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月 無(wú)源器件L、C、V、射頻集成電路中的射頻集成電路中的射頻集成電路中的可變 電感簡(jiǎn)CMOS可能的市CMOS集成主要的一個(gè)瓶 幾種集成電感及其特片上螺旋電 片上微帶線電Bondwire有源等效電感(請(qǐng)計(jì)算感值？作業(yè)Bondwire 集成電感在射頻電路中的使射頻集成電路中廣泛使用電感，如LNA,MIXER,VCO等,在不引入直流壓降時(shí)獲得增益,與電容一起構(gòu)成諧振回路LNA中的電 MIXER中的電 VCO中的電 集成電感的作 典型的Spiral 堆疊電3D堆疊電 Spiral電感的集總電路模型串聯(lián)損耗電阻：金屬與襯底間電：：端頭穿通電：：襯底電：襯底電阻Spiral電感的集總電路模型n公式(@JSSC1999Wheeler公式(@IRE1928 Spiral電感的典型頻響特

峰值Q在 Spiral電感 差分Spiral電感的R,L,Q,S 片上電容與片上可變電片上可變電容的類(lèi)型(按工作機(jī)制分PN變?nèi)荻O管：電容與反偏電壓呈反I-MOS變?nèi)莨埽悍葱?，?片上PIP，MIMCunit＝1fF/um2，Cfringe＝0.1fF/ 片上可變電 PN變?nèi)荻O 標(biāo)準(zhǔn)MOS管可變電 反型MOS管可變電 累積MOS管可變電 電阻分類(lèi)與方塊電阻的計(jì)SalicidePoly幾種常用的電阻制NWELL阱電阻,方塊電阻 SalicidePoly電阻,

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