2013-半導(dǎo)體物理期中考試試卷-朱俊_第1頁(yè)
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學(xué)院姓名學(xué)號(hào)任課老師選課號(hào)………密………封………線………以………內(nèi)………答………題………無(wú)………效……PAGEPAGE5第頁(yè)共3頁(yè)已知ND=1015cm-3,則雜質(zhì)全部電離后，n0=10當(dāng)T=310k時(shí)，當(dāng)T=273k時(shí)，2、有一硅樣品在溫度為300k時(shí)，施主與受主的濃度差ND-NA=1014cm-3,設(shè)雜質(zhì)全部電離，已知該溫度下導(dǎo)帶底的有效狀態(tài)密度NC=2.9×1019cm-3，硅的本征載流子濃度ni=1.5×解：由電中性條件可得:由題意可知，ni=1.5×1010cm-3,ND-NA=故有：，可忽略p0,所以導(dǎo)帶電子濃度為：所以，樣品的費(fèi)米能級(jí)位于導(dǎo)帶底Ec下方0.327eV。3、在半導(dǎo)體鍺材料中，摻入施主雜質(zhì)濃度ND=1014cm-3,受主雜質(zhì)濃度NA=7×1013cm-3,設(shè)室溫下本征鍺的電阻率為60Ω.cm，假設(shè)電子和空穴的遷移率分別為μn=3600cm2/Vs，μp=（提示：雜質(zhì)完全電離，先求ni,由電中型條件和n0p0=ni2求n0和

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