1+X集成電路理論知識考試試題含答案

1+X集成電路理論知識考試試題含答案1、在設(shè)計限流電阻版圖時要考慮以下方面：（）。A、電阻盡量做的寬一些B、電阻盡量做的窄一些C、電阻兩頭的接觸孔一定要離金屬的邊緣遠(yuǎn)一些D、電阻兩頭的接觸孔一定要離金屬的邊緣近一些答案：AC2、晶圓切割機(jī)主要由（）、（）和（）三部分組成。A、顯示區(qū)B、清洗區(qū)C、切割區(qū)D、氣槍答案：ACD略3、管裝外觀檢查時，需要檢查的內(nèi)容有（）。A、芯片管腳是否彎曲B、芯片數(shù)量是否與隨件單一致C、料管內(nèi)的芯片方向是否正確D、印章是否錯誤或損壞答案：ABCD4、通常情況下，以下()封裝形式的芯片采用重力式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行測試。A、SOP封裝B、QFN封裝C、LGA封裝D、DIP封裝答案：AD通常情況下，DIP封裝和SOP封裝采用重力式分選機(jī)進(jìn)行測試，LGA封裝采用轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行測試，QFN封裝采用平移式分選機(jī)進(jìn)行測試。5、晶圓制造過程中，檢測刻蝕質(zhì)量的好壞，一般通過以下幾個方面體現(xiàn)出來：（）。A、刻蝕均勻性B、圖形保真度C、刻蝕選擇比D、刻蝕的潔凈度答案：ABCD6、DUT板卡的設(shè)計原則包括（）。A、確定測試機(jī)資源的接口形式B、確定芯片測試接口C、根據(jù)不同芯片需求設(shè)計測試外圍電路D、選用合適的DUT答案：ABC7、版圖設(shè)計過程中，需要注意（）。A、數(shù)字電源地和模擬電源地要分開B、襯底接觸與MOS管的距離應(yīng)盡量小C、連線布置可以采用并聯(lián)走線，線的寬度應(yīng)盡量窄D、寬長比大的管子最好拆分答案：ABD8、萬用電表有那些擋位（）。A、交/直流電壓檔B、交/直流電流檔C、導(dǎo)通/蜂鳴檔D、歐姆擋答案：ABCD9、選擇集成電路的關(guān)鍵因素主要包括（）。A、性能指標(biāo)B、工作條件C、性能價格比D、芯片原料答案：ABC10、晶圓框架盒的主要作用為（）和（）。A、固定并保護(hù)晶圓，避免其隨意滑動而發(fā)生碰撞B、用于儲存晶圓的容器C、保護(hù)藍(lán)膜，防止晶圓上的藍(lán)膜受到污染D、便于周轉(zhuǎn)搬運(yùn)答案：AD晶圓框架盒是用于裝載已經(jīng)外加晶圓貼片環(huán)的晶圓的容器，可以避免晶圓隨意滑動而發(fā)生碰撞，有效的保護(hù)晶圓和晶粒的完整度，同時便于周轉(zhuǎn)搬運(yùn)。11、晶圓切割完成后需要先經(jīng)過（）和（）工序，方可進(jìn)入芯片粘接工序。A、晶圓清洗B、晶圓拋光C、第一道光檢D、第二道光檢答案：AD晶圓切割之后需先經(jīng)過晶圓清洗將切割過程中產(chǎn)生的硅粉塵清除，以及第二道光檢將切割過程產(chǎn)生的不良品剔除，方可進(jìn)入芯片粘接工序12、編帶外觀檢查的內(nèi)容有（）。A、壓痕B、蓋帶皺紋C、載帶破損D、脫膠答案：ABCD13、在將原理圖導(dǎo)入到目標(biāo)PCB文件的步驟中：單擊ValidateChanges按鈕，沒有錯誤，則單擊ExecuteChanges按鈕，將信息發(fā)送到PCB。當(dāng)完成后，被標(biāo)記的有（）。A、DoneB、MessageC、CheckD、Add答案：AC14、扎針測試時，在MAP圖上可能會看到()區(qū)域。