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Word版本,下載可自由編輯磁屏蔽理論和實(shí)踐磁屏蔽理論和實(shí)踐詳細(xì)包括哪些內(nèi)容呢,下面我為大家?guī)?lái)相關(guān)內(nèi)容介紹以供參考。

1、引言

在低頻磁屏蔽中,設(shè)計(jì)低成本屏蔽體的最關(guān)鍵因素是對(duì)磁屏蔽的透徹理解。其目的是要達(dá)到削減所規(guī)定的磁場(chǎng),這樣使其對(duì)所屏蔽的器件或系統(tǒng)不形成威逼。一旦這一目標(biāo)被確定,就應(yīng)考慮會(huì)影響到屏蔽體的低成本設(shè)計(jì)的一些基本設(shè)計(jì)因素。這些包括:材料的挑選、主要設(shè)計(jì)參數(shù)和加工工藝。

2、材料的挑選對(duì)于屏蔽體來(lái)說(shuō),所挑選的材料的類(lèi)型對(duì)其性能和成本影響極大。

在設(shè)計(jì)屏蔽體時(shí)有一點(diǎn)是重要的,就是要深化了解一般使用的不同屏蔽合金的特性。對(duì)這些不同性能的理解就可使你挑選合適的材料,去滿足目標(biāo)要求。

磁屏蔽材料要按照各自的特性舉行挑選,特殊是磁導(dǎo)率和磁飽和性能。因?yàn)樵谧兏皖l磁場(chǎng)方向的效能,所以高磁導(dǎo)率材料是常常使用的屏蔽材料。這些合金可滿足MIL-N-14411C部分1和ASTMA753-97樣式4的要求。其可得到的相對(duì)較薄的厚度為0.002到0.125英寸,并極易被有閱歷的屏蔽加工者加工出來(lái)。

在需要于微小空間內(nèi)降低磁場(chǎng)時(shí),典型上使用這些合金。在需要提供比要求更高屏蔽時(shí),或是磁場(chǎng)強(qiáng)度需要具有更高飽和值材料時(shí),這些材料常被選中。

在屏蔽目標(biāo)僅需要略微削減場(chǎng)強(qiáng)時(shí),或是當(dāng)場(chǎng)強(qiáng)足以使高磁導(dǎo)率屏蔽體飽和時(shí),超低碳鋼可能是最佳的挑選。這些較低成本材料的碳含量典型小于0.01%;與其它鋼相比,其有較高的磁導(dǎo)率和極優(yōu)的飽和性能。這些材料具有較小的柔韌性,并比硅鋼較簡(jiǎn)單創(chuàng)造,這就允許在大面積屏蔽項(xiàng)目中簡(jiǎn)單安裝和以同樣的方式加工出小型組件。ULCS可與高磁導(dǎo)率材料一起使用,以為需要高飽和庇護(hù)和高衰減等級(jí)建立最佳的屏蔽體。

對(duì)于低溫用的屏蔽體,Cryoperm10為一種最佳挑選。與Mumetal一樣,Cryoperm10也是一種高磁導(dǎo)率鎳鐵合金,它是經(jīng)特別加工而成的,以提供在降低溫度時(shí)磁導(dǎo)率增強(qiáng)。標(biāo)準(zhǔn)的屏蔽合金在低溫時(shí)就失去了其大部分磁導(dǎo)率。但是Cryoperm10可在77.3到4.2°K時(shí)的磁導(dǎo)率卻增強(qiáng)10倍。表1示出了最常用的屏蔽材料的磁導(dǎo)率飽和值的比較。

因?yàn)椴牧系某杀菊计帘误w價(jià)格的一半,所以使用較薄的尺寸能滿足所要求的屏蔽特性和結(jié)構(gòu)性能是最好了。厚度為0.002到0.010英寸的箔材是最低成本的挑選。這些箔材能以同等的化學(xué)組分和性能特性獲得,并可作為標(biāo)準(zhǔn)的以鎳為基礎(chǔ)的和ULCS材料。

設(shè)計(jì)低成本屏蔽體的最重要的一步,就是對(duì)這些典型屏蔽材料特性及其對(duì)屏蔽性能影響的了解。一旦合適的材料被選中,其重點(diǎn)要集中于基本的設(shè)計(jì)考慮,以使其不但性能最佳,而且對(duì)成本的影響最小。

3、設(shè)計(jì)考慮大部分屏蔽體用的公式和模型的開(kāi)發(fā)是基于圓形或無(wú)限長(zhǎng)的圓柱體幾何外形的。

在實(shí)際應(yīng)用中,所給定屏蔽體的實(shí)踐外形由器件結(jié)構(gòu)和屏蔽體自身的可通過(guò)空間所打算。在設(shè)計(jì)一屏蔽體時(shí),要了解的重要的結(jié)構(gòu)是,要使磁力線旋轉(zhuǎn)90°是困難的。但是,圓形屏蔽體,比如要轉(zhuǎn)變圓柱體或是具有圓形角的盒體的磁力線的方向要比具有方形角的屏蔽體簡(jiǎn)單一些。類(lèi)似地,對(duì)于包涵已進(jìn)入屏蔽材料的磁力線并轉(zhuǎn)變其方向,圓角要比尖角好一些。保持可提供低磁阻路徑的屏蔽體外形容易或磁場(chǎng)運(yùn)動(dòng)的最低磁阻路徑是很重要的。

