TD業(yè)務(wù)端到端質(zhì)量分析

TD業(yè)務(wù)端到端質(zhì)量分析背景TD-SCDMA是作為中國提出的第三代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)(3G)TD-SCDMA網(wǎng)絡(luò)的信號傳輸流程為：2客戶端UserEquipment接入網(wǎng)RadioNetworkControl核心網(wǎng)CoreNet業(yè)務(wù)平臺FentionWap...研究目的Y：視頻信號質(zhì)量——VMOS值X：傳輸過程參數(shù)目的：對樣本信號的VMOS分?jǐn)?shù)進(jìn)行分析和挖掘；過濾掉無關(guān)參數(shù)；研究相關(guān)參數(shù)對信號質(zhì)量的影響；3信息傳輸質(zhì)量分析的研究現(xiàn)狀信息傳輸質(zhì)量評價(jià)方法劉錦鍺（2008）:無線視頻信號質(zhì)量分析的評價(jià)方法;顧龍翔，宋協(xié)榕（1991年）:分析了EIRPs值、接收仰角、優(yōu)選接收系統(tǒng)等因素對于衛(wèi)星電視畫面?zhèn)鬏斮|(zhì)量的影響;郭從良，于鵬飛等（2005）:對流媒體傳輸質(zhì)量進(jìn)行分析;蔡媛媛，戚宇林等（2004）:對視頻傳輸系統(tǒng)的傳輸質(zhì)量做了一定的分析,簡要介紹了當(dāng)前的一些抗誤碼技術(shù)。4實(shí)驗(yàn)原理5固定變量（不可控亦不可測，但是可以認(rèn)為穩(wěn)定）：核心網(wǎng)及服務(wù)器情況研究輸出變量主叫手機(jī)發(fā)出信號與通過無線環(huán)境后傳到核心網(wǎng)絡(luò)信號的差別；核心網(wǎng)絡(luò)發(fā)出信號與通過無線環(huán)境后傳到主叫手機(jī)信號的差別。輸入變量（可測不可控）無線環(huán)境參數(shù)數(shù)據(jù)處理默認(rèn)整體下移算法有誤，VMOS值普遍偏低刪除初期VMOS值劇烈波動(dòng)丟幀（VMOS值突變?yōu)?）分割取平均無線環(huán)境參數(shù)采用的是絕對時(shí)間，同時(shí)每隔200毫秒采集13-17條；而VMOS值的公司采用幀數(shù)記錄，而沒有標(biāo)明時(shí)間。6變量篩選共41個(gè)輸入?yún)?shù)，4個(gè)輸出參數(shù)輸出參數(shù)峰值信噪比與VMOS值呈絕對的正比關(guān)系輸入?yún)?shù)C/I值為RSCP與ISCP值之差刪除沒有取值或者恒定的參數(shù)7變量篩選參數(shù)名稱參數(shù)描述參數(shù)取值UTRACarrierRSSI(dBm)載波接收的信號強(qiáng)度指示，用來判定鏈接質(zhì)量以及是否增大廣播發(fā)送強(qiáng)度UE_TxPower(dBm)手機(jī)的發(fā)射功率，反映了手機(jī)當(dāng)前的上行鏈路損耗水平和干擾情況。上行鏈路損耗大或者存在嚴(yán)重干擾，手機(jī)的發(fā)射功率就會大，反之手機(jī)發(fā)射功率就會小。-50~33dBmISCP(dBm)每個(gè)時(shí)隙每個(gè)載波上的干擾信號碼功率；該值越小，表示干擾越小-115～－25dBmC/I(dB)載干比；載干比是反映信號在空間傳播的過程中，接受端接受到信號的好壞的比值，對于通信工程設(shè)計(jì)來說，載干比是分析信號好壞的標(biāo)準(zhǔn)-20～25dBPCCPCHRSCP(dBm)主公共控制物理信道的平均接收信號碼功率；通常根據(jù)其來衡量覆蓋水平-115～－25dBmDPCHRSCP(dBm)專用物理信道的平均接收信號碼功率-115～－25dBmPCCPCHSIR(dB)主公共導(dǎo)頻信道的SIR；SIR信干比:SIR＝（RSCP/ISCP)×SF，ISCP算法各手機(jī)不同，SIR為手機(jī)直接吐出。-11～20dBDL_RLC_Thr下行RLC層吞吐量0～2048000bpsUL_RLC_Thr上行的RLC層吞吐量0～384000bps8數(shù)據(jù)分析單次實(shí)驗(yàn)分析輸出VMOS值分析參數(shù)分析參數(shù)間關(guān)系分析輸出與輸入關(guān)系分析多次實(shí)驗(yàn)比較9VMOS時(shí)間序列圖及分布10隨時(shí)間變動(dòng)非常相似，均有先下降后上升分布很難做出過程評價(jià)參數(shù)時(shí)間序列圖舉例11參數(shù)時(shí)間序列圖舉例12變量為離散值初期過低偏離穩(wěn)態(tài)很難判斷是否跟隨變化參數(shù)直方圖舉例13所有連續(xù)變量均明顯不對稱絕大多數(shù)集中分布，少量偏離較遠(yuǎn)參數(shù)間矩陣圖14結(jié)論線性正相關(guān)的變量：UTRACarrierRSSIDPCH_RSCPPCCPCH_RSCPPCCPCH_ISCP與上述變量呈線性負(fù)相關(guān)的變量為UE_TxPower15結(jié)論與其他無明顯關(guān)系的變量DPCH_ISCPSIR離散變量DL_RLC_ThrUL_RLC_Thr16VMOS與參數(shù)間關(guān)系17只可能在高值（或者低值）處取得優(yōu)質(zhì)圖像沒有明顯趨勢刪去異常值18多次實(shí)驗(yàn)比較19從單次實(shí)驗(yàn)中我們挑選出五個(gè)變量：UTRACarrierRSSIDPCH_RSCPPCCPCH_RSCPPCCPCH_ISCPUE_TxPower與輸入、輸出VMOS值在多次實(shí)驗(yàn)比較中我們也主要使用了以上變量。描述性統(tǒng)計(jì)量比較我們發(fā)現(xiàn)第二、三、四次實(shí)驗(yàn)各變量描述統(tǒng)計(jì)量十分接近：1、各描述統(tǒng)計(jì)量值相近2、呈現(xiàn)相近的規(guī)律：輸出VMOS>輸入VMOS輸出VMOS標(biāo)準(zhǔn)差>輸入VMOS標(biāo)準(zhǔn)差……第一次實(shí)驗(yàn)描述性統(tǒng)計(jì)量與后三次實(shí)驗(yàn)有一定差異20VMOS值的時(shí)間序列圖比較首先比較不去除異常值的時(shí)間序列圖21相似的規(guī)律：OUT_VMOS與IN_VMOS都呈現(xiàn)初期劇烈波動(dòng)，后期趨于穩(wěn)定的模式。此外OUT_VMOS的不穩(wěn)定時(shí)間長于IN_VMOS對VMOS值解釋的懷疑理由一：實(shí)驗(yàn)工程師對數(shù)據(jù)的懷疑理由二：波動(dòng)易出現(xiàn)在通話開始段理由三：丟幀（VMOS=0）總出現(xiàn)在VMOS在3左右的之前或之后22VMOS時(shí)間序列圖比較（con’d）比較去除異常點(diǎn)的時(shí)間序列圖23相似的規(guī)律：