A、沿邊直接剔除區(qū)域B、故障區(qū)域C、待測區(qū)域D、測試合格區(qū)域答案：ABCD扎針測試過程中，在MAP圖上會出現(xiàn)不同的標(biāo)記，含有沿邊直接剔除區(qū)域、測試區(qū)域、待測扎針、故障區(qū)域、待測區(qū)域。15、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)有2個()和()。A、測試位B、光檢位C、旋轉(zhuǎn)糾姿位D、上料位答案：BC轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行測試時，需要經(jīng)過測前光檢和測后光檢，測前光檢和測后光檢都會檢測芯片的方向，對芯片方向錯誤的芯片會在下一個旋轉(zhuǎn)糾姿位中進(jìn)行糾正。16、測試機(jī)可以實(shí)現(xiàn)()等功能。A、電性的測試B、測試程序的下載C、施加電壓電流D、采集測試數(shù)據(jù)答案：ABCD測試機(jī)可以實(shí)現(xiàn)電性的測試、測試程序的下載、施加電壓電流、采集測試數(shù)據(jù)等功能。17、下列描述正確的是（）。A、LS系列芯片輸入電流普遍比HC系列大B、LS系列芯片輸入電流普遍比HC系列小C、LS系列速度比HC系列快D、HC系列速度比LS系列快答案：AC18、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的上料機(jī)構(gòu)主要由()和()組成。A、振動料斗B、吸嘴C、氣軌D、主轉(zhuǎn)塔答案：AC轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的上料機(jī)構(gòu)主要由振動料斗和氣軌組成。19、影響CMP質(zhì)量的因素有()。A、拋光壓力B、拋光液pH值C、轉(zhuǎn)速D、拋光區(qū)域溫度值答案：ABCD拋光質(zhì)量的影響因素有很多，例如地光的壓力拋光液的PH值拋光液粘度轉(zhuǎn)速光區(qū)域溫度、磨粒尺寸濃度與硬度等。20、管裝真空包裝時，將裝有料盤的防靜電鋁箔袋放到()上，并把()插入防靜電鋁箔袋封口中，盡量保證鋁箔袋的封口平整。A、真空包裝機(jī)的擱板B、真空包裝機(jī)的控制面板C、抽嘴D、吸嘴答案：AC管裝真空包裝時，將裝有料盤的防靜電鋁箔袋放到真空包裝機(jī)的擱板上，并把抽嘴插入防靜電鋁箔袋封口中，盡量保證鋁箔袋的封口平整。21、進(jìn)入風(fēng)淋室之前，要確定（）后，在進(jìn)入。A、風(fēng)淋室內(nèi)部無人B、身上無灰塵C、風(fēng)淋室運(yùn)行正常D、腳上無鞋子答案：AC進(jìn)入風(fēng)淋室前，確認(rèn)風(fēng)淋室內(nèi)無人且運(yùn)行正常后，打開風(fēng)淋室外門，進(jìn)入其內(nèi)，進(jìn)行風(fēng)淋除塵，此時穿有無塵鞋。22、相較于高溫銅質(zhì)花籃，高溫實(shí)心花籃有（）等特點(diǎn)。A、質(zhì)輕B、制造成本高C、花籃本身較重D、制造成本低答案：AD23、將料盤裝入防靜電鋁箔袋時，還需要裝()。A、干燥劑B、濕度卡C、海綿D、標(biāo)簽答案：AB將干燥劑和濕度卡固定在包裝完畢的料盤中央后放入不透明的防靜電鋁箔袋中。24、在8個LED燈閃爍實(shí)驗(yàn)中“PB->OUT=0xff00;”表示（）。A、PB0~PB7為輸出B、PB8~PB15為輸出C、輸出高電平，點(diǎn)亮LED燈D、輸出低電平，點(diǎn)亮LED燈答案：AD25、編帶外觀檢查的主要內(nèi)容有（）。A、載帶是否有破裂、沾污、破損B、蓋帶是否有壓定位孔或露出底邊、起皺、壓痕、氣泡、脫膠C、編帶中有無不良品或放反芯片等不合格情況D、編帶原材料是否與卷盤不符答案：ABC26、相較于高溫銅質(zhì)花籃，高溫實(shí)心花籃有()等特點(diǎn)。