芯片基礎(chǔ)-模擬集成電路設(shè)計(jì)（山東聯(lián)盟）智慧樹(shù)知到答案章節(jié)測(cè)試2023年山東工商學(xué)院

第一章測(cè)試跟數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)一樣，目前高性能模擬集成電路的設(shè)計(jì)已經(jīng)能自動(dòng)完成。

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:B模擬電路許多效應(yīng)的建模和仿真仍然存在問(wèn)題，模擬設(shè)計(jì)需要設(shè)計(jì)者利用經(jīng)驗(yàn)和直覺(jué)來(lái)分析仿真結(jié)果

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:A模擬設(shè)計(jì)涉及到在速度、功耗、增益、精度、電源電壓等多種因素間進(jìn)行折衷

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:BCMOS電路已成為當(dāng)今SOC設(shè)計(jì)的主流制造技術(shù)。

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:BMOSFET的特征尺寸越來(lái)越小，本征速度越來(lái)越快（已可與雙極器件相比較），現(xiàn)在幾GHz～幾十GHz的CMOS模擬集成電路已經(jīng)可批量生產(chǎn)。

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B相對(duì)于數(shù)字電路來(lái)說(shuō)，模擬集成電路的設(shè)計(jì)更加基礎(chǔ)，更加靈活。

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B片上系統(tǒng)，又稱SOC，其英文全稱是：

A:System

onChip

B:SystemOperationsCenter

C:System

of

computer

D:Separationofconcerns

答案:A

互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，英文簡(jiǎn)稱CMOS，其英文全稱為：

A:ComplementaryMetalOxide

System

B:ComplementaryMachineOfSemiconductor

C:ComplementaryMetalOxideSemiconductor

D:Cargo

Machine

Of

Semiconductor

答案:C模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器,英文簡(jiǎn)稱ADC,英文全稱為：

A:AmbulancetoDestinationConverter

B:Analog-to-DestinationConverter

C:Analog-to-DigitalConverter

D:AmbulancetoDigitalConverter

答案:C第二章測(cè)試MOS器件的源端和漏端不可以共用，不可以互換。

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:B如果一個(gè)電路的最高電壓是，最低電壓是，那么NMOS器件的襯底應(yīng)該接。

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:A一般MOS器件的源漏是對(duì)稱的，這告訴我們要根據(jù)實(shí)際集成電路的情況來(lái)判斷電路的源極和漏極。

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B下列關(guān)于MOS版圖說(shuō)法不正確的是（）

A:版圖中柵極的接觸孔可以開(kāi)在溝道區(qū)里

B:柵極的接觸孔應(yīng)該開(kāi)在溝道區(qū)外

C:版圖中溝道長(zhǎng)度L的最小值由工藝決定

D:源結(jié)和漏結(jié)的一個(gè)尺寸等于W，另外一個(gè)尺寸要滿足接觸孔的需要，并且要滿足設(shè)計(jì)規(guī)則

答案:A下列關(guān)于閾值電壓的說(shuō)法，不正確的是（）

A:在器件制造過(guò)程中，可通過(guò)向溝道區(qū)注入雜質(zhì)來(lái)調(diào)整閾值電壓

B:若，則

NMOS器件關(guān)斷

C:NFET的閾值電壓定義為當(dāng)界面的電子濃度等于p型襯底的多子濃度時(shí)的柵源電壓

D:當(dāng)時(shí)，NMOS器件導(dǎo)通

答案:B下列關(guān)于NMOS器件的伏安特性說(shuō)法正確的是（）

A:當(dāng)時(shí)，NMOS器件工作在截止區(qū)

B:當(dāng)，時(shí)，NMOS器件工作在飽和區(qū)

C:當(dāng)，并且NMOS器件工作在線性區(qū)

D:當(dāng)時(shí)，且時(shí)，NMOS器件工作在深線性區(qū)

