材料分析方法智慧樹知到答案章節(jié)測(cè)試2023年天津大學(xué)

緒論單元測(cè)試材料研究方法分為（）

A:物相分析

B:成分價(jià)鍵分析

C:組織形貌分析

D:分子結(jié)構(gòu)分析

答案:ABCD材料科學(xué)的主要研究內(nèi)容包括（）

A:材料的性能

B:材料應(yīng)用

C:材料的制備與加工

D:材料的成分結(jié)構(gòu)

答案:ACD下列哪些內(nèi)容不屬于材料表面與界面分析（）

A:晶粒大小、形態(tài)

B:氣體的吸附

C:表面結(jié)構(gòu)

D:晶界組成、厚度

答案:A下列哪些內(nèi)容屬于材料微區(qū)分析（）

A:晶格畸變

B:裂紋大小

C:位錯(cuò)

D:晶粒取向

答案:ABCD下列哪些內(nèi)容不屬于材料成分結(jié)構(gòu)分析（）

A:晶界組成、厚度

B:物相組成

C:雜質(zhì)含量

D:晶粒大小、形態(tài)

答案:AD第一章測(cè)試掃描電子顯微鏡的分辨率已經(jīng)達(dá)到了（）

A:0.1nm

B:1.0nm

C:10nm

D:100nm

答案:B利用量子隧穿效應(yīng)進(jìn)行分析的儀器是

A:原子力顯微鏡

B:掃描電子顯微鏡

C:掃描隧道顯微鏡

D:掃描探針顯微鏡

答案:C

能夠?qū)悠沸蚊埠臀锵嘟Y(jié)構(gòu)進(jìn)行分析的是透射電子顯微鏡。

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B掃描隧道顯微鏡的分辨率可以到達(dá)原子尺度級(jí)別。

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:A圖像的襯度是（）

A:任意兩點(diǎn)探測(cè)到的電子信號(hào)強(qiáng)度差異

B:任意兩點(diǎn)探測(cè)到的光強(qiáng)差異

C:任意兩點(diǎn)存在的明暗程度差異

D:任意兩點(diǎn)探測(cè)到的信號(hào)強(qiáng)度差異

答案:CD對(duì)材料進(jìn)行組織形貌分析包含哪些內(nèi)容（）

A:位錯(cuò)、點(diǎn)缺陷

B:材料的外觀形貌

C:晶粒的大小

D:材料的表面、界面結(jié)構(gòu)信息

答案:ABCD光學(xué)顯微鏡的最高分辨率為（）

A:0.5μm

B:0.2μm

C:1μm

D:0.1μm

答案:B下列說法錯(cuò)誤的是（）

A:可供照明的紫外線波長為200~250nm，可以作為顯微鏡的照明源

B:X射線波長為0.05~10nm，可以作為顯微鏡的照明源

C:X射線不能直接被聚焦，不可以作為顯微鏡的照明源

D:可見光波長為450~750nm，比可見光波長短的光源有紫外線、X射線和γ射線

答案:B1924年，（）提出運(yùn)動(dòng)的電子、質(zhì)子、中子等實(shí)物粒子都具有波動(dòng)性質(zhì)

A:德布羅意

B:狄拉克

C:薛定諤

D:布施

答案:A電子束入射到樣品表面后，會(huì)產(chǎn)生下列哪些信號(hào)（）

A:背散射電子

B:俄歇電子

C:特征X射線

D:二次電子

答案:ABCD第二章測(cè)試第一臺(tái)光學(xué)顯微鏡是由哪位科學(xué)家發(fā)明的（）

A:惠更斯

B:胡克

C:詹森父子

D:伽利略

答案:C德國科學(xué)家恩斯特·阿貝有哪些貢獻(xiàn)（）

A:解釋了數(shù)值孔徑等問題

B:發(fā)明了油浸物鏡

C:闡明了光學(xué)顯微鏡的成像原理

D:闡明了放大理論

答案:ABCD光學(xué)顯微鏡包括（）

A:聚光鏡

B:目鏡

C:反光鏡

D:物鏡

答案:ABCD下列關(guān)于光波的衍射，錯(cuò)誤的描述是（）

A:障礙物線度越小，衍射現(xiàn)象越明顯

B:遇到尺寸與光波波長相比或更小的障礙物時(shí)，光線將偏離直線傳播

C:光是電磁波，具有波動(dòng)性質(zhì)

