿鈦鈦及鈦合金化學(xué)分析方法氫量的測定

GB/T4698.15、

金屬平均晶粒度測定方法

GB/T6394

變形金屬超聲檢驗方法

GJB1580A

濺射靶材背板結(jié)合質(zhì)量超聲波檢驗方法

YS/T837-

高純鈦化學(xué)分析方法痕量雜質(zhì)元素的測定輝光放電質(zhì)譜法

YS/T891

高純鈦化學(xué)分析方法痕量雜質(zhì)元素的測定電感耦合等離子體質(zhì)譜法

YS/T892

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

靶材target

在濺射沉積技術(shù)中的陰極部分該陰極材料在帶正電荷的陽離子撞擊下以分子原子或離子的形

。、

式脫離陰極而在陽極表面沉積

。

32

.

靶坯targetblank

陰極上用作濺射材料的部分

。

33

.

背板backingplate

用來支撐或固定靶材的部分靶坯與背板可以通過焊接如釬焊擴散焊等機械復(fù)合粘接等方

。(、)、、

式連接

。

4要求

41產(chǎn)品分類

.

411產(chǎn)品按照結(jié)構(gòu)形式分為單體和復(fù)合兩種

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