答案:ABC下列對(duì)器件尺寸參數(shù)描述正確的有（）

A:tox是器件柵氧化層的厚度，由工藝決定

B:L是器件的溝道長(zhǎng)度，W是器件的寬度

C:一般所說(shuō)的90nm工藝，其中的90nm是指器件的最小溝道長(zhǎng)度L

D:一般所說(shuō)的90nm工藝，其中的90nm是指器件的柵氧化層的厚度tox

答案:ABC下列關(guān)于體效應(yīng)的說(shuō)法，正確的是（）

A:改變襯底電勢(shì)可能會(huì)產(chǎn)生體效應(yīng)。

B:源電壓相對(duì)于襯底電勢(shì)發(fā)生改變，使得源襯電勢(shì)差不為0，就會(huì)產(chǎn)生體效應(yīng)。

C:不改變襯底電勢(shì)也可能會(huì)產(chǎn)生體效應(yīng)。

D:體效應(yīng)導(dǎo)致設(shè)計(jì)參數(shù)復(fù)雜，模擬集成電路設(shè)計(jì)往往不希望其存在，但也有利用體效應(yīng)的電路。

答案:ABCD下列關(guān)于亞閾值導(dǎo)電特性的說(shuō)法正確的是（）

A:當(dāng)時(shí)，漏極電流以有限速度下降，導(dǎo)致功率損耗或模擬信息的丟失

B:MOS管由0增大到大于閾值電壓，經(jīng)歷截止—弱反型—強(qiáng)反型，這是一個(gè)漸進(jìn)的過(guò)程，故當(dāng)時(shí)，仍有存在

C:亞閾值區(qū)的跨導(dǎo)比飽和區(qū)（強(qiáng)反型區(qū)）跨導(dǎo)大，有利于實(shí)現(xiàn)大的放大倍數(shù)

D:MOS管亞閾值電流一般為幾十~幾百nA，常用于低功耗放大器、帶隙基準(zhǔn)設(shè)計(jì)

答案:ABCD下列關(guān)于MOS模型的說(shuō)法正確的有（）

A:MOS器件的高頻小信號(hào)模型，除考慮跨導(dǎo)、體效應(yīng)以及溝道調(diào)制效應(yīng)等參數(shù)，還需要考慮各個(gè)寄生電容和寄生電阻的影響

B:當(dāng)信號(hào)相對(duì)直流偏置工作點(diǎn)而言較小且不會(huì)顯著影響直流工作點(diǎn)時(shí)，可用小信號(hào)模型簡(jiǎn)化計(jì)算

C:MOS器件的大信號(hào)模型一般由I/V特性關(guān)系式，各寄生電容計(jì)算式等推導(dǎo)建立

D:MOS器件的低頻小信號(hào)模型，主要考慮了跨導(dǎo)，體效應(yīng)以及溝道調(diào)制效應(yīng)等參數(shù)

答案:ABCD第三章測(cè)試下列關(guān)于放大的說(shuō)法，正確的是（）

A:在大多數(shù)模擬電路和許多數(shù)字電路中，放大是一個(gè)基本功能。

B:我們放大一個(gè)模擬或數(shù)字信號(hào)是因?yàn)檫@個(gè)信號(hào)太小而不能驅(qū)動(dòng)負(fù)載，或者不能克服后繼的噪聲

C:放大不能為數(shù)字電路提供邏輯電平。

D:放大在反饋系統(tǒng)中起著重要作用。

答案:ABD下列關(guān)于小信號(hào)的說(shuō)法，正確的是（）

A:一般小信號(hào)是交流信號(hào)

B:假定某MOS器件的柵源過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓VGS–VTH=0.5V，則|vgs(t)|可視為小信號(hào)的變化范圍為0.5V