D:遇到尺寸與光波波長相比或更小的障礙物時(shí)，光線將沿直線傳播

答案:D下列說法正確的是（）

A:兩個(gè)埃利斑靠得越近，越容易被分辨

B:衍射現(xiàn)象可以用子波相干疊加的原理解釋

C:埃利斑半徑與光源波長成反比，與透鏡數(shù)值孔徑成正比

D:由于衍射效應(yīng)，樣品上每個(gè)物點(diǎn)通過透鏡成像后會(huì)形成一個(gè)埃利斑

答案:BD在狹縫衍射實(shí)驗(yàn)中，下列說法錯(cuò)誤的是（）

A:在第一級(jí)衍射極大值處，狹縫上下邊緣發(fā)出的光波波程差為1?波長

B:子波之間相互干涉，在屏幕上形成衍射花樣

C:整個(gè)狹縫內(nèi)發(fā)出的光波在中間點(diǎn)的波程差半波長，形成中央亮斑

D:狹縫中間每一點(diǎn)可以看成一個(gè)點(diǎn)光源，發(fā)射子波

答案:C下列關(guān)于阿貝成像原理的描述，正確的是（）

A:參與成像的衍射斑點(diǎn)越多，物像與物體的相似性越好。

B:物像由透射光和衍射光互相干涉而形成

C:同一物點(diǎn)的各級(jí)衍射波在像面的干涉，形成物像

D:不同物點(diǎn)的同級(jí)衍射波在后焦面的干涉，形成衍射譜

答案:ABCD下列說法錯(cuò)誤的是（）

A:物鏡口徑越大，分辨率就越高

B:孔徑半角與物鏡的有效直徑成反比，與物鏡的焦距成正比

C:物鏡光軸上的物點(diǎn)與物鏡前透鏡的有效直徑所形成的角度是孔徑半角

D:物鏡的數(shù)值孔徑和分辨率成正比

答案:B像差包括（）

A:像域彎曲

B:色散

C:色像差

D:球面像差

答案:ACD金相顯微鏡的制樣過程包括（）

A:鑲樣

B:腐蝕

C:拋光

D:磨光

答案:ABCD第三章測(cè)試下列關(guān)于掃描電子顯微鏡的描述錯(cuò)誤的是（）

A:景深長，立體感強(qiáng)

B:利用二次電子和背散射電子成像

C:可觀察組織細(xì)胞內(nèi)部結(jié)構(gòu)

D:可觀察塊狀樣品

答案:C掃描電鏡的分辨率是指（）

A:二次電子像的分辨率

B:背散射電子像的分辨率

C:吸收電子像的分辨率

D:俄歇電子的分辨率

答案:A電子束與固體樣品相互作用，可以產(chǎn)生以下哪些信號(hào)（）

A:二次電子

B:特征X射線

C:俄歇電子

D:背散射電子

答案:ABCD下列說法正確的是（）

A:利用彈性背散射電子信號(hào)可以進(jìn)行定量成分分析

B:利用特征X射線信號(hào)可以進(jìn)行定量成分分析

C:利用特征X射線信號(hào)可以進(jìn)行定性成分分析

D:利用彈性背散射電子信號(hào)可以進(jìn)行定性成分分析

答案:BD關(guān)于二次電子的描述，正確的是（）

A:二次電子信號(hào)反映樣品的成分信息

B:二次電子信號(hào)反映樣品的表面形貌特征

C:二次電子信號(hào)的分辨率高

D:二次電子是入射電子與原子核外的價(jià)電子發(fā)生非彈性散射時(shí)被激發(fā)的核外電子

答案:BCD背散射電子的性質(zhì)是（）

A:可用于樣品的表面成分分析

B:產(chǎn)生范圍在表層100~1000nm內(nèi)