A、質(zhì)輕B、制造成本高C、花籃本身重D、制造成本低答案：AD高溫銅質(zhì)花籃本身較重，制造成本高，一般用于尺寸較小的晶圓，如5英寸、6英寸。高溫實(shí)心花籃具有質(zhì)輕、制造成本低等特點(diǎn)，目前工業(yè)上一般多用高溫實(shí)心花籃。27、以下屬于導(dǎo)片步驟的是()。A、從氮?dú)夤裰腥〕龌ɑ@B、核對晶圓數(shù)量C、核對晶圓批號D、核對晶圓片號E、將花籃放入氮?dú)夤裰写鸢福篈BCD導(dǎo)片步驟是：從氮?dú)夤裰腥〕鲅b有晶圓的花籃和對應(yīng)的晶圓測試隨件單→核對晶圓數(shù)量→核對印章批號→核對片號，根據(jù)晶圓片號將晶圓放在相應(yīng)的花籃編號中。導(dǎo)片完成后進(jìn)行上片，不需要再放入氮?dú)夤裰小?8、引線鍵合常見的有（）、（）、（）三種方法。A、熱壓鍵合B、超聲鍵合C、火噴鍵合D、拉力鍵合E、熱超聲鍵合F、冷凝鍵合答案：ABE略29、以下元器件屬于數(shù)字電路的是（）。A、驅(qū)動器B、計數(shù)器C、定時器D、數(shù)據(jù)選擇器答案：ABD30、在全自動探針臺上進(jìn)行扎針調(diào)試時，需要根據(jù)晶圓測試隨件單在探針臺輸入界面輸入的信息有()。A、晶圓產(chǎn)品名稱B、晶圓印章批號C、晶圓片號D、晶圓尺寸E、X軸步距尺寸F、Y軸步距尺寸答案：ABCDEF在全自動探針臺上進(jìn)行扎針調(diào)試時，根據(jù)晶圓測試隨件單，在探針臺操作界面輸入晶圓產(chǎn)品名稱、印章批號、片號等信息，同時設(shè)定晶圓尺寸、X軸和Y軸等步進(jìn)參數(shù)。31、在進(jìn)行料盤外觀檢查時，不需要檢查的內(nèi)容有：（）。A、管腳B、印章C、壓痕D、脫膠答案：CD32、整批料盤全部外觀檢查完后（包括電路拼零等），后續(xù)需要進(jìn)行的操作是()。A、清點(diǎn)數(shù)量B、打印標(biāo)簽C、臨時捆扎D、抽檢答案：ABCD整批料盤全部外觀檢查完后（包括電路拼零等），后續(xù)需要進(jìn)行臨時捆扎、數(shù)量清點(diǎn)、打印標(biāo)簽、放到“已檢查品貨架”上等待外驗(yàn)人員進(jìn)行抽檢等操作。33、編帶前光檢的目的是檢查()。A、芯片的數(shù)量是否正確B、芯片的印章是否清晰C、芯片的管腳是否出現(xiàn)扭曲、斷裂D、芯片的電氣參數(shù)答案：BC編帶前進(jìn)行光檢是為了確保進(jìn)入編帶的芯片印章和管腳都是合格的。芯片數(shù)量在上料前進(jìn)行核對，電氣參數(shù)的檢測是在測試環(huán)節(jié)進(jìn)行的。34、單晶硅生長過程中，無位錯正常生長的標(biāo)志有()、()。A、晶棱隨細(xì)頸轉(zhuǎn)為寬平B、有反光或細(xì)頸某一側(cè)向外鼓起C、長出規(guī)定尺寸的細(xì)頸D、界面出現(xiàn)抖動的光圈答案：AB晶棱隨細(xì)頸縮小轉(zhuǎn)為寬平，并可見有反光或細(xì)頸某一側(cè)面向外鼓起，這都是無位錯單晶正常生長的標(biāo)志。長出規(guī)定尺寸的細(xì)頸是縮頸這一過程。界面出現(xiàn)抖動的光圈是在引晶的過程中，籽晶與多晶硅液面熔接后會出現(xiàn)的情況，熔接后出現(xiàn)抖動的光圈說明溫度太高。35、下列平移式分選機(jī)的日常維護(hù)頻率錯判的是（）。A、電源供應(yīng)：每周B、機(jī)械手臂：每日C、測試壓座：每月D、高壓空氣：每日答案：ABC36、防靜電鋁箔袋具有()三大功能。