屏蔽體的尺寸在屏蔽效率和成本方面的重要性極大。屏蔽體的有效半徑越小,其整體性能就越好。但是,設(shè)計(jì)屏蔽體的目的是使其包絡(luò)試圖屏蔽的組件和空間,并應(yīng)當(dāng)靠得很近。因?yàn)椴牧险计帘误w設(shè)計(jì)的大部分成本,因此較小屏蔽體就可以在較低成本下獲得較優(yōu)的性能。

每當(dāng)有可能,屏蔽體應(yīng)與全部壁逼近,以避開(kāi)場(chǎng)泄漏。這種結(jié)構(gòu)也是最臨近于圓形的,它可以建立一個(gè)半閉合的磁路。另外,所有箱體可在全部軸上獲得屏蔽特性,這樣就可以保證最好的屏蔽性能。當(dāng)特別的性能和進(jìn)出口需要時(shí),可移動(dòng)的蓋板、罩和門(mén)均可組合到屏蔽體設(shè)計(jì)中去。

通過(guò)蓋板、罩和門(mén)時(shí)或使用兩塊或多塊板構(gòu)建屏蔽體時(shí),在多塊板間保持磁延續(xù)性和電接觸是很重要的。可利用機(jī)械式或焊接保持磁延續(xù)性。在拐角或過(guò)渡銜接,使用焊接可獲得最佳性能。維持表面間的延續(xù)性就可以保證磁力線延續(xù)沿其低磁阻路徑前進(jìn),這樣可以提升屏蔽效能。在溝通場(chǎng),保持磁延續(xù)性就允許較高的感應(yīng)電流屏蔽,在直流場(chǎng),對(duì)于適當(dāng)?shù)拇帕€分路,延續(xù)性也是重要的。

假如你不能逼近屏蔽體的一端或兩端,要特殊注重開(kāi)端的長(zhǎng)向來(lái)徑比。屏蔽體的這種長(zhǎng)-直徑比至少應(yīng)為4:1,以避開(kāi)端接效應(yīng)和磁力線穿透屏蔽體范圍。閱歷法則是,屏蔽體需要延長(zhǎng)到器件的外部,這樣可以用與開(kāi)孔半徑相等部分舉行庇護(hù)。因?yàn)樵鰪?qiáng)了屏蔽體的長(zhǎng)度同時(shí)保持直徑不變,就可以用無(wú)限長(zhǎng)圓柱體模型舉行近似。當(dāng)圓柱型或矩形屏蔽體需要大的開(kāi)孔時(shí),垂直于屏蔽體壁的的管可用于因?yàn)殚_(kāi)孔而引起屏蔽體的磁場(chǎng)強(qiáng)度的削減。管的長(zhǎng)度應(yīng)正比于所屏蔽的開(kāi)孔的直徑。

在設(shè)計(jì)過(guò)程早期就應(yīng)考慮這些問(wèn)題,可使這些主要設(shè)計(jì)參數(shù)對(duì)屏蔽體的成本影響較小。但是,這些因素要比材料本身對(duì)屏蔽體性能的影響要大。這樣,在設(shè)計(jì)屏蔽體時(shí),最先保證這些基本參數(shù)通常是需要的。

4、生產(chǎn)技術(shù)一種好的屏蔽體設(shè)計(jì)要涉及到加工過(guò)程,其可提供所需要的結(jié)構(gòu)和特性。

在過(guò)去,大部分磁屏蔽體是用標(biāo)準(zhǔn)的精密片狀金屬加工技術(shù)利用剪切、穿孔、成型和焊接加工出來(lái)的?,F(xiàn)在,通過(guò)先進(jìn)的激光切割系統(tǒng),個(gè)別部件的剪切和計(jì)算機(jī)化的數(shù)字控制沖孔都由一步激光切割技術(shù)所代替。主要的屏蔽元件的一步加工技術(shù)可使加工時(shí)間更快和降低加工成本,而無(wú)須高成本的加工辦法。特殊是對(duì)于型材和特別設(shè)備,這種過(guò)程可為屏蔽設(shè)計(jì)者提供更大的靈便性。

通過(guò)母材并使用縫隙和銜接點(diǎn)的氬弧焊或疊層縫隙的點(diǎn)焊,就可以組裝多個(gè)屏蔽元件。氬弧焊可使組裝的屏蔽體得到最佳化的磁延續(xù)性,它可用于使用高屏蔽性能方面。對(duì)于大部分應(yīng)用,與氬弧焊相比,法蘭和疊層銜接的點(diǎn)焊可獲得更高級(jí)的磁延續(xù)性。

為使典型的屏蔽合金達(dá)到最

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