C:產(chǎn)額隨原子序數(shù)增加而增加

D:可用于樣品的表面形貌分析

答案:ABCD掃描電子顯微鏡有以下哪種信號(hào)的探測(cè)器（）

A:法拉第網(wǎng)杯

B:背散射電子

C:二次電子

D:特征X射線

答案:BCD關(guān)于掃描電子顯微鏡景深的描述，錯(cuò)誤的是（）

A:景深是對(duì)樣品高低不平的各部位同時(shí)聚焦成像的能力范圍

B:電子束的入射半角越大，景深越大

C:掃描電子顯微鏡景深比透射電子顯微鏡的景深小

D:掃描電子顯微鏡景深比光學(xué)顯微鏡的景深大

答案:BC關(guān)于掃描電子顯微鏡的樣品制備，哪個(gè)說法是錯(cuò)誤的（）

A:鍍膜方法為離子濺射或真空蒸發(fā)

B:對(duì)于非導(dǎo)電樣品，要進(jìn)行鍍膜處理，增加導(dǎo)電性

C:鍍膜可以是金、銀、碳，膜厚在10~20nm

D:對(duì)于導(dǎo)電性好的樣品，只需直接粘在樣品臺(tái)上，即可進(jìn)行觀察

答案:CD電子槍由（）組成

A:陰極、陽極

B:陰極、陽極、柵極

C:陰極、柵

D:正極、負(fù)極、柵極

答案:B第四章測(cè)試掃描探針顯微鏡的優(yōu)點(diǎn)有（）

A:可以對(duì)金屬樣品進(jìn)行掃描

B:可以在高溫和低溫狀態(tài)下工作

C:橫向分辨率為0.01nm，縱向分辨率為0.01nm

D:可以在大氣、真空、溶液環(huán)境下進(jìn)行工作

答案:BD下列哪些顯微鏡屬于掃描探針顯微鏡（

）。

A:掃描隧道顯微鏡

B:原子力顯微鏡

C:靜電力顯微鏡

D:掃描離子電導(dǎo)顯微鏡

答案:ABCD下列關(guān)于掃描探針顯微鏡的描述，錯(cuò)誤的是（）

A:一種具有非常高的空間分辨率的三維輪廓儀

B:可以對(duì)原子分子進(jìn)行操縱

C:分辨率從原子尺度級(jí)到毫米量級(jí)

D:可以獲得樣品表面的摩擦力、粘附力等信息性

答案:C掃描探針顯微鏡的組成部分有（）

A:反饋系統(tǒng)

B:壓電掃描器

C:粗調(diào)定位系統(tǒng)

D:計(jì)算機(jī)系統(tǒng)

答案:ABCD掃描隧道顯微鏡是基于哪個(gè)原理進(jìn)行工作的（）

A:量子隧穿效應(yīng)

B:原子間相互作用力

C:量子尺寸效應(yīng)

D:表面效應(yīng)

答案:A下列關(guān)于掃描隧道顯微鏡的描述，正確的是（）

A:分辨率可以達(dá)到原子尺度級(jí)別

B:使用鉑絲或者鎢絲探針進(jìn)行掃描

C:當(dāng)探針與樣品表面相距1nm左右時(shí)，會(huì)發(fā)生隧穿效應(yīng)

D:探針與樣品間距發(fā)生變化時(shí)，隧穿電流發(fā)生指數(shù)級(jí)改變

答案:ABCD掃描隧道顯微鏡的兩種工作模式是（）

A:恒定掃速模式

B:恒定高度模式

C:恒定電壓模式

D:恒定電流模式

答案:BD原子力顯微鏡（）

A:探測(cè)針尖和樣品之間作用力變化所導(dǎo)致的懸臂彎曲或偏轉(zhuǎn)

B:是利用原子間的吸引力來呈現(xiàn)樣品的表面特性

C:利用硅懸臂上的硅針尖進(jìn)行掃描

D:可以對(duì)導(dǎo)電樣品或非導(dǎo)電樣品進(jìn)行觀測(cè)

答案:ACD在接觸式原子力顯微鏡中，哪個(gè)描述是錯(cuò)誤的（）

A:針尖與樣品有輕微的物理接觸

B:利用原子之間吸引力的變化來記錄樣品表面輪廓的起伏

C:探針與樣品的距離小于1nm

D:針尖與懸臂受范德瓦爾斯力和毛細(xì)力兩種力的作用

答案:B第五章測(cè)試相的內(nèi)涵是具有特定的結(jié)構(gòu)和性能的物質(zhì)狀態(tài)，包括（）

A:液相

B:固相

C:氣相

D:等離子相

答案:ABCD利用衍射分析的方法可以研究材料的（）

A:元素組成

B:物相結(jié)構(gòu)

