產(chǎn)品技術培訓-4.電源控制

域供電方案–多個供域VDD2.0to3.6V：給GPIOVDDA=2.0to3.6V：給ADC、DAC、復位模VBAT1.65Vto3.6V：當VDD

A/DconverterD/Aconverter Temp.sensorResetblockI/O(Wake-uplogic, VoltageVoltageLowVoltage

VSS和VSSA必須接

LSEcrystal32KBKPRCCBDCRregister電源系統(tǒng)框圖比STM32F1004.7uF的電容要連在VDD3附2VDDA域和VDD域的上電順VDDA要大于等于掉電時，允許短時間的VDDA低于VDD，單壓 過可通過外 二極管來保34上電復位（POR）/掉電復位工作電壓范圍（2Vto3.6V）以外時，無需外部復位POR和PDR典型滯回POR只監(jiān)測PDR可以檢測VDD和VDDA，可通過項字節(jié)來關閉對VDDA

40mv40mv耗。默認是使能監(jiān)測

Vtrlmin1.8V/Vtrhmax可編程電壓檢測可通過軟件PVDE使能：監(jiān)測VDD，并門限從2.1V到2.9V可配置，間隔當VDD高于和低于設定的門限，可通過EXTI16可用來產(chǎn) 信息，保存系統(tǒng)狀待機模式下PVD停止PVD鎖定功能PVD

電池備

備份域框

RCC

電電

侵 時間

RTC_TAMP2(PA0)不屬于電池備7內(nèi)核低功耗管睡眠模式深度睡眠模式，由SLEEPDEEP@SCB_SCR兩種模式下MCU的功耗活動依賴于具體 實如果置位SLEEPONEXIT，可以在執(zhí)行完喚醒MCU的中斷后自動再入睡眠，從而避免返回到空的主循環(huán)00進入睡眠模1從最低優(yōu)先級的中斷進入睡眠模100停止模式，VR正常工1停止模式，VR低功耗模式工1待機模式（VR關閉注意：當外設在STOP模式下需要時鐘信號，電源控制器會自動被VR從低功 STM32F0控制深度睡眠時是進入STOP或STANDBY模式@PDDS、使能和控制PVD@PVDE、清除兩個標志位@CSBF、對電池備份域的寫保護控制控制/使能喚醒引腳WUKP@EWUP2、EWUP1（可被系統(tǒng)復位復位作為喚醒引腳時，不再受GPIO邏輯控制（腳的GPIO模式）；SBF和WUF標志，硬件置位軟 ；也可被POR/PDR復PVDO標志9Sleep-on-Exit特性的使執(zhí)行完異常處理函數(shù)，無常用于中斷驅動的低功耗之睡眠模WFI(等待中斷喚醒：任何被NVIC ”，可以是外設使能了但NVIC未使能的中斷；也可以是配置 模式的 發(fā)生沒有中斷進出造成的時間延立即睡眠：MCU只要執(zhí)行了WFI/WFE退出睡眠：MCU低功耗之停止模如果之前RTC和IWWDG為進一步降低停止模喚醒 COMPxI2C1USART1以及從停止模式喚醒后，時鐘配置又恢復了其默認狀態(tài)，即HSI低功耗之待機模SRAM和register的內(nèi)容丟失；只有備份域和待機電路中的寄存器例PLL、HSI諧振器和HSE晶振都關RTC和IWWDG待機模式下所有I/O都保持高RTC相關引腳喚醒源

會置位

STM32F05x低功耗模式小模式名進入方喚醒鐘的影器IO喚醒延（）無無++WFIor+特殊通信外設的接+++WFIor停機和待機模式的喚醒EXTIEXTI16(PVDEXTI17(RTCEXTI19(RTCtamper&EXTI21比較器輸出EXTI22比較器輸出EXTI23I2C1喚醒EXTI25USART1喚醒EXTI27CEC喚醒低功耗模式下的功耗數(shù)IDD/IDDARUNmodew/executefromFlashon(HSEbypass8MHzx6PLL=48MHz)Allperipheralsclock/RUNmodew/executefromFlashon(HSEbypass8MHzx3PLL=24MHz)Allperipheralsclock/RUNmodew/executefromFlashon(HSI)Allperipheralsclock/Sleepmodew/executefromFlashat(HSI8MHz/2x12PLL=48MHz)Allperipheralsclock/STOPw/VoltageRegulatorinlowAlloscillatorsOFF,PDRonVDDAis/STANDBYw/LSIandIWWDGOFFPDRonVDDAisOFF/