半導體清洗工藝

半導體清洗工藝第一頁，共十四頁，2022年，8月28日超聲波清洗工藝超聲波清洗技術以其清洗潔凈、清洗快速，并節(jié)省大量人力、物力而得到廣泛應用?，F(xiàn)從超聲波的清洗原理、超聲波清洗工藝、清洗劑的配制等幾個方面提供意見，以供參考。

第二頁，共十四頁，2022年，8月28日

一、超聲波清洗原理

超聲波清洗機理極為復雜，到目前為止，還有許多問題有待研究人員論證，目前，相關人員對以下提法形成了共識，利用超聲場所產(chǎn)生強大的作用力，以促使物質發(fā)生一系列物理、化學變化而達到清洗目的。具體來說：當超聲波的高頻(20-50KHZ)機械振動傳給清洗液介質以后，液體介質在這種高頻波振動下將會產(chǎn)生近真空的“空腔泡”，“空腔泡”對清洗對象的強烈的作用稱為“空化作用”。

第三頁，共十四頁，2022年，8月28日“空化作用”的有關理論1．主腔泡在液體介質中不斷碰撞、消失、合并時，可使用周圍局部產(chǎn)生極大的壓力，這種極其強大的壓力足以能使物質分子發(fā)生變化，引起各種化學變化(斷裂、裂解、氧化、還原、分解、化合)和物理變化(溶解、吸附、乳化、分散等)。2．共振作用，當空泡胞的本征變化頻率與超聲波的振動頻率相等時，便可產(chǎn)生共振，共振的空腔泡內因聚集了大量的熱能，這種熱能足以能使周圍物質的化學鍵斷裂而引起一系列的化學、物理變化。3．當空腔泡形成時，兩泡壁間因產(chǎn)生較大的電位差而引起放電，致使腔內的氣體活化，這種活化了的氣體進而引發(fā)了周圍物質活化，從而使物質發(fā)生一系列化學、物理變化?？梢?，“空化作用”提供了物質在發(fā)生物理、化學變化時所需的能量，但是理想的清洗速度和效果還要取決于清洗介質，即清洗液的性質。這種性質體現(xiàn)在清洗液與污物間所發(fā)生的各種物理、化學變化，要能夠削弱和去除污物與玻璃零件表面間的附著力和結合力，并伎清洗保持原有的表面外觀。

第四頁，共十四頁，2022年，8月28日二、清洗劑的配制

在討論清洗劑的配制時，首先要想到清洗劑對污物的清洗原理及清洗過程。洗滌歷史雖然已久，但因洗滌過程及體系的高度復雜，至今理論界對之仍只具備理論上研究而對洗滌過程難以達到數(shù)據(jù)控制。這是因為溶液體系是多相分散體系。分散介質又是含有各式各樣組分的復雜溶液：體系中涉及的表面和界面，及污垢的性質都極為復雜。具體到光學鏡片鍍膜前的清洗，簡言之：由于清洗液的存在，使水的表面張力得到極大程度的降低，并使固液面發(fā)生極大程度的潤濕、滲透、乳化等一系列的化學作用，從而使污物脫離固體表面而使鏡片表面干凈、無塵。

第五頁，共十四頁，2022年，8月28日超聲波清洗工藝光學鏡片加工中不同的工序應有不同的清洗工藝，從整體流程看，可分為四道工序：洗滌、漂洗、脫水、干燥。洗滌主要利用有機溶劑如三氯乙烯對上盤膠、蠟、防霉劑等的高度溶解而達預洗目的，然后利用洗滌劑對鏡片表面的濕潤、滲透、乳化而綜合成的去污作用。漂洗，通過清水對鏡片表面的沖洗及超聲作用，使洗滌后松散于鏡片表面的洗滌劑脫離鏡片表面。

脫水：經(jīng)漂洗后的鏡片表面含有大量水分，進入脫水劑中進行脫水，脫水劑多為有機溶劑，和水能充分混溶。

干燥：干燥劑應和脫水劑沸點相近，互溶性好。

第六頁，共十四頁，2022年，8月28日華林科納簡介

CSEBriefIntroduction蘇州華林科納半導體設備技術有限公司由中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所合資成立于2008年3月，投資4500萬元。主要從事半導體設備、太陽能光伏設備、液晶濕制程設備、真空設備的研發(fā)、技術推廣和生產(chǎn)銷售。