C:晶格類型

D:晶胞常數(shù)

答案:BCD物相分析的手段包括（）

A:中子衍射

B:X射線衍射

C:光子衍射

D:電子衍射

答案:ABD電子與物質(zhì)的相互作用時(shí)（）

A:入射電子與樣品原子發(fā)生彈性散射，散射波相互干涉形成衍射波

B:入射電子束可以被聚焦

C:入射能量為10~200KeV的高能電子穿透能力比X射線強(qiáng)，可用于薄膜分析

D:入射能量為10~500eV的低能電子可用于分析樣品表面1-5個(gè)原子層的結(jié)構(gòu)信息

答案:B入射電子與樣品原子發(fā)生（），散射波會(huì)相互干涉形成衍射波。

A:非彈性散射

B:彈性散射

C:疊加干涉

D:衍射

答案:B利用電磁波或電子束、中子束等與材料內(nèi)部規(guī)則排列的原子作用，產(chǎn)生非相干散射，從而獲得材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)信息

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:AX射線衍射方法可以進(jìn)行多相體系的綜合分析，也可以實(shí)現(xiàn)對(duì)亞微米量級(jí)單顆晶體材料的微觀結(jié)構(gòu)分析

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:B純鐵在低于1000度時(shí)，呈現(xiàn)α相。

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:B材料內(nèi)部的晶體結(jié)構(gòu)和相組成可以通過衍射線的方向和強(qiáng)度而決定。

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B低能電子衍射可以觀測(cè)樣品表面的原子結(jié)構(gòu)信息。

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B第六章測(cè)試七大晶系包括（）

A:四方晶系

B:立方晶系

C:正交晶系

D:六方晶系

答案:ABCD立方晶系中，指數(shù)相同的晶面和晶向（）

A:相互平行

B:相互垂直

C:成一定角度范圍

D:無必然聯(lián)系

答案:B在正方晶系中，晶面指數(shù){100}包括幾個(gè)晶面（）

A:6

B:4

C:2

D:1

答案:B關(guān)于電子與物質(zhì)的相互作用，下列描述錯(cuò)誤的是（）

A:入射電子與樣品原子發(fā)生彈性散射，散射波相互干涉形成衍射波

B:入射電子束可以被聚焦

C:入射能量為10~200KeV的高能電子穿透能力比X射線強(qiáng)，可用于薄膜分析

D:入射能量為10~500eV的低能電子可用于分析樣品表面1-5個(gè)原子層的結(jié)構(gòu)信息

答案:C利用電磁波或電子束、中子束等與材料內(nèi)部規(guī)則排列的原子作用，產(chǎn)生非相干散射，從而獲得材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)信息

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:AX射線衍射方法可以進(jìn)行多相體系的綜合分析，也可以實(shí)現(xiàn)對(duì)亞微米量級(jí)單顆晶體材料的微觀結(jié)構(gòu)分析

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:A凡屬于[uvw]晶帶的晶面，其晶面指數(shù)(hkl)必滿足關(guān)系hu+kv+lw=0

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B構(gòu)成晶體的質(zhì)點(diǎn)包括（）

A:原子

B:分子

C:電子

D:離子

答案:ABD電子入射到晶體以后，哪三者存在嚴(yán)格的對(duì)應(yīng)關(guān)系（）

A:衍射波的波矢量

B:衍射角度

C:產(chǎn)生衍射的晶面

D:衍射圖譜

答案:ABCD簡單立方結(jié)構(gòu)單晶的電子衍射花樣可能呈現(xiàn)（）

A:同心圓環(huán)

B:六邊形結(jié)構(gòu)

C:方格子結(jié)構(gòu)

D:平行四邊形結(jié)構(gòu)

答案:C第七章測(cè)試關(guān)于衍射現(xiàn)象的描述，錯(cuò)誤的是（）

A:在空間某些方向上發(fā)生波的相干抵消

B:入射的電磁波和物質(zhì)波與晶體發(fā)生作用的結(jié)果

C:不受晶體內(nèi)周期性的原子排布影響

D:在空間某些方向上發(fā)生波的相干增強(qiáng)

