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本文格式為Word版,下載可任意編輯——(LTSpice)以反相器為例學(xué)習(xí)仿真MOSFEThttp://wenku.http://.//link?url=AVcz6k7eeYd-D71yBY_aGbVgTYpVuwOVKu7AdnOZMCAfq14xIaR0KaKL32HSN_y-5LgplJ7xSBt4qLZhyQB2qAiuNZ_sYZcVNJLBgNy1pH_
/這個(gè)網(wǎng)站提供了一些電路仿真軟件的教程,可以看下。原理圖schematic
元件
LTSpice提供了nmos(pmos)和nmos4(pmos4)兩種nmos(pmos)。其中nmos(pmos)表示襯底(B)和源極(S)相連。
mos和mos4能調(diào)整的屬性不同,如圖:
本例中要設(shè)置mos管的W=0.18u,L=0.18u,選用nmos4和pmos4。布線
如圖:
1.其中,mos管Gate靠近的那一極好像是Source,所以PMOS要ctrl+R,ctrl+R,Ctrl+E。2.注意加電路名稱,功能(假使需要),參數(shù)設(shè)定。封裝
電路設(shè)計(jì)采用層次化的方式,為了上層電路的調(diào)用,往往把底層的電路做好后進(jìn)行封裝,其實(shí)進(jìn)行封裝不僅有利于上層電路調(diào)用,還有利于測(cè)試。
建一個(gè)NewSymbol,該Symbol里的pin的名稱必需和封裝電路中的一樣。ctrl+A(AttributeEditor)中SymbolType選Block,其他都保持不填。與.asc文件放入同一文件夾。注意:令.asy和.asc文件命名一致,并放在一個(gè)文件夾下即可,不需特別關(guān)聯(lián)。
仿真
仿真類型
(1)模擬電路仿真分析類型對(duì)于模擬電路,輸入正弦波信號(hào)進(jìn)行分析,仿真分析類型主要有靜態(tài)工作點(diǎn)分析、小信號(hào)模型分析、噪聲分析等。
(2)數(shù)字電路仿真分析類型對(duì)于數(shù)字電路,輸入脈沖波形進(jìn)行仿真分析,仿真分析類型主要有時(shí)序分析(采用瞬態(tài)分析控制)。接入信號(hào)源
用獨(dú)立電壓源Voltage做鼓舞信號(hào)源,信號(hào)源設(shè)為pulse,Von=5,Ton=1m,Tperiod=2m,其他為零。Simulation為Transient,starttime=5m,maximumtimestep=0.5m。
注意:Transient表示瞬態(tài)分析,ACAnalysis進(jìn)行小信
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