標(biāo)準(zhǔn)解讀
《YS/T 893-2013 電子薄膜用高純鈦濺射靶材》是一項(xiàng)針對(duì)用于制造電子薄膜的高純度鈦濺射靶材的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了此類材料的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸和貯存等方面的內(nèi)容。
在技術(shù)要求方面,明確了靶材的化學(xué)成分、物理性能等關(guān)鍵指標(biāo)。對(duì)于化學(xué)成分,主要關(guān)注的是雜質(zhì)元素的最大允許含量,以保證鈦材料具有足夠的純度;而物理性能則包括密度、硬度等參數(shù),這些都直接影響到最終電子薄膜的質(zhì)量與性能。此外,還對(duì)靶材的外觀質(zhì)量提出了具體要求,比如表面應(yīng)無(wú)裂紋、氣孔等缺陷,確保其能夠滿足后續(xù)加工工藝的需求。
試驗(yàn)方法部分,則提供了測(cè)定上述各項(xiàng)性能指標(biāo)的具體操作步驟和技術(shù)手段。例如,通過(guò)電感耦合等離子體發(fā)射光譜法(ICP-OES)來(lái)檢測(cè)化學(xué)成分;采用阿基米德原理測(cè)量體積并計(jì)算出密度值等。
檢驗(yàn)規(guī)則中,則定義了產(chǎn)品出廠前必須進(jìn)行的各項(xiàng)檢查項(xiàng)目及其合格判定準(zhǔn)則,并且說(shuō)明了當(dāng)出現(xiàn)爭(zhēng)議時(shí)如何處理的方法。同時(shí),也指出了型式檢驗(yàn)與常規(guī)檢驗(yàn)之間的區(qū)別及適用場(chǎng)合。
最后,在包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸和貯存章節(jié)里,給出了關(guān)于如何妥善保護(hù)產(chǎn)品免受損壞的具體指導(dǎo),比如使用何種材料進(jìn)行包裝,標(biāo)簽上需要包含哪些信息,以及在不同條件下存儲(chǔ)時(shí)應(yīng)注意的安全事項(xiàng)等。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2013-10-17 頒布
- 2014-03-01 實(shí)施
文檔簡(jiǎn)介
ICS7715050
H64..
中華人民共和國(guó)有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
YS/T893—2013
電子薄膜用高純鈦濺射靶材
High-puritysputteringtitaniumtargetusedinelectronicfilm
2013-10-17發(fā)布2014-03-01實(shí)施
中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部發(fā)布
YS/T893—2013
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員歸口
(SAC/TC243)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研億金新材料股份有限公司寧波江豐電子材料有限公司
:、。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人何金江董亭義袁海軍羅俊鋒滕海濤喻潔賀昕錢(qián)紅兵周辰劉丹
:、、、、、、、、、、
陸靈芝王學(xué)澤熊曉東
、、。
Ⅰ
YS/T893—2013
電子薄膜用高純鈦濺射靶材
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子薄膜用高純鈦濺射靶材的要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則和標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存及
、、、、、
質(zhì)量證明與合同訂單等內(nèi)容
()。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于電子薄膜制造用的各類鈦濺射靶材
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法表面粗糙度參數(shù)及其數(shù)值
GB/T1031(GPS)
海綿鈦鈦及鈦合金化學(xué)分析方法氧量氮量的測(cè)定
GB/T4698.7、、
海綿鈦鈦及鈦合金化學(xué)分析方法碳量的測(cè)定
GB/T4698.14、
海綿鈦鈦及鈦合金化學(xué)分析方法氫量的測(cè)定
GB/T4698.15、
金屬平均晶粒度測(cè)定方法
GB/T6394
變形金屬超聲檢驗(yàn)方法
GJB1580A
濺射靶材背板結(jié)合質(zhì)量超聲波檢驗(yàn)方法
YS/T837-
高純鈦化學(xué)分析方法痕量雜質(zhì)元素的測(cè)定輝光放電質(zhì)譜法
YS/T891
高純鈦化學(xué)分析方法痕量雜質(zhì)元素的測(cè)定電感耦合等離子體質(zhì)譜法
YS/T892
3術(shù)語(yǔ)和定義
下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件
。
31
.
靶材target
在濺射沉積技術(shù)中的陰極部分該陰極材料在帶正電荷的陽(yáng)離子撞擊下以分子原子或離子的形
。、
式脫離陰極而在陽(yáng)極表面沉積
。
32
.
靶坯targetblank
陰極上用作濺射材料的部分
。
33
.
背板backingplate
用來(lái)支撐或固定靶材的部分靶坯與背板可以通過(guò)焊接如釬焊擴(kuò)散焊等機(jī)械復(fù)合粘接等方
。(、)、、
式連接
。
4要求
41產(chǎn)品分類
.
411產(chǎn)品按照結(jié)構(gòu)形式分為單體和復(fù)合兩種
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