答案:CX射線與物質(zhì)發(fā)生相互作用時(shí)（）

A:康普頓散射是相干散射

B:原子核外電子包括外層弱束縛電子和內(nèi)層強(qiáng)束縛電子

C:若與內(nèi)層強(qiáng)束縛電子作用，會(huì)發(fā)生相干增強(qiáng)的衍射

D:若與外層弱束縛電子作用，會(huì)發(fā)生非相干散射

答案:ABCD電子與物質(zhì)發(fā)生相互作用時(shí)（）

A:入射電子受核外電子的散射作用時(shí)，入射電子能量會(huì)轉(zhuǎn)移給核外電子，損失部分能量，波長發(fā)生改變，發(fā)生非彈性散射

B:入射電子受核外電子的散射作用時(shí)，入射電子能量會(huì)轉(zhuǎn)移給核外電子，損失部分能量，波長不發(fā)生改變，發(fā)生非彈性散射

C:電子在物質(zhì)中的彈性散射大于非彈性散射

D:入射電子受原子核的散射作用時(shí)，原子核基本不動(dòng)，電子不損失能量，發(fā)生彈性散射

答案:ACD下列關(guān)于晶體對(duì)電子的衍射作用的描述，錯(cuò)誤的是（）

A:透射電子顯微鏡可以看到原子尺度上的結(jié)構(gòu)信息

B:在彈性散射情況下，晶體內(nèi)部某些方向的散射波發(fā)生相干增強(qiáng)，形成衍射波

C:電子衍射強(qiáng)度比X射線高1000倍

D:電子衍射可以提供試樣晶體結(jié)構(gòu)、原子排列、原子種類等信息

答案:CD對(duì)于簡單點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體，系統(tǒng)消光的條件是()

A:不存在系統(tǒng)消光

B:h+k為奇數(shù)

C:h、k、l為異性數(shù)

D:h+k+l為奇數(shù)

答案:A面心立方晶體產(chǎn)生系統(tǒng)消光的晶面有（）

A:111

B:220

C:112

D:200

答案:C將等同晶面?zhèn)€數(shù)對(duì)衍射強(qiáng)度的影響因子稱為()

A:結(jié)構(gòu)因子

B:吸收因子

C:角因子

D:多重性因子

答案:D布拉格方程從數(shù)學(xué)的角度進(jìn)行解答衍射方向問題

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:A厄瓦爾德圖解以作圖的方式分析衍射發(fā)現(xiàn)問題

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B入射波為電磁波或者物質(zhì)波，它們的衍射波遵循不同的衍射幾何和強(qiáng)度分布規(guī)律

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B第八章測(cè)試下列關(guān)于X射線的描述，正確的是（）

A:倫琴發(fā)現(xiàn)X射線

B:X射線具有波動(dòng)性

C:X射線是一種電磁波

D:勞厄發(fā)現(xiàn)X射線衍射現(xiàn)象

答案:ABCD與X射線及晶體衍射有關(guān)的諾貝爾獎(jiǎng)是（）

A:赫茲發(fā)現(xiàn)陰極射線

B:布拉格父子開創(chuàng)了晶體結(jié)構(gòu)的X射線分析

C:勞厄發(fā)現(xiàn)晶體的X射線衍射

D:倫琴發(fā)現(xiàn)X射線

答案:BCD進(jìn)行晶體結(jié)構(gòu)分析的X射線學(xué)分支是（）

A:X射線光譜學(xué)

B:X射線能譜學(xué)

C:X射線透射學(xué)

D:X射線衍射學(xué)