C:若小信號(hào)變化幅度過(guò)大，則會(huì)影響直流偏置點(diǎn)，需用大信號(hào)分析

D:小信號(hào)使電路偏置點(diǎn)受到的擾動(dòng)可忽略不記

答案:ACD以電阻為負(fù)載的共源極電路的小信號(hào)增益的表達(dá)式有（）

A:

B:

C:

D:

答案:ABCD對(duì)于以電阻為負(fù)載、以一個(gè)NMOS器件為主放大管的共源極電路，增大其小信號(hào)增益的措施有（）

A:增大NMOS器件的寬長(zhǎng)比W/L

B:減小ＮＭOS器件的寬長(zhǎng)比W/L

C:減小NMOS器件的漏極電流

D:增大電阻上的電壓

答案:ACD圖中的被偏置在飽和區(qū)，則電路的小信號(hào)電壓增益，說(shuō)明使用電流源作負(fù)載可提高增益。

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:A關(guān)于二極管連接的MOS器件的說(shuō)法正確的有（）

A:二極管連接的PMOS管作負(fù)載的共源極電路的小信號(hào)增益只與W/L有關(guān)，與偏置電流無(wú)關(guān)，即輸入與輸出呈線性

B:將MOS管作二極管連接并導(dǎo)通時(shí)，不論是NMOS還是PMOS管,均工作在飽和區(qū)

C:二極管連接的PMOS管作負(fù)載的共源極電路的小信號(hào)增益是兩管的過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓之比，增益AV越大，最大輸出電壓Voutmax越小

D:所謂二極管連接的MOS管實(shí)際上是將MOS器件的柵極和源極短接，起到小信號(hào)電阻的作用

答案:ABC下列關(guān)于源極跟隨器的說(shuō)法正確的有（）

A:源極跟隨器的

B:源極跟隨器可用來(lái)構(gòu)成電平位移電路

C:相對(duì)于共源級(jí)電路來(lái)說(shuō)，源極跟隨器增益很大，輸出阻抗很高

D:源極跟隨器一般只用來(lái)驅(qū)動(dòng)小電容(或高阻)負(fù)載，不宜用來(lái)驅(qū)動(dòng)低阻、大電容負(fù)載

答案:ABD下列關(guān)于共柵放大器的說(shuō)法正確的有（）

A:輸出阻抗高，可用于提高增益和構(gòu)成高性能恒流源

B:其增益與共源級(jí)放大電路增益相同

C:常同共源級(jí)聯(lián)合構(gòu)成共源共柵放大器，用于高速運(yùn)放的差分輸入放大級(jí)

D:輸入阻抗與有關(guān)，有阻抗變換特性

答案:ACD如圖(a)(b)(c)三個(gè)電路，若電路中ID相等，輸出阻抗最大的是（）

A:圖(a)

B:圖(c)

C:三個(gè)電路的輸出阻抗相同

D:圖(b)

答案:B關(guān)于共源共柵電路下列說(shuō)法正確的有（）

A:共源共柵結(jié)構(gòu)具有高輸出擺幅

B:共源共柵結(jié)構(gòu)具有屏蔽特性

C:共源共柵結(jié)構(gòu)具有高輸出阻抗特性

D:共源共柵電流源可近似代替理想恒流源

答案:BCD第四章測(cè)試下列關(guān)于差動(dòng)放大電路的描述正確的是

A:差動(dòng)模式使電路的偏置電路更簡(jiǎn)單，輸出線性度更高

B:差動(dòng)電路增大了輸出電壓擺幅

C:差動(dòng)電路能有效抑制共模噪聲

D:差動(dòng)電路相對(duì)于單端電路，其芯片面積和功耗有所增加

答案:ABCD對(duì)于差分放大電路，下列說(shuō)法正確的是

A:輸入共模電平越大,

允許輸出的輸出擺幅就越小。

B:輸入共模電平越大，利于實(shí)現(xiàn)高增益

C:輸入共模電平越大,

允許輸出的輸出擺幅就越大。

D:輸入共模電平越小，輸出擺幅越大，利于實(shí)現(xiàn)高增益

答案:AD理想差分只放大輸入信號(hào)的差模部分，不放大共模部分

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:A差分放大電路如圖，輸出端的電壓范圍為（）

A:

