理論復(fù)習(xí)1、假設(shè)氣體和壓力分別為PA PB在催化劑上的吸附服從_第1頁(yè)
理論復(fù)習(xí)1、假設(shè)氣體和壓力分別為PA PB在催化劑上的吸附服從_第2頁(yè)
理論復(fù)習(xí)1、假設(shè)氣體和壓力分別為PA PB在催化劑上的吸附服從_第3頁(yè)
理論復(fù)習(xí)1、假設(shè)氣體和壓力分別為PA PB在催化劑上的吸附服從_第4頁(yè)
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表面反應(yīng)動(dòng)力1、假設(shè)氣體AB(壓力分別為PAPB)在催化劑上的吸附服從Langmuir吸附模型反應(yīng)生成氣體M(壓力分別為PM和PA+BM+A

B+

*:為吸附位請(qǐng)推導(dǎo)反應(yīng)速率方程(共10分反應(yīng)速度

rkrABkrMka2*PB*θ=kd2*θBka3*PM*θ=kd3*θMka4*PN*θ=kd4*θNθ+θA+θB+θM+θN=A KA KA 1Ki 1KAPAKBPBKM1PMKN1B KB ,1KAPAKBPBKM1PMKN1M KM ,1KAPAKBPBKM1PMKN1N KN 1KAPAKBPBKM1PMKN1 krKAKBPAPBkr (1KAPAKBPBKM1PMKN1PN二烯為例,畫(huà)出其催化循環(huán)示意圖(共15分)所用催化劑為MoO3/Bi2O3混合氧化物,反應(yīng)由下列各步組成①CH3-CH2-CH2=CH22Mo6+O2晶格)CH2=CH2-②2Bi3++2Mo5+2Bi2++1/2O22Bi3+O2-(晶格總反應(yīng)為:CH3-CH2-CH2=CH2+1/2O2CH2=CH2-固體催化劑上的氧化還原反應(yīng)可分為自由基機(jī)理催化劑存在可加快自由基的速度;同時(shí)提高反應(yīng)的選擇性氧化還原機(jī)CH2=CH-CH2- CH2=CH-

CH2=CH-CH2-

CH2=CH-3SO2Pt/Al2O3上的氧化反應(yīng)符合Rideal機(jī)理,包括以下三 O2+ ======2O- O-*SO2SO3- (控制步驟 SO3-*=======SO3+推導(dǎo)其速率方程,若SO3的壓力相對(duì)很小,結(jié)果怎樣 (共10分 2

ka1Po2

KP

d1o2

kd1

ka2Pso3K dKK

a

,

kd

rkro2

kr當(dāng)PSO3很小時(shí)rkro

假設(shè)氣體A2和B(壓力分別為PA和PB)在催化A2+2

Bk*-k*B

C+

(決速步驟*:為吸附位,KA=kA/kA-,KB=kB/kB-請(qǐng)推導(dǎo)反應(yīng)速率(共15分反應(yīng)速度

rkrA2BkrPCVkAPA

AkBPBVkB'1BV

B解得

V111rkrA2BkrPCVkrKAPA2V2KBPBVkrPCV(krKAPA2KBPBkrPC)V PA2kr2

APA2KBPBkr

k KAPKAPA

KBPB)3

KA2BKA2B4、多相催化反應(yīng)的基本步驟反應(yīng)物分子在催化劑內(nèi)表面上吸附(反應(yīng)物的化學(xué)吸附反應(yīng)產(chǎn)物從催化劑內(nèi)表面脫附(產(chǎn)物的脫附或解吸反應(yīng)物在擴(kuò)散(內(nèi)擴(kuò)散)并擴(kuò)散到反應(yīng)氣流中(外擴(kuò)散)。1、判斷反應(yīng)是動(dòng)力學(xué)控制還是擴(kuò)散控制4、外擴(kuò)散控制消除:增大空速/提高物料的線內(nèi)擴(kuò)散控制消除:減小催化劑粒徑,增大孔徑多相催化反應(yīng)的基本步驟反應(yīng)物分子在催化劑內(nèi)表面上吸附(反應(yīng)物的化學(xué)吸附反應(yīng)產(chǎn)物從催化劑內(nèi)表面脫附(產(chǎn)物的脫附或解吸反應(yīng)物在擴(kuò)散(內(nèi)擴(kuò)散)并擴(kuò)散到反應(yīng)氣流中(外擴(kuò)散)填空性小于催化劑的本征活性。一般認(rèn)為:增大反應(yīng)空速,有利于消除外擴(kuò)散的影響減小催化劑的粒度有利于消除擴(kuò)散的影響;增大催化劑的孔徑,有利于消除內(nèi)擴(kuò)散的影響。積或表面覆蓋度表示)與壓力之間的函數(shù)關(guān)系式。根據(jù)所采用的吸附模型不同,吸附等溫式可分Langmuir吸附等溫式,附熱Q隨覆蓋度不變。Freundlich吸附:吸附熱Q隨覆蓋度呈指數(shù)下降,適用于物理吸附和化學(xué)吸附吸附。Tenkin吸附:吸附熱Q隨覆蓋度呈線性下降,適用于化學(xué)吸附吸附。3、根據(jù)所采用的吸附模型不同,吸附等溫式可分為:Langmuir吸附于化學(xué)吸附的有Freundlich吸附等溫式,和Tenkin吸附等溫式。(111(110(100和程度最高的為110面。5、晶體是是由大量的質(zhì)點(diǎn)(原子,離子或分子)按空間點(diǎn)陣有規(guī)則地排列而成的物質(zhì);6、對(duì)于立方晶體,其晶胞尺寸為a,若一晶面與X、YZ軸相交,截距分別為a,2a和a,該晶面的指數(shù)為2:1:2。7、晶胞是指晶體的最小重復(fù)單位。對(duì)于某晶

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