答案:D常用的X射線衍射方法是（）

A:德拜法

B:轉(zhuǎn)動(dòng)晶體法

C:粉末法

D:勞厄法

答案:BCD當(dāng)樣品為單晶體時(shí)，可以采用下列哪種X射線衍射方法（）

A:粉末法

B:轉(zhuǎn)動(dòng)晶體法

C:勞厄法

D:德拜法

答案:BC測(cè)角儀中，探測(cè)器的轉(zhuǎn)速與樣品的轉(zhuǎn)速滿足哪種關(guān)系（）

A:1:0

B:2:1

C:1:1

D:1:2

答案:BM層電子遷遷移到K層后，多余的能量釋放的特征X射線是（）

A:Lα

B:Kα

C:Kβ

D:Kγ

答案:CX射線照射到晶體上時(shí)，產(chǎn)生衍射的條件是（）

A:晶體形狀

B:衍射強(qiáng)度不為0

C:滿足布拉格條件

D:滿足布拉格條件，同時(shí)衍射強(qiáng)度不為0

答案:D用X射線對(duì)固溶體進(jìn)行分析時(shí)，得到的結(jié)果是（）

A:組織結(jié)構(gòu)

B:元素種類

C:相結(jié)構(gòu)

D:成分

答案:C利用X射線衍射儀進(jìn)行定性分析時(shí)，若已知樣品的一種或幾種化學(xué)成分，可以使用（）

A:數(shù)字索引

B:Hanawalt索引

C:字母索引

D:Fink索引

答案:C第九章測(cè)試設(shè)計(jì)并制造了世界第一臺(tái)透射電子顯微鏡的科學(xué)家是（）

A:Rohrer

B:Binnig

C:Ruska

D:Charles

答案:C經(jīng)典電子衍射實(shí)驗(yàn)是由哪幾位科學(xué)家做出的（）

A:A.Reid

B:C.J.Davisson

C:L.H.Germer

D:G.P.Thompson

答案:ABCD下列關(guān)于透射電子顯微鏡的描述錯(cuò)誤的是（）

A:景深長、立體感強(qiáng)

B:分辨率高，性能最完善

C:利用透射電子成像

D:觀察細(xì)胞內(nèi)部超微結(jié)構(gòu)

答案:A讓衍射束通過物鏡光闌，用物鏡光闌套住某一衍射斑點(diǎn)，擋住中心透射斑點(diǎn)和其它衍射斑點(diǎn)，選擇衍射束成像，是（）

A:暗場(chǎng)成像

B:中心暗場(chǎng)成像

C:中心明場(chǎng)成像

D:明場(chǎng)成像

答案:A將入射電子束轉(zhuǎn)動(dòng)一定角度，使得衍射束沿著光軸傳播，讓衍射束通過物鏡光闌，用物鏡光闌套住某一衍射斑點(diǎn)，擋住透射束和其它衍射斑點(diǎn)擋住，選擇衍射束成像，是（）

A:中心明場(chǎng)成像

B:明場(chǎng)成像

C:暗場(chǎng)成像

D:中心暗場(chǎng)成像

答案:D透射電子顯微鏡的兩種主要功能是（）

A:表面形貌和晶體結(jié)構(gòu)

B:內(nèi)部組織和晶體結(jié)構(gòu)

C:表面形貌和成分價(jià)鍵

D:內(nèi)部組織和成分價(jià)鍵

答案:B多晶體的電子衍射花樣是（）

A:不規(guī)則斑點(diǎn)

B:同心圓環(huán)

C:規(guī)則的平行四邊形斑點(diǎn)

D:暈環(huán)

答案:B由于入射電子波長的非單一性造成的像差是（）

A:色像差

B:球面像差

C:像散

D:像域彎曲

答案:A透射電子顯微鏡的衍射模式是將（）

A:關(guān)閉物鏡

B:關(guān)閉中間鏡

C:中間鏡的物平面與與物鏡的像平面重合

D:中間鏡的物平面與物鏡的后焦面重合

答案:D薄片狀晶體的倒易點(diǎn)形狀是（）

A:倒易圓盤

B:尺寸很大的球

C:有一定長度的倒易桿

D:尺寸很小的倒易點(diǎn)

答案:C第十章測(cè)試在原子系統(tǒng)中，自旋磁量子數(shù)是（）

A:ms

B:l

C:m

D:n

答案:A關(guān)于原子核外的電子分布描述，錯(cuò)誤的是（）

A:按照M、L、M等層由低到高依次填充

B:遵從泡利不相容原理

C:滿足能量最低原理

D:遵循洪特規(guī)則

答案:A關(guān)于原子核外的電子躍遷描述，錯(cuò)誤的是（）

A:依據(jù)電子躍遷信息，可以進(jìn)行成分和價(jià)鍵分析

B:入射波激發(fā)核外電子，使之發(fā)生層間躍遷

C:能量差E與元素種類無關(guān)