B:

C:

D:

答案:A如圖電路，下列說(shuō)法正確的是（）

A:當(dāng)時(shí)，，電路處于平衡狀態(tài)

B:當(dāng)時(shí)，小信號(hào)增益(即斜率)最大，線性度最好

C:當(dāng)足夠負(fù)時(shí),導(dǎo)通

D:當(dāng)足夠負(fù)時(shí),截止

答案:ABD如圖電路完全對(duì)稱，考慮溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)后，其差模小信號(hào)增益為（）

A:

B:

C:

D:

答案:A關(guān)于差分信號(hào)和差分放大電路的說(shuō)法正確的是（）

A:差分放大電路對(duì)任意輸入信號(hào)的響應(yīng)包含差模響應(yīng)和共模響應(yīng)兩部分

B:如果輸入信號(hào)和Vin1和Vin2不是大小相等，方向相反，那么Vin1和Vin2就是非全差分信號(hào)。

C:任意輸入信號(hào)Vin1和Vin2的差模分量是正負(fù)

D:任意輸入信號(hào)Vin1和Vin2的共模分量是二者的平均值

答案:ABCD實(shí)際差分放大電路由于工藝誤差存在而非理想，因此必然會(huì)出現(xiàn)共模響應(yīng)

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:A差分放大電路的電阻失配或者差分對(duì)管失配，都會(huì)引起共模分量到差模響應(yīng)的轉(zhuǎn)化，因而抑制共模噪聲能力減弱。

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:A關(guān)于差分放大器的說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

A:共源共柵差分放大器的增益更大，但輸出共模電平難以確定

B:Gilbert單元是增益可變的放大器

C:VGA是一種可變?cè)鲆娣糯笃?/p>

D:差分放大電路只放大輸入信號(hào)的差模部分，不放大共模部分

答案:D第五章測(cè)試下列關(guān)于共源共柵電流鏡的說(shuō)法正確的是（）

A:提高了電路的輸出阻抗

B:共源共柵級(jí)屏蔽了輸出電壓變化的影響

C:犧牲了電壓余度

D:提高了電流復(fù)制精度

答案:ABCD有源負(fù)載差動(dòng)對(duì)的輸出端是不對(duì)稱的。

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:A有源負(fù)載差動(dòng)電路的小信號(hào)增益也可以使用半邊電路法來(lái)分析。

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:A如圖電流鏡電路，說(shuō)法正確的有（）

A:有管時(shí)，

B:有管時(shí)，

C:有管時(shí)的電流復(fù)制精度比沒(méi)有管時(shí)的電流復(fù)制精度高。

D:沒(méi)有管時(shí)，

答案:ABCD如圖電路，的最大值為（）

A:

B:

C:

D:

答案:C假設(shè)電路完全對(duì)稱，且時(shí)，所有器件都飽和，那么

=（）

A:

B:1.5V

C:2.3V

D:

答案:A如圖使用有源電流鏡負(fù)載的差分放大電路，實(shí)現(xiàn)了將差動(dòng)輸入信號(hào)變成了(

)輸出信號(hào)，完成了“雙端—單端”變換。

A:差動(dòng)

B:差分

C:雙端

D:單端

答案:D采用共源共柵結(jié)構(gòu)，不能提高輸出阻抗。

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:A實(shí)際模擬集成電路通過(guò)基本電流鏡產(chǎn)生眾多的偏置電流/電壓。

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:A共源共柵電流鏡屏蔽了輸出電壓變化的影響，不能提高電流復(fù)制精度。

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:B第六章測(cè)試如果系統(tǒng)傳輸函數(shù)H（s）的所有零點(diǎn)都位于左半平面時(shí)，系統(tǒng)是穩(wěn)定的