A、防潮B、防靜電C、防電磁干擾D、防塵答案：ABC防靜電鋁箔袋具有防靜電、防電磁干擾、防潮三大功能，具有良好的防水、阻氧、避光等特點(diǎn)，可以最大程度地保護(hù)靜電敏感元器件免受潛在靜電危害。37、下列屬于WAT測試數(shù)據(jù)的用途的有：()。A、測試和分析特定的WAT測試結(jié)構(gòu)B、作為晶圓產(chǎn)品出貨前的依據(jù)，對其進(jìn)行質(zhì)檢C、分析客戶反饋的異常晶圓產(chǎn)品的信息D、代工廠內(nèi)部隨機(jī)審查晶圓的可靠性測試答案：ABCDWAT測試的用途有作為晶圓產(chǎn)品出貨前的依據(jù)，對其進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)；對WAT數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)理統(tǒng)計分析；檢測客戶特別要求的器件結(jié)構(gòu)是否滿足工藝要求；分析客戶反饋的異常晶圓產(chǎn)品的信息；代工廠內(nèi)部隨機(jī)審查晶圓的可靠性測試；為器件工藝建模提供數(shù)據(jù)；測試和分析特定的WAT測試結(jié)構(gòu)，改善工藝或開發(fā)下一代平臺。38、塑封體上激光打字時，打印的內(nèi)容可以有（）等。A、產(chǎn)品名稱B、生產(chǎn)日期C、生產(chǎn)批次D、商標(biāo)E、注意事項F、適用范圍答案：ABCDD選項“商標(biāo)”屬于制造商信息，所以有時會打印在產(chǎn)品上。39、切片是拋光片制備中一道重要的工序，因?yàn)檫@一工序基本上決定了硅片的四個重要參數(shù)，即晶向、()、()、()。A、平行度B、直徑C、翹度D、厚度答案：ACD切片是拋光片制備中一道重要的工序，因?yàn)檫@一工序基本上決定了硅片的四個重要參數(shù)，即晶向、厚度、平行度、翹度。直徑是在外形整理中的徑向研磨環(huán)節(jié)確定的。40、ESD防靜電門禁支持（）的靜電測試。A、手指B、手掌C、左腳D、右腳E、人臉答案：ACDESD防靜電門禁支持左右腳和手指靜電測試。41、影響顯影工藝的因素有（）。A、曝光度B、顯影液濃度C、顯影方法D、工序的溫度和時間答案：ABCD42、屬于濕法刻蝕的優(yōu)點(diǎn)的是（）。A、各向同性B、各向異性C、提高刻蝕的選擇比D、不產(chǎn)生襯底損傷答案：CD43、晶圓檢測工藝中，晶圓完成打點(diǎn)以后需要進(jìn)行墨點(diǎn)烘烤，以下屬于晶圓烘烤環(huán)節(jié)的步驟的是（）。A、用晶圓鑷子從常溫花籃中夾取晶圓，核對晶圓印章批號B、根據(jù)晶圓片號和花籃刻度放到對應(yīng)的高溫花籃中C、用工具將高溫花籃放在高溫烘箱中D、將烘烤完的晶圓從烘箱中取出答案：ABCD44、屬于氧化層表面缺陷的是（）。A、白霧B、針孔C、斑點(diǎn)D、層錯答案：AC氧化層缺陷包括表面缺陷、體內(nèi)缺陷。表面缺陷有斑點(diǎn)、裂紋、白霧等，可用目檢或顯微鏡檢驗(yàn)；體內(nèi)缺陷主要有針孔和氧化層錯。45、以下屬于抽真空質(zhì)量不合格的情況的是()。（多選題）A、防靜電鋁箔袋破損B、防靜電鋁箔袋褶皺C(jī)、防靜電鋁箔袋周邊存在空氣殘留D、防靜電鋁箔袋外形整齊答案：ABC如果發(fā)現(xiàn)真空包裝好的卷盤不整齊或不光滑，有彎曲、變形現(xiàn)象或鋁箔袋周邊存在明顯的空氣殘留、褶皺、破損等現(xiàn)象，需要重新抽真空。46、重力式分選機(jī)的上料機(jī)構(gòu)由()組成。A、料斗B、上料夾具C、氣軌D、上料槽E、收料架F、送料軌答案：BDF重力式分選機(jī)的上料機(jī)構(gòu)主要由上料槽、上料夾具和送料軌組成。