D:始態(tài)和終態(tài)的能量差E是表征原子差別的特征能量

答案:C關(guān)于俄歇電子產(chǎn)生的過程描述，正確的是（）

A:內(nèi)層電子脫離原子核的束縛，成為自由電子發(fā)射出去

B:外層電子脫離原子核的束縛，成為自由電子發(fā)射出去

C:激發(fā)態(tài)和基態(tài)的能量差轉(zhuǎn)移給原子核外的內(nèi)層電子

D:激發(fā)態(tài)和基態(tài)的能量差轉(zhuǎn)移給原子核外的外層電子

答案:BD利用俄歇電子能譜可以進(jìn)行（）

A:半定量分析

B:定性分析

C:半定性分析

D:定量分析

答案:AB關(guān)于X光譜的描述，正確的是（）

A:穿透深度為100nm~1m

B:空間分辨率低，能量分辨率高，

C:反映樣品表面和內(nèi)部的成分信息

D:無法探測(cè)元素的化學(xué)環(huán)境

答案:CD下列說法正確的是（）

A:AES的能量分辨率比XPS高

B:AES采樣深度為0.1~1nm

C:XPS適用于輕元素、重元素分析

D:XPS的采樣深度0.5~2.5nm,

答案:AD特征X射線的頻率或波長只取決于物質(zhì)的原子結(jié)構(gòu)，是物質(zhì)固有特性，與其它外界因素?zé)o關(guān)。

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:AX射線熒光光譜分析的入射束是熒光X射線

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:A電子探針X射線顯微分析儀的入射束是電子束

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:A第十一章測(cè)試特征X射線產(chǎn)生的機(jī)理是(

)

A:外層電子被打掉

B:高速電子受阻

C:原子內(nèi)層電子躍遷

答案:C能譜儀的分辨率比波譜儀（）

A:低

B:不能比較

C:高

D:相同

答案:A對(duì)鋼中Mn、S、P等元素的定量分析可以采用以下分析手段

A:XRD

B:EDS

C:XRF

D:WDS

答案:BCD如要分析斷口上某種顆粒相的化學(xué)成分，應(yīng)采用哪種分析方法？

A:XRF

B:EDS

C:XRD

D:WDS

答案:BD對(duì)鋼斷口中Mn、S、P等元素的分布狀態(tài)進(jìn)行分析可以采用哪種分析模式

A:高度掃描

B:點(diǎn)掃描

C:線掃描

D:面掃描

答案:CD電子束與固體樣品作用時(shí)產(chǎn)生的信號(hào)有（）

A:特征X射線

B:背散射電子

C:二次電子

D:俄歇電子

答案:ABCDX射線光譜分析的信號(hào)是（）

A:連續(xù)X射線

B:光電子

C:二次電子

D:特征X射線

答案:D產(chǎn)生X射線的激發(fā)源可以是（）

A:紫外光

B:X射線

C:離子束

D:電子束

答案:BDX射線光譜能給出材料的哪些信息（）

A:元素組成

B:元素的含量

C:元素價(jià)態(tài)

D:元素的分布

答案:ABDX射線光譜能對(duì)元素周期表中所有元素進(jìn)行定性分析。

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:B第十二章測(cè)試光電子產(chǎn)生的機(jī)理是（）

A:內(nèi)層電子被電子激發(fā)

B:外層電子被X射線激發(fā)

C:外層電子被電子激發(fā)

D:內(nèi)層電子被X射線激發(fā)

答案:D光電子的動(dòng)能受哪些因素影響（）

A:電子的平均自由程

B:電子的結(jié)合能

C:激發(fā)源的波長

D:逸出功

答案:BCD表面與界面成分分析的手段有

A:XRF

B:EDS

C:XPS

D:AES

答案:BCD在光電子能譜中，影響化學(xué)位移的因素有（）

A:相鄰原子的電負(fù)性

B:原子序數(shù)

C:原子氧化態(tài)