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:B利用米勒效應(yīng)以及極點(diǎn)和結(jié)點(diǎn)的關(guān)聯(lián)關(guān)系分析電路的頻率特性時(shí)，可能漏掉電路中的零點(diǎn)。

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:A因?yàn)橄旅娴碾娐分薪Y(jié)點(diǎn)X與Y之間只有一條信號(hào)通路，所以適用密勒定理。

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:A的彌勒效應(yīng)（）CS放大器的帶寬

A:增大

B:減小

答案:B由于零點(diǎn)在運(yùn)放的穩(wěn)定性中不起作用，因此在放大器頻率特性中可以忽略。

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:A零點(diǎn)意味著存在某一頻率fZ使輸出Vout等于（）

A:2

B:1

C:0

答案:C若兩條通路到達(dá)輸出結(jié)點(diǎn)時(shí)信號(hào)極性相同且傳輸函數(shù)存在零點(diǎn)，則為（）平面零點(diǎn)

A:右半

B:左半

答案:B該圖中，

不會(huì)產(chǎn)生密勒效應(yīng)。

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:A輸入信號(hào)頻率從低頻到高頻變化過(guò)程中，線性電路的增益、輸入阻抗、噪聲等指標(biāo)不會(huì)隨頻率發(fā)生變化。

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:A求該電路的極點(diǎn)

A:1/(sRC)

B:1/(RC)

答案:B第七章測(cè)試反饋可以提高電路增益的穩(wěn)定性。

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B由于增益帶寬之積為常數(shù)，故反饋電路帶寬增加的同時(shí)，其增益必減小。

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:A放大器一般有四種，分別為電壓放大器，跨阻放大器，跨導(dǎo)放大器和電流放大器。

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B共源電路屬于（）類型放大器。

A:跨阻放大器

B:電壓放大器

答案:B為了檢測(cè)輸出電壓，可以通過(guò)（）的方法實(shí)現(xiàn)。

A:在相應(yīng)接口并聯(lián)電壓表

B:串聯(lián)電流表

答案:A（）方法能夠使兩個(gè)電流信號(hào)相加。

A:并聯(lián)

B:串聯(lián)

答案:A引入電壓-電壓反饋后，電路的輸出阻抗變?yōu)闆](méi)有反饋時(shí)的（）倍。

A:

B:

答案:A在具有電流-電壓反饋機(jī)制的電路中，其輸入阻抗改變?yōu)闊o(wú)反饋情況下的倍。

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:A電壓-電流反饋機(jī)制能夠使電路的輸入阻抗減小為無(wú)反饋時(shí)的（）。

A:

B:

答案:A電流-電流反饋可使電路的輸入阻抗改變?yōu)橐M(jìn)反饋機(jī)制之前的倍。

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:B第八章測(cè)試如圖電路，設(shè)計(jì)額定增益為10，即，要求增益誤差為5%，確定A1的最小值為（）

A:100

B:10

C:10000

D:1000

答案:D假定運(yùn)放是一個(gè)單極點(diǎn)電壓放大器，若Vin是小的階躍電壓，計(jì)算當(dāng)輸出電壓處于其最終值的1%范圍內(nèi)所需的時(shí)間約為時(shí)間常數(shù)的多少倍？

A:2.3

B:5

C:10

D:4.6

答案:D對(duì)于以下單極點(diǎn)電壓放大器，若,且輸出達(dá)到終值的1%所需的穩(wěn)定時(shí)間小于5ns，運(yùn)放必須提供的單位增益帶寬約為多少？

A:7.21Grad/s

B:9.21Grad/s

C:12Grad/s

D:5Grad/s

答案:B以下電路的開(kāi)環(huán)輸出阻抗為（

）？

A:

B:

C:

D:

答案:D該電路的環(huán)路增益為（）？

A:

B:

C