47、在薄膜制備的過程中，需要檢驗(yàn)薄膜的質(zhì)量，以下屬于氧化層表面缺陷的是（）。A、白霧B、針孔C、斑點(diǎn)D、層錯答案：AC48、晶圓檢測過程中，若其車間內(nèi)潔凈度不達(dá)標(biāo)，則可能會導(dǎo)致（）。A、測試良率降低B、探針測試卡上出現(xiàn)異物C、探針測試卡報廢D、晶圓報廢答案：ABCD當(dāng)車間潔凈度不達(dá)標(biāo)時生產(chǎn)中電路質(zhì)量和設(shè)備將受到影響。比如在晶圓檢測過程中，可能會使探針測試卡上出現(xiàn)異物，嚴(yán)重時會導(dǎo)致探針測試卡損毀、晶圓報廢，因此導(dǎo)致測試良率降低、測試不穩(wěn)定，帶來巨大損失，故A、B、C、D均正確。49、以下對重力式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行并行測試的描述正確的是()。A、單項測試且連接一個測試卡B、多項測試且連接多個測試卡C、可選擇多SITES進(jìn)行測試D、只能是2SITES進(jìn)行測試答案：AC并行測試一般是進(jìn)行單項測試，可根據(jù)測試卡的數(shù)量進(jìn)行1site/2sites/4sites測試。50、版圖設(shè)計前需要注意的事項有（）。A、電流密度B、分辨率C、匹配性D、精度答案：ACD51、LK32T102單片機(jī)有不同引腳數(shù)量的封裝形式包括（）。A、TSSOP-30（30引腳薄型小外形封裝）B、LQFP-48（48引腳薄型方型扁平式封裝）C、LQFP-64（64引腳薄型方型扁平式封裝）D、LQFP-72（72引腳薄型方型扁平式封裝）答案：ABC52、重力式分選機(jī)日常保養(yǎng)項目有（）。A、軌道入口B、測試壓座灰塵清理C、分粒區(qū)D、梭子出入口的傳感器維護(hù)答案：ACD53、下列情況中，需要更換點(diǎn)膠頭的有（）。A、點(diǎn)膠頭工作超過2小時B、更換銀漿類型C、點(diǎn)膠頭堵塞D、點(diǎn)膠頭損壞答案：BCD54、屬于絕緣介質(zhì)膜的是（）。A、砷化鎵B、二氧化硅C、氮化硅D、多晶硅答案：BC二氧化硅和氮化硅屬于絕緣介質(zhì)膜，砷化鎵和多晶硅屬于半導(dǎo)體膜。55、版圖設(shè)計過程中，需要注意（）。A、數(shù)字電源地和模擬電源地要分開B、襯底接觸與MOS管的距離應(yīng)盡量小C、連線布置可以采用并聯(lián)走線，線的寬度應(yīng)盡量窄D、寬長比大的管子最好拆分答案：ABD56、LK32T102單片機(jī)編寫程序并燒錄的過程中可能會用到的軟件有（）。A、Keil-mdkB、VC++C、串口助手D、Matlab答案：AC57、在繪制總體電路圖的過程中，對電路圖的要求是（）。A、清楚地反映出電路的組成B、反映出電路的工作原理C、表現(xiàn)出電路各部分的關(guān)系D、表現(xiàn)出各個信號的流向答案：ABCD58、單片機(jī)最小系統(tǒng)電路包括（）等部分。A、電源電路B、時鐘信號電路C、復(fù)位電路D、程序下載電路答案：ABCD59、以下說法正確的是（）。A、編帶機(jī)的上料方式與重力式分選機(jī)相似，都是根據(jù)芯片自身重力。將待裝有測芯片料管推出，上料夾具夾起料管，芯片根據(jù)自身重力沿軌道下滑B、編帶機(jī)的光檢區(qū)運(yùn)用高速高精度視覺處理技術(shù)自動檢測芯片，將管腳不良或印章異常的芯片進(jìn)行剔除；若光檢合格，顯示區(qū)則顯示“OK”，反之則顯示“NG”C、光檢區(qū)檢測不合格的芯片，會從光檢區(qū)滑落至不良品料管內(nèi)；而檢測合格的芯片，則會由真空吸嘴自動吸取，并將其精準(zhǔn)地放到空載帶內(nèi)，載帶內(nèi)每放置一顆芯片便會向前傳送一格D、在芯片測試分選完成后，需要對合格芯片進(jìn)行外觀檢查。