前段在高值段（1.07至1.10）波動(dòng)逐漸到穩(wěn)定的低值（1.02至1.05），之后又上升到1.06左右峰值后又下降。由于實(shí)驗(yàn)時(shí)間，其變化趨勢被截止，如果要進(jìn)一步觀察變化趨勢，比如是否循環(huán)波動(dòng)，應(yīng)加長試驗(yàn)時(shí)間。OUT_VMOS值相較于IN_VMOS值似略為滯后，并不同時(shí)變化。VMOS值及選定變量的矩陣圖比較24相似的規(guī)律：

UTRA_Carrier_RSSI、DPCH_RSCP、PCCPCH_RSCP、PCCPCH_ISCP、UE_TxPower之間有一定線性關(guān)系，前四個(gè)之間有正相關(guān)關(guān)系，和最后一個(gè)變量之間存在負(fù)相關(guān)關(guān)系，而其與VMOS值關(guān)系不顯著。線性回歸驗(yàn)證對這些變量之間兩兩做了線性回歸的分析。我們發(fā)現(xiàn)從各次實(shí)驗(yàn)內(nèi)部來看，這些變量之間存在著較為顯著地線性關(guān)系，這可以通過較小的P-value值得以驗(yàn)證。但比較各個(gè)實(shí)驗(yàn)之間，往往發(fā)現(xiàn)回歸所得表達(dá)式差別較大，可能還受到幾次實(shí)驗(yàn)中不同條件或參數(shù)的影響。25實(shí)驗(yàn)存在的問題1.傳輸圖像