半導(dǎo)體制造技術(shù)智慧樹(shù)知到答案章節(jié)測(cè)試2023年上海工程技術(shù)大學(xué)

第一章測(cè)試“摩爾定律”是（）提出的？

A:1965年

B:1958年

C:1960

D:1970年

答案:A第一個(gè)晶體管是（）材料晶體管？

A:鍺

B:硅

C:碳

答案:A戈登摩爾是（）科學(xué)家。

A:德國(guó)

B:美國(guó)

C:法國(guó)

D:英國(guó)

答案:B第一個(gè)集成電路在（）被研制。

A:1960

B:1955

C:1965

D:1958

答案:D（）被稱(chēng)為中國(guó)“芯片之父”。1、

A:鄧中翰

B:許居衍

C:沈緒榜

D:吳德馨

答案:A第二章測(cè)試硅在地殼中的儲(chǔ)量為（）。

A:第四

B:第二

C:第三

D:第一

答案:B脫氧后的沙子主要以（）的形式。

A:碳化硅

B:硅

C:二氧化硅

答案:C半導(dǎo)體級(jí)硅的純度（）。

A:99.99999％

B:99.999999％

C:99.999％

D:99.9999999％

答案:D西門(mén)子工藝制備得到的硅為單晶硅。（）

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:B一片硅片只有一個(gè)定位邊。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:A晶面指數(shù)（m1m2m3）：m1、m2、m3分別為晶面在X、Y、Z軸上截距的倒數(shù)。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B第三章測(cè)試通過(guò)薄膜淀積方法生長(zhǎng)薄膜不消耗襯底的材料。（）

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:A熱氧化法在硅襯底上制備二氧化硅需要消耗硅襯底。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B二氧化硅可以與氫氟酸發(fā)生反應(yīng)。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B薄膜的密度越大，表明致密性越低。（）

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:B電阻率，表征導(dǎo)電能力的參數(shù)，同一種物質(zhì)的電阻率在任何情況下都是不變的。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:A第四章測(cè)試光刻本質(zhì)上是光刻膠的光化學(xué)反應(yīng)。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B一個(gè)透鏡的數(shù)值孔徑越大就能把更少的衍射光會(huì)聚到一點(diǎn)。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:A使用正膠進(jìn)行光刻時(shí)，晶片上所得到的圖形與掩膜版圖形相同。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B使用負(fù)膠進(jìn)行光刻時(shí)，晶片上得到的圖形與掩膜版上的圖形相反。（）

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:A正性光刻膠經(jīng)過(guò)曝光后，可以溶解于顯影液。（）

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:A負(fù)性光刻膠經(jīng)過(guò)曝光后，可以溶解于顯影液。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:A第五章測(cè)試刻蝕是用化學(xué)方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:A濕法刻蝕是各向同性腐蝕。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B干法刻蝕有各向同性腐蝕，也有各向異性腐蝕。（）

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:A選擇比指在不同刻蝕條件下，刻蝕一種材料對(duì)另一種材料的刻蝕速率之比。（）

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:B同一晶體不同晶面的原子鍵密度不一樣，導(dǎo)致刻蝕速率不一樣。（）

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:A第七章測(cè)試選擇比指在同樣的條件下對(duì)兩種無(wú)圖形覆蓋材料拋光速率的比值。（）

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:A尖楔現(xiàn)象是鋁硅接觸時(shí)，較多的鋁溶解到硅中形成尖刺的現(xiàn)象。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:A雙大馬士革中采用CMP，銅需要被刻蝕。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:A高溫回流：一般是在高溫下進(jìn)行，可適用于所有金屬層間介質(zhì)。（）

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:B肖特基接觸在某種條件下可以轉(zhuǎn)變?yōu)闅W姆接觸（高摻雜）。（）

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:A第八章測(cè)試物質(zhì)有三種形態(tài)。（）

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:B霜是有水汽直接在地面或近地面的物體上凝華形成的。（）

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:A半導(dǎo)體制造工藝中用的氣體可以隨便運(yùn)輸。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:A工藝腔是指一個(gè)受控的常壓環(huán)境。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:A等離子體是不導(dǎo)電的。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:A第九章測(cè)試芯片測(cè)試完成時(shí)，合格的芯片用墨水標(biāo)出。（）

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:B芯片成品率等于合格芯片數(shù)占總芯片數(shù)的百分比。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B半導(dǎo)體制造工藝中不同硅片之間測(cè)試數(shù)據(jù)差別過(guò)大是可以接受的。（）

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:B泊松模型是假設(shè)缺陷密度為均勻的，且硅片