D:激發(fā)源的能量

答案:ACX射線光電子能譜譜圖中可能存在的譜峰有

A:X射線衛(wèi)星峰

B:俄歇電子譜峰

C:光電子譜峰

D:特征能量損失峰

答案:ABCDX射線光電子能譜可以得到的信息有

A:內(nèi)部結(jié)構(gòu)

B:表面形貌

C:成分和價(jià)鍵

D:晶體結(jié)構(gòu)

答案:C對(duì)聚苯乙烯表面的氧化狀態(tài)進(jìn)行分析，可以采取下面哪些分析手段？

A:WDS

B:XPS

C:XFS

D:EDS

答案:B光電子譜峰由哪幾個(gè)參數(shù)來標(biāo)記（）

A:自旋-軌道耦合量子數(shù)

B:主量子數(shù)

C:角量子數(shù)

D:元素符號(hào)

答案:ABCD碳元素的主光電子峰是()

A:C2s

B:C3s

C:C1s

D:C2p

答案:C在光電子能譜圖中，出現(xiàn)在主光電子峰高動(dòng)能端的伴峰可能是（）

A:特征能量損失峰

B:X射線衛(wèi)星峰

C:震離峰

D:震激峰

答案:B第十三章測(cè)試產(chǎn)生俄歇電子深度范圍為表層以下

A:20nm左右

B:100nm左右

C:2nm左右

D:1000nm左右

答案:C俄歇電子能譜分析有哪些應(yīng)用（

）

A:元素深度分布分析

B:表面形貌分析

C:表面元素價(jià)態(tài)分析

D:元素定性分析

答案:ACD對(duì)于化學(xué)價(jià)態(tài)相同的原子，俄歇化學(xué)位移的差別主要和原子間的電負(fù)性差有關(guān)。

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B俄歇電子的能量主要與以下哪些因素有關(guān)

A:激發(fā)源能量

B:躍遷電子能級(jí)

C:初始空位能級(jí)

D:填充電子能級(jí)

答案:BCD影響俄歇電子強(qiáng)度的因素有（）

A:電離截面

B:電子的平均自由程

C:原子序數(shù)

D:激發(fā)源能量

答案:ABCD光電子能譜的空間分辨率高于俄歇電子的空間分辨率

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:A相鄰元素或基團(tuán)的電負(fù)性越強(qiáng)，俄歇電子的化學(xué)位移越大

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:A俄歇電子的化學(xué)位移較光電子更敏感

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:A改變激發(fā)源的能量，俄歇電子譜峰的位置不動(dòng)。

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:B俄歇過程和熒光過程是兩個(gè)競爭的過程。

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B第十四章測(cè)試二氧化碳分子的平動(dòng)、轉(zhuǎn)動(dòng)和振動(dòng)自由度的數(shù)目分別是

A:2，3，4

B:3，4，2

C:3，3，3

D:3，2，4

答案:D紅外吸收光譜的產(chǎn)生是由于

A:分子外層電子的能級(jí)躍遷

B:分子外層電子、振動(dòng)、轉(zhuǎn)動(dòng)能級(jí)的躍遷

C:分子振動(dòng)-轉(zhuǎn)動(dòng)能級(jí)的躍遷

D:原子外層電子、振動(dòng)、轉(zhuǎn)動(dòng)能級(jí)的躍遷

答案:C下列哪種因素不是影響紅外光譜譜峰位置的影響因素

A:共軛效應(yīng)

B:分子含量

C:誘導(dǎo)效應(yīng)

D:氫鍵效應(yīng)

答案:B在紅外光譜分析中，用KBr制作為試樣池，這是因?yàn)?/p>

A:KBr在4000～400cm-1范圍內(nèi)無紅外光吸收

B:KBr晶體在4000～400cm-1范圍內(nèi)不會(huì)散射紅外光

C:在4000～400cm-1范圍內(nèi)，KBr對(duì)紅外無反射

D:KBr在4000～400cm-1范圍內(nèi)有良好的紅外光吸收特性

答案:A紅外光譜中官能團(tuán)區(qū)為

A:3600~3000

B:1330~400

C:3600~1330

D:2000~1600

答案:C紅外光譜法試樣可以是

A:不含水

B:含結(jié)晶水

C:含游離水

D:水溶液

答案:A紅外光譜中甲基、亞甲基的吸收譜帶可能位于

A:2500～2400

B:1