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文檔簡介
AO3401
SOT-23
(SOT-23FieldEffectTransistors)
P-ChannelEnhancement-ModeMOSFETs
PMOS
MAXIMUMATINGS
CharacteristicSymbolMaxUnit
-30
V
BV
Drain-SourceVoltage
DSS
V
+12
Gate-SourceVoltage
V
GS
A
I
-3.8
DrainCurrent(continuous)
D
I
A
-15
DrainCurrent(pulsed)
DM
TotalDeviceDissipation
PD
mW
1250
TA=2525
T
150
260/10
Junction
J
T/t
/S
SolderTemperature/SolderTime
T
-55to+150
stg
StorageTemperature
WWW.DCY-CHINA.NET
AO3401
ELECTRICALCHARACTERISTICS
25)
(TA=25unlessotherwisenoted
Unit
Min
Typ
Symbol
Max
Characteristic
-30
V
Drain-SourceBreakdownVoltage
—
—
BVDSS
VGS(th)
VSD
(ID=-250uA,VGS=0V)
-2
-0.6
V
GateThresholdVoltage
—
(ID=-250uA,VGS=VDS)
-1
V
DiodeForwardVoltageDrop
—
—
(IS=-1A,VGS=0V)
ZeroGateVoltageDrainCurrent
uA
nA
-1
-5
+100
IDSS
—
—
(VGS=0V,VDS=-24V)
(VGS=0V,VDS=-24V,TA=55)
GateBodyLeakage
—
—
IGSS
RDS(ON)
RDS(ON)
RDS(ON)
CISS
COSS
t(on)
t(off)
(VGS=+12V,VDS=0V)
StaticDrain-SourceOn-StateResistance
50
—
60
(ID=-3.8A,VGS=-10V)
StaticDrain-SourceOn-StateResistance
80
60
—
(ID=-2A,VGS=-4.5V)
StaticDrain-SourceOn-StateResistance
75
—
100
(ID=-1A,VGS=-2.5V)
pF
pF
ns
ns
954
InputCapacitance
—
—
(VGS=0V,VDS=-15V,f=1MHz)
115
OutputCapacitance
—
—
(VGS=0V,VDS=-15V,f=1MHz)
Turn-ONTime
—
—
6.3
(VDS=-15V,VGS=-10V,RGEN=6)
Turn-OFFTime
38.2
—
—
(VDS=-15V,VGS=-10V,RGEN=6)
PulseWidth<300s;D
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