2023集成電路分析與設計試卷A

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一．填空題（每空1分，共10分）

1、與其它類型的晶體管相比，MOS器件的尺寸很簡單按比例____（縮小、

增大），CMOS電路被證明具有____（較低、較高）的制造成本。2、放大應用時，尋常使MOS管工作在____（飽和區(qū)、線性區(qū)），電流受

柵源過驅動電壓控制，我們定義____（跨導、電導）來表示電壓轉換電流的能力。

3、λ為溝長調制效應系數(shù)，對于較長的溝道，λ值____（較大、較小）。4、源跟隨器主要應用是起到______（電壓緩沖器、電平移動）的作用。5、共源共柵放大器結構的一個重要特性就是____（輸出阻抗、輸入阻抗）很高，因此可以做成______（恒定電流源、恒定電壓源）。

6、由于_尾電流源輸出阻抗為______（有限值、無限值）或______（電

路完全對稱、電路不完全對稱）等因素，共模輸入電平的變化會引起差動輸出的改變。

二．簡答（每題2分，共10分）

1、什么是NMOS管的溝道調制效應？寫出NMOS管的具有溝道調制效應漏極電流的計算公式。

2、什么是體效應？體效應會對電路產生什么影響？

3、“MOS器件即使沒有傳輸電流也可能導通〞，這種說法正確么？為什

么？

4、帶有源極負反饋的共源極放大電路相對于基本共源極電路有什么優(yōu)點？

5、什么是亞閾值導電效應？

三．畫圖題（每題10分，共20分）

1、對于下圖電路。畫出Ix關于Vx的函數(shù)曲線草圖，Vx從0變化到5V。其中：λ=γ=0,Vth=0.7V。

2、畫出NMOS帶有負反饋電阻RS的共源放大器考慮溝道調制效應、襯底效應的低頻小信號等效電路(不包括NMOS負載電阻RD)。

四．分析計算題（共60分）

1、對于下圖所示電路。計算小信號電壓增益，其

中，(W/L)1=40/1,(W/L)2=10/1,ID1=ID2=1mA，μnCox=50μA/V2，ro1=ro2=20kΩ(忽略M2的襯

VinM1VddM2Vout底效應)。（10分）

2、采用電流源負載的共源放大器如下圖所示，其中：M2和M3的尺寸一致，假設在忽略溝道調制效應和襯底效應條件下，流過M2和M3的電流一致，假使MOS管的

20uAViM3VDDM2VoM1λn=0.1，λp=0.2,Kn=50μA/V2，求該電路的跨導、輸出電阻和小信號增益。（10分）

3、在下圖所示的采用二極管連接負載的差動對電路中，?nCox?1.34?10?4AV2，

?pCox?3.83?10?5AV2，λn=0.1，λp=0.2，

差動對的參數(shù)為：(W/L)1,2=50/0.5，(W/L)3,4=10/0.5，ISS=0.5mA，ISS由NMOS來提供，(W/L)SS=50/0.5。（共20分，每題10分）求：

a）求電路的小信號差動增益b）若M3管和M4管的溝道寬度失配，分別為W3=10?m和W4=11?m，那么電路的共模抑制比(CMRR)為多少？