所采用的方式的是機(jī)器目檢，從而保證產(chǎn)品包裝的合格率答案：ABC60、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行測試時，測后光檢主要檢測的是：()。A、芯片印章B、芯片方向C、芯片管腳D、芯片塑封體答案：AB轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行測試，測后光檢主要檢測的是管腳是否存在翹腳、扭曲以及產(chǎn)生尖腳等問題，并對芯片方向進(jìn)行檢查，若芯片方向不正確則在下一步進(jìn)行調(diào)整。61、下列描述正確的是（）。A、共模抑制比越大越好B、輸入失調(diào)電壓越大越好C、靜態(tài)電源電流越大越好D、開環(huán)增益越大越好答案：AD62、襯底接觸的設(shè)計要盡量保證包圍住整個差分對管，這樣做的目的是（）。A、保證差分對管的對稱性B、避免閂鎖效應(yīng)C、提高差分的匹配度D、減小柵極上的寄生電阻答案：AB63、在單片機(jī)程序裝載中，使用SW串口下載程序需注意（）。A、需要在魔法棒按鈕的output中設(shè)置生成hex文件B、需要在魔法棒按鈕的debug中選setting設(shè)置地址范圍C、需要在魔法棒按鈕的debug中選擇sw串口而不是j-linkD、需要在魔法棒按鈕的outout中設(shè)置生成batch文件答案：BD64、在使用信號發(fā)生器的注意事項包括（）。A、注意使用環(huán)境，避免在灰塵過大環(huán)境使用設(shè)備B、注意儀器通道接口靜電防護(hù)C、嚴(yán)格限制接入信號幅度，有大信號接入示波器時,需要先預(yù)估信號電平,并選用合適的衰減器對信號進(jìn)行衰減,防止大信號燒毀示波器輸入通道D、示波器探頭接入時，宜用力接入，避免接插端口松動答案：ABC65、以下說法正確的是（）。A、外觀檢查中發(fā)現(xiàn)有不良芯片，要對有缺陷的芯片進(jìn)行修復(fù)，若不能修復(fù)則作為外觀不良進(jìn)行處理B、不合格的芯片需要用鑷子取出，用合格零頭進(jìn)行替換C、當(dāng)載帶設(shè)置數(shù)量到達(dá)極限，無法包裝一卷或觀察載帶沒有足夠多的數(shù)量，不足包裝一盤時，可以包裝完載帶，再更換新的載帶D、中有不良品或放反芯片，右手先戴上手套，再用刀片將編帶槽的上、左、右各割開三分之一蓋帶，用鑷子將該芯片取出并放入不良品收料袋中，然后用零頭盒內(nèi)的合格芯片替換，并用透明粘膠帶從替換芯片的右側(cè)，貼至替換芯片的左側(cè)答案：AD66、利用平移式分選設(shè)備進(jìn)行芯片測試時，在分選環(huán)節(jié)可以根據(jù)測試結(jié)果將合格芯片分為（）。A、A檔B、B檔C、C檔D、不合格檔答案：AB67、一般情況下，30mil的墨管適用于直徑是()的晶圓。A、120mmB、125mmC、200mmD、300mm答案：CD30mil的墨管常用于8英寸、12英寸的晶圓。其中直徑為125mm的是5英寸，直徑為150mm的是6英寸，直徑為200mm的是8英寸，直徑為300mm的是12英寸。68、以下刻蝕方法中，不屬于各向同性的刻蝕是（）。A、濕法刻蝕B、濺射刻蝕C、等離子體刻蝕D、反應(yīng)離子刻蝕答案：BD濕法刻蝕和等離子體刻蝕是各向同性的，濺射刻蝕和反應(yīng)離子刻蝕屬于各向異性。