SuzhouCSESemiconductorEquipmentTechnologyCo.,Ltd.,isajoint-stockenterpriseinvestedbyCASSuzhouInstituteofNano-techandNano-bionicsandBeijingHLCo.,whichwassetupinMar.2008anditsregisteredcapitalis45millionRMB.TheCompany’smajorproductsaresemiconductorequipments,solarphotovoltaicequipments,LCDcleaningfacilities,vacuumequipmentsandetc.第七頁，共十四頁，2022年，8月28日公司相關資質文件第八頁，共十四頁，2022年，8月28日清洗設備資料上料機械手下料背部上下位移邊路控制水平傳動槽體第九頁，共十四頁，2022年，8月28日全自動硅料清洗設備

1.全自動硅料清洗設備主要參數(shù)設備名稱：全自動硅料清洗機設備型號：CSE-DLR-09XX

清洗工件：破碎后6~150mm的不規(guī)則硅塊設備外形尺寸：LxWxH=9000x2250x2300mm；最大產(chǎn)量：1300噸/年節(jié)拍：450秒/批處理量：30kg/批處理最大重量：45Kg2.華林科納全自動硅料清洗機特點

PLC控制工藝全過程，10.4英寸大型觸摸屏（彩色）人機界面顯示。設備由職業(yè)設計師設計，采用人性化的設計理念，專業(yè)的行業(yè)特用材料定制而成，是設備實現(xiàn)性價比最佳配合的同時兼顧設備的美觀大方。設備為自動智能全封閉的清洗設備，由PLC控制機械手根據(jù)設定的工藝程序，自動將實現(xiàn)對工件的去酸洗、漂洗、超聲、干燥等工藝處理。避免人工操作不確定性和污染，確保產(chǎn)品性能的一致性。合理的潔凈單元及排風系統(tǒng)設置，確保清洗環(huán)境的高潔凈度。優(yōu)異的工藝配置確保產(chǎn)品的質量的同時，提供多種循環(huán)利用功能，為您節(jié)省消耗成本。設備采用不間斷流程節(jié)拍，可以很好的結合工廠生產(chǎn)需要，配有手動、自動相互轉換功能。采用單臂式機械臂，由進口伺服馬達控制，定位精度≤0.3mm，可靠性高；升降及懸臂部分均用PP包覆，使用壽命長；加減速運動平穩(wěn)，沖擊??；單獨的機械臂急停開關和過載保護等多重保護，確保操作安全。精巧周到的細節(jié)設計，使給你意想不到的回報；第十頁，共十四頁，2022年，8月28日

設備構成

面向設備，左端上料，右端下料，觸摸屏于左前端。設備由本體、進料工位、超聲槽（個）、酸洗槽（1個）、三階溢流槽（1套）、氮氣切水槽（1個）、真空烘干槽（3個）、出料工位、電氣控制部分等組成。第十一頁，共十四頁，2022年，8月28日設備說明本體除上、下料工位外，其余各槽均放置于接液槽內，防止廢液外漏。酸、廢水分別獨立排放。本體由耐腐蝕瓷白10mmPP材料（德國進口聚丙烯）焊接而成，耐強酸、堿。在工藝流程區(qū)域內，無金屬暴露，以防腐蝕。設備操作側安裝有透明PVC推拉門（維修，可拆卸）。本體后部為移載花籃的自動機械手。設備配有8個轉載藍和二個機械手臂。頂端為坡型風道，四周為導流槽，將收集的凝結液導入廢液槽，防止凝結液滴在正在清洗的花籃上。本體每一段設有手動調節(jié)風門（φ200），手動調節(jié)后鎖定。本體后側上部為機械臂傳動區(qū)，下部為管路區(qū)。為便于維修安裝，各部分設有透明PVC門。本體進出料設有自動傳送裝置。本體在進料處和工藝操作區(qū)酸槽處均設有DI水槍，在出料處設有一把氮氣槍。設備配備多處節(jié)水功能，使后道水逐級遞減循環(huán)利用。本體臺面高度為1100mm；進深（操作側到槽內花籃中心）約600mm；機械手與工藝槽間用擋板隔開。設備配有多重防漏液、漏電保護，和防止意外斷電保護UFU功能。本體設有地腳及腳輪。第十二頁，共十四頁，2022年，8月28日第十三頁，共十四頁，2022年，8月28日聯(lián)系我們蘇州華林科納半導體設備技術有限公司地址：蘇州工業(yè)園區(qū)獨墅湖高等教育區(qū)若水路398號聯(lián)系人：王