69、以下是晶圓扎針測試完成后，對于不合格的管芯完成的打點(diǎn)圖，請選擇合格打點(diǎn)的管芯（）。A、圖片B、圖片C、圖片D、圖片答案：AB70、對于電阻、電容、電感等電子元器件性能參數(shù)進(jìn)行測量，其中有關(guān)的性能參數(shù)有（）。A、伏安特性曲線B、標(biāo)稱值C、極限值與額定值D、顏色與質(zhì)量答案：ABC71、激光打字時激光聚焦后的面積較大，可以在部件表面打印出清晰的標(biāo)識A、正確B、錯誤答案：B激光聚焦后的尺寸很小，所以熱影響區(qū)域小，加工精細(xì)。72、光刻過程中，如果涂膠不好，特別是HMDS涂得不好，膠與硅片粘附性差，會造成局部區(qū)域的膠脫落，導(dǎo)致圖形不完整。A、正確B、錯誤答案：A73、晶圓檢測工藝中，將烘烤完的晶圓從烘箱中取出后，不需要核對晶圓印章批號和晶圓測試隨件單信息。A、正確B、錯誤答案：B74、載片臺上吸取芯片的位置是固定不變的，且與對應(yīng)的攝像機(jī)的十字光標(biāo)所在的位置一致。A、正確B、錯誤答案：A略75、薄膜制備的方式中，CVD不消耗襯底材料。A、正確B、錯誤答案：A半導(dǎo)體生產(chǎn)中的薄膜制備主要包括兩大類：薄膜生長和薄膜淀積。薄膜生長是指襯底的表面材料參與反應(yīng)，如熱氧化；而薄膜淀積不消耗襯底材料，如化學(xué)氣相淀積（CVD）、物理氣相淀積（PVD）。76、使用化學(xué)腐蝕法檢查針孔時，硅表面的腐蝕坑數(shù)目就是二氧化硅的針孔數(shù)目。A、正確B、錯誤答案：B化學(xué)腐蝕法是利用二氧化硅腐蝕速度不同的的腐蝕液進(jìn)行旋轉(zhuǎn)腐蝕，使針孔處的硅受到腐蝕而出現(xiàn)腐蝕坑。77、固-固擴(kuò)散是利用晶圓表面含有所需雜質(zhì)的氧化層作為雜質(zhì)源進(jìn)行擴(kuò)散的方法。A、正確B、錯誤答案：A略78、為保證云端放大器的對稱性，運(yùn)放中所有的晶體管的源極都要朝一個方向。A、正確B、錯誤答案：B79、在使用串口助手燒入程序時會用到Hex文件，keil中的hex不需要設(shè)置，程序編譯完成后自動生成。A、正確B、錯誤答案：B80、使用重力式分選設(shè)備進(jìn)行芯片測試時，串行測試進(jìn)行的是單項測試。A、正確B、錯誤答案：B81、CMOS集成電路制作工藝中，P阱是用于制作PMOS管的。A、正確B、錯誤答案：B82、“5s”管理中，“整理”的含義是把要用的東西，按規(guī)定位置擺放整齊，并做好標(biāo)識進(jìn)行管理。A、正確B、錯誤答案：B整理是指整理工作現(xiàn)場，只保留有用的東西，撤出不需要的東西；整頓是指把要用的東西，按規(guī)定位置擺放整齊，并做好標(biāo)識進(jìn)行管理。83、每一次燒錄程序前需要編譯，若沒有錯誤、沒有警告就是工程建立成功，才可繼續(xù)燒錄。A、正確B、錯誤答案：A84、LK32T102單片機(jī)的所有I/O口具有可編程的上下拉、開漏輸出模式、數(shù)字輸入濾波以及輸入反相，具有可編程的兩檔驅(qū)動能力，部分I/O可用作外部中斷輸入，支持邊沿和電平觸發(fā)。A、正確B、錯誤答案：B85、拼零操作前，為了保證芯片的合格率，需要檢查零頭庫中取出的芯片電路。（）A、正確B、錯誤答案：A86、編帶機(jī)進(jìn)行編帶時，觸摸屏?xí)y試結(jié)果進(jìn)行計數(shù)。當(dāng)編帶芯片數(shù)量達(dá)到設(shè)定值后，光檢和吸嘴停止工作，此時載帶和蓋帶繼續(xù)移動，達(dá)到設(shè)置的空載帶預(yù)留長度后（一般為50-70厘米），編帶機(jī)自動切斷載帶，完成編帶。（）A、正確B、錯誤答案：A87、KOH水溶液可作